具有增大的调谐范围的CMOS变容二极管的制作方法

本说明书涉及集成电路cmos结构中的可变电容器的领域。

背景技术：

变容二极管(varactor)提供了可变电容，该可变电容可以利用施加在变容二极管的端子上的控制电压来控制。变容二极管在射频电路中特别地有利地用于调谐电路以便以特定频率进行振荡，但变容二极管也用于许多其它应用中。电容器一般地并且变容二极管特别地以使用两个导电盘或表面以及其间的绝缘体为原则进行操作。

变容二极管通常响应于端子中的一个端子(控制端子)上的电压电平而改变另一个端子(信号端子)上的电容。在cmos(互补金属氧化物半导体)技术中，变容二极管通常用n型阱中的nmos(n型cmos)来构建。mos器件的本征mos栅极电容被用作变化的电容，栅极端子为信号端子并且n阱电势用于改变电容。源极和漏极端子电阻性地连接到n阱并且用作控制端子。

cmos变容二极管具有寄生电容的若干源。例如，存在从栅极到凸起的源极/漏极结构和从栅极到源极/漏极接触元件的边缘电容。这些边缘电容形成了不会由控制电压改变的固定电容并且在每个控制电压电平下使变容二极管电容增大一固定量。这些寄生电容增加了信号端子上所观察到的电容并且限制了如以cmax/cmin比(最大电容与最小电容比)度量的变容二极管器件的调谐范围。随着在更加先进的cmos工艺中器件栅极长度的缩放，固定电容对总的变容二极管电容的相对贡献增大，从而降低了变容二极管的cmax/cmin。

随着集成电路的特征的进一步缩放，沟道长度被减小。较小沟道的变容二极管由于变容二极管的电容中的相对更大的固定c边缘部件而具有较小的cmax/cmin比。

附图说明

通过示例的方式而不是限制的方式例示了本发明的实施例，在附图的图中，类似的附图标记指代相似的元件。

图1是finfet结构中的变容二极管的等距局部顶视图。

图2是显示边缘电容的变容二极管的侧截面图。

图3是根据实施例的多栅极变容二极管的侧截面图。

图4是根据实施例的替代的多栅极变容二极管的侧截面图。

图5是根据实施例的另一个替代的多栅极变容二极管的侧截面图。

图6是根据实施例的另一个替代的多栅极变容二极管的侧截面图。

图7是根据实施例的并入多栅极变容二极管的计算设备的框图。

具体实施方式

在实施例中，可以通过缩小变容二极管的凸起源极/漏极结构(例如，通过去除变容二极管的源极区和漏极区中的外延层)来减小变容二极管的边缘电容。通过缩小边缘电容部件，减小了变容二极管的最小电容。可以通过选择性地省略源极/漏极接触部并且通过使用奇偶模激励方案(evenandoddmodeexcitationscheme)的特定组合来得到进一步的减小。

利用更高速的输入/输出系统，例如pcle(快速外围组件互连)、kti(keizer技术接口)、usb(通用串行总线)、displayport以及serdes(串行器解串器)，必须进一步减少抖动。宽调谐范围的变容二极管可以用于许多这样的高速i/o系统，并且作为lc-pll(锁相环)的一部分，lc-pll(锁相环)是微处理器和soc(片上系统)计时中以及无线通信系统中的基本构建块。

图1是形成在finfet结构上的变容二极管120的等距视图。半导体鳍状物122形成在半导体条状物124的顶部部分上，半导体条状物124形成在硅衬底126之上。鳍状物位于sti(浅沟槽隔离)区域128之间，sti(浅沟槽隔离)区域128形成在位于鳍状物及鳍状物下方的沟槽两侧的衬底上。

栅极132形成在鳍状物的顶部之上并且在两侧130、134上延伸在鳍状物之上。鳍状物位于栅极之下的部分是变容二极管的沟道。源极区和漏极区136通过源极/漏极结构形成在鳍状物的相对侧上。变容二极管的栅极具有第一端子140和第二端子142，分别在栅极两侧上。公共控制电压输入端141可以连接到两个端子或连接到仅一个端子，从而允许另一个端子浮置。根据特定的实施方式，可以将相同或不同的电压施加到每个端子。可以通过在栅极之上沉积层并随后蚀刻掉所述层中的位于栅极之上的一些或全部来形成栅极。源极/漏极结构的侧壁通过电容耦合(电容式耦合)到栅极的侧壁130、134。图1的结构的部分的具体形状连接和相对尺寸可以被修改为适合不同的技术和应用约束并且满足各种性能需求。

源极区和漏极区136通过形成在所示结构之上的各种金属线或再分布层(未示出)来连接。这被示出为连接到节点(被标记为s/d)的线。图1的示例是两个端子的变容二极管。两个源极/漏极端子通过器件的主体而被短路并且可以被认为是单个端子。

图2是穿过两个源极/漏极端子和栅极所截取的第二变容二极管的侧截面图。示出了由cmos技术产生的不同的寄生电容部件。边缘电容(c边缘)限制了变容二极管中的电容调谐比(cmax/cmin)。变容二极管具有从栅极232到下层n阱的本征mos电容252。这是由施加到变容二极管控制端子的电压确定的主要电容。

首先在栅极232与每个源极/漏极端子240、242之间存在边缘电容。这被指示为用于构建源极和漏极接触部的结构的边缘电容254。还存在从栅极232到扩散层或sti228在每侧上的凸起源极/漏极结构的边缘电容256。电容取决于在finfet技术中构建的变容二极管内的物理参数、材料和任何隔离或阻挡层。

图1和图2中所示的变容二极管构建块通常被组合在多个单元中以构建更大的变容二极管结构。类似于构建有多条管脚的大cmos器件，较大的变容二极管构建有在相同的扩散部中布置的多个平行的栅极(也被称为管脚)，其中栅极与源极/漏极结构交错。

可以通过在所示结构的一侧或两侧上添加更多的栅极和源极/漏极端子来扩展图1和图2的变容二极管。在finfet结构中，每个器件管脚通常构建在许多平行的鳍状物上。下图示出了使用相同的n阱中的四个器件管脚而构建的变容二极管。可以通过形成一系列栅极和源极/漏极端子来在平面cmos结构中制造相同的结构。实施例不限于任何特定的晶体管和栅极制造类型或结构。

本文涉及源极/漏极结构、源极/漏极端子、源极/漏极阱以及其它源极/漏极元件。在实施例中，变容二极管由交替的掺杂扩散部和栅极形成。第一个扩散区用作源极并且最后一个扩散区用作漏极。在第一个扩散区与最后一个扩散区之间，掺杂扩散区可以用作源极或漏极。这些结构因此被称为源极/漏极结构或端子。术语源极/漏极用于指代源极或漏极或这两者的组合。根据下层结构，源极/漏极可以被形成为n阱之上的具有端子的掺杂扩散区或者源极/漏极可以采用另一种方式来形成。尽管本说明书被呈现为n阱中的n+掺杂结构，其中n阱是器件体或主体，但本文中所述的技术、方法和原则还可以应用于p阱中的p+掺杂结构。除其它修改以外，它们还可以应用于在p阱中被构建为n型器件以及在n阱中被构建为p型器件的变容二极管。

图3是显示如何连接和驱动栅极以产生受控的电容的多栅极变容二极管的截面图。在该实施例中，变容二极管301嵌入在n阱340中。变容二极管由控制电压342控制，控制电压342被施加到变容二极管的两端处的源极/漏极端子322、330上的端子。

变容二极管具有四个连续的栅极302、304、306、308。所述栅极均形成在五个掺杂的n+源极/漏极端子或结构312、314、316、318、320之间，从而使栅极和源极/漏极端子跨相应的栅极端子交替。每个源极/漏极端子具有相应的源极/漏极接触部或电极322、324、326、328、330以用于连接来自控制电压源342的控制电压。可以通过在相应的扩散区322之上沉积金属化层来制作该接触部。控制电压通过n阱中的电阻路径、经由源极/漏极端子电阻性地耦合到n阱或体340。在连续的栅极处施加了交替的激励。正激励振荡端子344耦合到第一栅极302和第三栅极306。对应的负激励振荡端子346耦合到第二栅极304和第四栅极308。

这些端子用作激励信号的源并且耦合到振荡电源(未示出)的端子。交变信号在正栅极连接与负栅极连接之间的对称线处产生n阱的虚拟交流接地。其还放大了电容边缘部件对连续的交替栅极连接之间的源极/漏极接触部322、324、326、328、330的影响。

图4是类似于图3的多栅极变容二极管的多栅极变容二极管401的截面图。变容二级管具有控制电压输入源442和对应的交替激励信号源444、446。如在图3的示例中，控制电压和交替激励信号由外部部件(未示出)供应。变容二极管具有在例如n阱440中的四个栅极402、404、406、408的序列。源极/漏极结构412、414、416、418、420通过例如外延沉积或另一种技术制造在每个栅极的相对侧上。还可以通过经由掺杂或沉积形成扩散区来制造源极/漏极端子。每个栅极具有形成在其外部表面上的相应的源极/漏极接触部422、424、426、428、430以用于连接到外部控制电压信号。

在该实施例中，控制电压如图3中那样连接到第一个和最后一个源极/漏极接触部422、430，但不连接到其它源极/漏极接触部424、426、428中的任一个。如上所述，源极漏极结构具有至体变容二极管(在这种情况下为n阱)的电阻连接。在体变容二极管或n阱被偏置的情况下，任何数量和布置的源极漏极接触部可以连接到控制电压。在该示例中，每端处的一个接触部足以使体偏置。两个源极/漏极端子跨阱的长度分布以使用控制电压使阱偏置。对于更长的结构，可以连接更多的接触部以更好地分配控制电压。替代地，中央接触部可以连接到控制电压而非端接触部。作为示例，可以在例如426处制造单个接触部或者可以连接接触部424、428而非接触部422、430。

与源极/漏极接触部相比，激励振荡信号连接到栅极中的所有栅极。正激励端子444连接到头两个相邻的栅极402、404。负激励端子446连接到最后的两个相邻的栅极406、408。栅极具有与体变容二极管或n阱的电容式耦合。变容二极管的结构可以被视为具有n阱、信号端子(栅极结构)和控制端子(源极/漏极结构)。控制端子电阻性地耦合到n阱并且信号端子电容性地耦合到n阱。

在四个管脚的变容二极管的该示例中，所有正栅极连接都位于中心源极/漏极结构416的一侧上，并且所有负栅极连接都位于中心结构的另一相对侧上。在所示示例中，中心源极/漏极结构不连接到控制电压也不连接到激励振荡信号。以另一种方式来看，栅极以连续的对进行耦合。对于具有较大数量的管脚的变容二极管，可以以较大的组(例如，三个一组、四个一组等)连接栅极。这可以进一步减小寄生电容。

使用+,+,-,-或+,+,+,-,-,-或+,+,+,+,-,-,-,-等的跨连续栅极的激励的该方法减少了边缘电容部件的影响。对于具有相同电势的两个或更多个相邻栅极，两个栅极之间的边缘电容不会被充电和放电，并且消除了其对栅极电容的影响。

在图4的四指变容二极管中，所有正极性变容二极管栅极在一个单一组中是相邻且连续的，并且所有负极性变容二极管栅极在第二单一组中是相邻且连续的。图4示出了成对交错，而非具有正极性和负栅极的单一栅极之间的交错。对于八指变容二极管，极性仍然可以成对交错从而使图案变成+,+,-,-,+,+,-,-。这个成对图案可以通过使用三组正配对和三组负配对而扩展成十二指变容二极管，以此类推，以适应任何特定的变容二极管配置。替代地，如上所述，可以用每个组的三个或更多个正极性和三个或更多个负极性使极性交错。使用这种技术，可以构建具有16、24、32、40、48、56、64或任何其它数量的栅极的变容二极管。栅极的总数量可以是偶数或奇数。在每个组中的栅极的总数量也可以是偶数或奇数。

两个、三个或四个栅极的分组还可以在同一变容二极管结构中混合。混合图案的一些示例可以包括：

+++---++--+++---；

+++--+++--；

+++--++---；以及

++---++++---；等等。

图5是类似于图3的多栅极变容二极管的多栅极变容二极管501的截面图。如在图3和图4中，变容二级管具有控制电压源542和对应的交替激励源544、546。如在图3的示例中，控制电压和交替激励信号由外部部件(未示出)供应。变容二极管具有在n阱540中的四个栅极502、504、506、508的序列。然而，仅存在形成在变容二极管的相对端上的仅两个源极/漏极结构512、520，从而在任何栅极之间不存在源极/漏极结构。变容二极管的每端上的两个源极/漏极结构均具有形成在对应的结构之上的相应的源极/漏极接触部522、530以用于连接到外部控制电压信号。

控制电压542连接到两个源极/漏极端子522、530。如在图3和图4中，在栅极之间没有施加信号。栅极以如图3中的交替+,-+-配置偶合在一起。然而，源极/漏极结构(例如n+外延扩散焊盘)以及对应的源极/漏极接触部并未形成在栅极之间。因此，所有栅极是相邻的且没有中间的源极/漏极端子。消除扩散n+区域减小了扩散sti层的寄生边缘电容。去除源极/漏极区中的源极/漏极接触部消除了栅极与源极/漏极接触部之间的边缘电容，除了在变容二极管的最末端之外。作为替代方案，源极/漏极端子可以放置在一些栅极而非所有栅极之间的不同位置中。例如，一个源极/漏极端子可以放置在栅极502和504之间。第二源极/漏极端子可以放置在栅极506和508之间。在栅极504和506之间将不存在源极/漏极端子。还可以使用各种其它配置而非那些所述和所示的配置。

图6是结合图4和图5的特征的变容二极管的截面图。如在图5中那样，变容二级管具有控制电压源642和由外部部件(未示出)供电的对应的交替激励源644、646。变容二极管具有在n阱640中的四个栅极602、604、606、608的序列。存在形成在变容二极管的相对侧上的两个源极/漏极结构612、620，而在任何栅极之间不存在源极/漏极结构。在变容二极管的每端上的两个源极/漏极结构均具有相应的源极/漏极接触部622、630以用于连接到外部信号。

与图4中相同的在连续栅极处的+,+,-,-成对激励用于减少栅极之间的边缘电容的影响。去除源极/漏极结构(通过例如不形成对应的外延扩散层)减小了栅极与源极/漏极之间的寄生边缘电容。去除源极/漏极接触部还减小了栅极与源极/漏极接触部之间的寄生电容。

如所述的，可以使用如图4至图6中所述和所示的一种或多种技术来改进变容二极管的性能。除了其它技术以外，这些技术包括去除扩散接触部(源极/漏极接触部)和用于连续源极/漏极端子的偶数/奇数模式激励。去除源极/漏极结构(通过去除外延层)减小了栅极与源极/漏极之间的寄生边缘电容。还去除源极/漏极接触部减小了栅极与源极/漏极之间的寄生电容。这些技术能够提供cmax/cmin的多达60％的改进。还通过降低边缘电容而将使用这种变容二极管的lc-pll的频率范围提升了两倍至三倍。较宽的调谐范围使得使用变容二极管的电路能够支持需要宽调谐范围的i/o(输入/输出)和无线电应用。较宽的可调谐频率范围还提供了用于补偿温度产生的频率漂移的较大裕量。换言之，电路能够达到在较大温度范围内的预期频率。对于固定或窄范围频率的电路，减小cmin允许在较低功率下提高电感。

图7示出了根据本发明的一个实施方式的计算设备100。计算设备100容纳系统板2。板2可以包括多个部件，包括但不限于处理器4和至少一个通信封装件6。通信封装件耦合到一个或多个天线16。处理器4物理耦合和电耦合至板2。

根据其应用，计算设备100可以包括可以或可以不物理耦合和电耦合到板2的其它部件。这些其它部件包括但不限于：易失性存储器(例如，dram)8、非易失性存储器(例如，rom)9、闪速存储器(未示出)、图形处理器12、数字信号处理器(未示出)、密码处理器(未示出)、芯片组14、天线16、诸如触摸屏显示器之类的显示器18、触摸屏控制器20、电池22、音频编码解码器(未示出)、视频编码解码器(未示出)、功率放大器24、全球定位系统(gps)设备26、罗盘28、加速度计(未示出)、陀螺仪(未示出)、扬声器30、照相机32和大容量储存设备(例如，硬盘驱动器)10、光盘(cd)(未示出)、数字多功能盘(dvd)(未示出)，等等)。这些部件可以连接到系统板2、安装到系统板或与其它部件中的任一个进行组合。

通信封装件6实现了无线和/或有线通信以用于将数据传送到计算设备100和从计算设备100传送数据。术语“无线”及其派生词可以用于描述可以通过使用经调制的电磁辐射来经由非固体介质传送数据的电路、设备、系统、方法、技术、通信信道等。该术语并不暗示相关联的设备不含有任何导线，虽然在一些实施例中它们可能不含有任何导线。通信封装件6可以实施多种无线或有线标准或协议中的任意一种，所述无线或有线标准或协议包括但不限于wi-fi(ieee802.11族)、wimax(ieee802.16族)、ieee802.20、长期演进(lte)、ev-do、hspa+、hsdpa+、hsupa+、edge、gsm、gprs、cdma、tdma、dect、蓝牙、以太网、其衍生物、以及被指定为3g、4g、5g以及更高代的任何其它无线和有线协议。计算设备100可以包括多个通信封装件6。例如，第一通信封装件6可以专用于较短距离的无线通信(例如wi-fi和蓝牙)，并且第二通信封装件6可以专用于较长距离的无线通信(例如gps、edge、gprs、cdma、wimax、lte、ev-do，等等)。

芯片中的任何一个或多个可以包括如本文中所述的变容二极管或者变容二极管可以在ic封装件中使用以与接口或通信装置一起使用。

在各种实施方式中，计算设备100可以是服务器、工作站、膝上型电脑、上网本、笔记本、超级本、智能电话、平板电脑、个人数字助理(pda)、超级移动pc、移动电话、打印机、扫描仪、监视器、机顶盒、娱乐控制单元、数码相机、便携式音乐播放器、或数字视频录像机。在另外的实施方式中，计算设备100可以是任何其它电子设备，例如处理数据的装置、笔、钱包或手表。

实施例可以被实施为一个或多个存储器芯片、控制器、cpu(中央处理单元)、使用母板进行互连的微芯片或集成电路、专用集成电路(asic)、和/或现场可编程门阵列(fpga)的一部分。

对“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”、“各种实施例”等的引用表明这样描述的本发明的(多个)实施例可以包括特定的特征、结构或特性，但不是每个实施例都必须包括特定的特征、结构或特性。此外，一些实施例可以具有一些、全部或不具有针对其它实施例所述的特征。

在以下描述和权利要求中，可以使用术语“耦合”及其派生词。“耦合”用于表明两个或更多个元件相互合作或交互，但它们可以或可以不具有位于其间的中间物理或电气部件。

如权利要求中所使用的，除非另外指明，否则使用序数形容词“第一”、“第二”、“第三”等来描述共同的元件仅表明引用类似元件的不同实例，而不旨在暗示这样描述的元件必须采用给定的顺序(时间上或空间上)、必须排列或采用任何其它方式。

附图和前述描述给出了实施例的示例。本领域中的技术人员将认识到，一个或多个所述元件可以适当地组合成单个功能元件。替代地，某些元件可以分成多个功能元件。来自一个实施例的元件可以被添加到另一实施例。例如，本文中所述的处理顺序可以改变并且不限于本文中所述的方式。此外，任何流程图的动作不需要以所示顺序来实施；也不一定需要执行所有的动作。另外，不取决于其它动作的那些动作可以与所述其它动作并行执行。实施例的范围决不受这些具体示例的限制。许多的变化(不论是否在说明书中明确地给出)，例如结构、尺寸、和材料使用上的差异都是可能的。实施例的范围至少与以下权利要求所给出的一样宽泛。

以下示例涉及进一步的实施例。不同实施例的各种特征可以与被包括的一些特征和被排除的其它特征一起以各种方式进行组合，以适应各种不同的应用。一些实施例涉及一种变容二极管，所述变容二极管包括：阱；多个栅极，形成在所述阱之上并且具有至所述阱的电容性连接，所述栅极包括所述栅极的第一子组以及所述栅极的第二子组，所述栅极的第一子组是相邻且连续的且耦合到激励振荡信号的正极，所述栅极的第二子组是相邻且连续的并且耦合到所述激励振荡信号的负极；以及多个源极/漏极端子，其形成在所述阱之上并且具有至所述阱的电阻性连接，每个源极/漏极端子耦合到相应的栅极以接收用于控制所述变容二极管的电容的控制电压。在另外的实施例中，所述第一子组的所述连续栅极耦合到所述正极而不存在耦合到负极的任何中间栅极。

另外的实施例包括位于所述变容二极管中心的中心源极/漏极端子，并且其中，所述第一组的所述栅极位于所述中心源极/漏极端子的一侧上并且所述第二组的所述栅极位于所述中心源极/漏极端子的另一侧上。

在另外的实施例中，所述多个栅极中的每个栅极形成在finfet结构的鳍状物之上。

在另外的实施例中，所述多个栅极中的每个栅极形成在平面结构的相应管脚之上。

在另外的实施例中，所述栅极的所述第一子组包括位于所述变容二极管的一侧上的两个相邻管脚上的两个栅极，并且栅极的所述第二子组包括位于所述变容二极管的另一侧上的两个其它相邻管脚上的两个栅极。

另外的实施例包括：所述栅极的第三子组，所述栅极的第三子组是相邻且连续的并且耦合到激励振荡信号的正极；以及所述栅极的第四子组，所述栅极的第四子组是相邻且连续的并且耦合到所述激励振荡信号的负极，其中，所述第一子组和所述第二子组是相邻的并且所述第三子组和所述第四子组是相邻的。

在另外的实施例中，所述第一子组和所述第二子组均包括一对栅极，所述变容二极管包括栅极的附加对，其中，对于每个相应对而言所述对在极性上是交替的。

在另外的实施例中，所述第一子组和所述第二子组均包括三个栅极，所述变容二极管包括三个栅极的附加子组，其中，对于每个相应子组而言所述子组在极性上是交替的。

一些实施例涉及一种计算设备，所述计算设备包括电路板、耦合到所述电路板的封装管芯，所述管芯包括激励振荡信号源、控制电压源和变容二极管，所述变容二极管包括：阱；多个栅极，所述多个栅极形成在所述阱之上并且具有至所述阱的电容性连接，所述栅极包括所述栅极的第一子组和所述栅极的第二子组，所述栅极的第一子组是相邻且连续的并且耦合到来自激励振荡信号源的激励振荡信号的正极，并且所述栅极的第二子组是相邻且连续的并且耦合到所述激励振荡信号的负极；以及多个源极/漏极端子，所述多个源极/漏极端子形成在所述阱之上并且具有至所述阱的电阻性连接，以从所述控制电压源接收用于控制所述变容二极管的电容的控制电压。

另外的实施例包括栅极的附加子组，每个子组具有两个相邻栅极并且在相邻子组之间在极性上交替。

另外的实施例包括：所述栅极的第三子组，所述栅极的第三子组是相邻且连续的并且耦合到激励振荡信号的正极；以及所述栅极的第四子组，所述栅极的第四子组是相邻且连续的并且耦合到所述激励振荡信号的负极，其中，所述第一子组和所述第二子组是相邻的并且所述第三子组和所述第四子组是相邻的。

一些实施例涉及一种方法，所述方法包括：驱动变容二极管的多个栅极的第一子组上的正激励振荡信号，所述栅极的所述第一子组是相邻且连续的，所述多个栅极形成在阱之上并且具有至所述阱的电容性连接；驱动所述变容二极管的所述多个栅极的第二子组上的负激励振荡信号，所述第二子组是相邻且连续的；以及驱动多个源极/漏极端子上的控制栅极电压以控制所述变容二极管的电容，所述源极/漏极端子形成在所述阱之上并且具有至所述阱的电阻性连接。

在另外的实施例中，所述多个栅极中的每个栅极形成在平面结构的相应的管脚之上。

在另外的实施例中，所述第一子组和所述第二子组包括栅极的交替对，在所述栅极的交替对中所述极性在所述对之间交错。

一些实施例涉及一种变容二极管，所述变容二极管包括：阱；多个栅极，形成在所述阱之上并且具有至所述阱的电容性连接，每个栅极耦合到激励振荡信号；以及形成在所述阱之上的多个源极/漏极端子，每个源极/漏极端子与下一个源极/漏极端子由所述多个栅极中的至少一个栅极分隔开以接收用于控制所述变容二极管的电容的控制电压，其中，所述栅极的子组是相邻的且没有中间的源极/漏极端子。

在另外的实施例中，所述源极/漏极端子在所述变容二极管的相对端处与所述第一个栅极和最后一个栅极相邻。

在另外的实施例中，所述源极/漏极端子包括具有金属化接触层的凸起的源极/漏极结构。

在另外的实施例中，所述源极/漏极端子包括电阻性地耦合到所述阱的外延扩散层。

在另外的实施例中，所述源极/漏极端子跨所述阱分布以使用所述控制电压而使所述阱偏置。

在另外的实施例中，所述多个栅极包括所述栅极的第一子组以及所述栅极的第二子组，其中所述栅极的第一子组是相邻且连续的并且耦合到激励振荡信号的正极，并且所述栅极的第二子组是相邻且连续的并且耦合到所述激励振荡信号的负极。

在另外的实施例中，所述第一子组的所述连续栅极耦合到所述正极而不存在耦合到负极的任何中间栅极。

在另外的实施例中，所述多个栅极中的每个栅极形成在finfet结构的鳍状物之上。

一些实施例涉及一种计算设备，所述计算设备包括电路板、耦合到所述电路板的封装管芯，所述管芯包括激励振荡信号源、控制电压源和变容二极管，所述变容二极管包括：阱；多个栅极，所述多个栅极形成在所述阱之上并且具有至所述阱的电容性连接，每个栅极耦合到激励振荡信号；以及形成在所述阱之上的多个连续的相邻源极/漏极端子，每个源极/漏极端子与下一个源极/漏极端子由所述多个栅极中的至少一个栅极分隔开，所述连续的源极/漏极端子中的第一个源极/漏极端子和最后一个源极/漏极端子接收用于控制所述变容二极管的电容的控制电压，所述第一个源极/漏极端子和最后一个源极/漏极端子具有被凸起的源极/漏极结构覆盖的外延扩散层以用于连接到所述控制电压，除第一个和最后一个以外的控制栅极不具有凸起的源极/漏极结构。

在另外的实施例中，所述栅极的子组是相邻的且没有中间的源极/漏极端子。

在另外的实施例中，所述源极/漏极端子与所述第一栅极和所述最后一个栅极相邻。

在另外的实施例中，所述源极/漏极端子包括位于所述阱之上的掺杂扩散区。