具有可调强度的耦合自旋霍尔纳米振荡器的制作方法

文档序号:12288957阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种装置,包括:

互连,所述互连具有自旋轨道耦合材料;以及

磁性叠层,所述磁性叠层具有两个磁性层,使得所述磁性层中的一个磁性层耦合到所述互连,其中,所述两个磁性层中的每一个磁性层具有各自的磁化方向以使得所述磁性叠层振荡。

2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述磁性叠层包括磁隧道结(MTJ)器件。

3.根据权利要求1所述的装置,进一步包括电压源,用于跨所述磁性叠层施加电压,以使得所述互连上的信号振荡。

4.根据权利要求3所述的装置,其中,所述电压源能够操作以调整跨所述磁性叠层的电压以调整所述信号的振荡频率。

5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述互连耦合到非磁性金属部分。

6.根据权利要求5所述的装置,其中,所述非磁性金属部分由Cu、α-Ta、Al、CuSi或NiSi中的一种或多种形成。

7.根据权利要求1所述的装置,其中,所述自旋轨道耦合材料是自旋霍尔效应(SHE)材料。

8.根据权利要求7所述的装置,其中,所述SHE材料由具有高自旋轨道耦合的W、Ta、Pt、CuIr、4d或5d金属中的一种或多种形成。

9.根据权利要求1所述的装置,其中,所述两个磁性层包括自由磁性层和固定磁性层,其中,所述自由磁性层的磁化方向在面内,并且其中,所述固定磁性层的磁化方向垂直于所述自由磁性层的磁化方向。

10.根据权利要求1所述的装置,其中,所述两个磁性层包括自由磁性层和固定磁性层,其中,所述固定磁性层的磁化方向在面内,并且其中,所述自由磁性层的磁化方向垂直于所述固定磁性层的磁化方向。

11.根据权利要求1所述的装置,其中,所述两个磁性层包括自由磁性层和固定磁性层,其中,所述固定磁性层和所述自由磁性层的磁化方向在面内。

12.一种装置,包括:

第一振荡器,包括:

第一互连,所述第一互连具有自旋霍尔效应(SHE)材料;以及

第一磁性叠层,所述第一磁性叠层具有两个磁性层,使得所述磁性层中的一个磁性层耦合到所述第一互连,其中,所述两个磁性层中的每一个磁性层具有各自的磁化方向,以使得所述第一磁性叠层振荡所述第一互连上的信号;

第二振荡器,包括:

第二互连,所述第二互连具有SHE材料;以及

第二磁性叠层,所述第二磁性叠层具有两个磁性层,使得所述磁性层中的一个磁性层耦合到所述第二互连,其中,所述两个磁性层中的每一个磁性层具有各自的磁化方向,以使得所述第二磁性叠层振荡所述第二互连上的信号;以及

耦合电路,所述耦合电路用于将所述第一振荡器耦合到所述第二振荡器。

13.根据权利要求12所述的装置,其中,所述耦合电路包括晶体管,所述晶体管具有可控栅极端子,并且具有分别耦合到所述第一互连和所述第二互连的源极端子和漏极端子。

14.根据权利要求13所述的装置,进一步包括电压源,用于控制所述栅极端子的电压,以使得所述第一互连上的信号的振荡与所述第二互连上的信号的振荡同步。

15.根据权利要求12所述的装置,其中,所述耦合电路是将所述第一互连耦合到所述第二互连的非磁性互连。

16.根据权利要求12所述的装置,其中,所述耦合电路包括可变电阻器件。

17.根据权利要求12所述的装置,其中,所述第一互连和所述第二互连的SHE材料耦合到所述非磁性金属层。

18.根据权利要求12所述的装置,其中,所述第一振荡器和所述第二振荡器中的每一个振荡器的所述第一互连和所述第二互连的SHE材料由具有高自旋轨道耦合的W、Ta、Pt、CuIr、4d或5d金属中的一种或多种形成。

19.根据权利要求12所述的装置,其中,所述耦合电路是信号处理单元,其能够操作以对耦合信号强度进行放大、削弱、滤波或相移,所述耦合信号在所述第一振荡器和所述第二振荡器之间来回传送。

20.一种系统,包括:

存储器;

处理器,所述处理器耦合到所述存储器,所述处理器包括根据装置权利要求1-11中的任意一项所述的装置;以及

无线接口,所述无线接口用于允许所述处理器与另一设备通信耦合。

21.一种装置,包括:

第一振荡器,所述第一振荡器包括具有自旋轨道耦合材料的第一互连,以及耦合到所述第一互连的第一磁性叠层;

第二振荡器,所述第二振荡器包括具有自旋轨道耦合材料的第二互连,以及耦合到所述第二互连的第二磁性叠层;以及

耦合电路,所述耦合电路用于将所述第一振荡器耦合到所述第二振荡器。

22.根据权利要求21所述的装置,其中,所述第一磁性叠层具有自由磁性层和固定磁性层,使得所述自由磁性层耦合到所述第一互连,并且其中,所述固定磁性层具有垂直于所述自由磁性层的磁化方向的磁化方向。

23.根据权利要求21所述的装置,其中,所述第二磁性叠层具有自由磁性层和固定磁性层,使得所述自由磁性层耦合到所述第二互连,并且其中,所述固定磁性层具有垂直于所述自由磁性层的磁化方向的磁化方向。

24.根据权利要求21所述的装置,其中,所述第一磁性叠层和所述第二磁性叠层具有各自的自由磁性层和固定磁性层,使得所述各自的自由磁性层分别耦合到所述第一互连和所述第二互连,并且其中,所述各自的固定磁性层具有平行于所述各自的自由磁性层的磁化方向的磁化方向。

25.根据权利要求21所述的装置,其中,所述第一磁性叠层和所述第二磁性叠层具有各自的自由磁性层和固定磁性层,使得所述各自的自由磁性层分别耦合到所述第一互连和所述第二互连,并且其中,所述各自的固定磁性层具有垂直于所述各自的自由磁性层的磁化方向的磁化方向。

26.根据权利要求21所述的装置,其中,所述耦合电路是信号处理单元,其能够操作以对耦合信号强度进行放大、削弱、滤波或相移,所述耦合信号在所述第一振荡器和所述第二振荡器之间来回传送。

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