技术特征：
技术总结
描述了一种变容二极管，其可以在CMOS中构建并且具有高调谐范围。在一些实施例中，所述变容二极管包括：阱；多个栅极，所述多个栅极形成在所述阱之上并且具有至所述阱的电容性连接，所述栅极包括所述栅极的第一子组以及所述栅极的第二子组，所述栅极的第一子组是相邻且连续的并且耦合到激励振荡信号的正极，并且所述栅极的第二子组是相邻且连续的并且耦合到所述激励振荡信号的负极；以及多个源极/漏极端子，其形成在所述阱之上并且具有至所述阱的电阻性连接，每个源极/漏极端子耦合到相应栅极以接收用于控制所述变容二极管的电容的控制电压。
技术研发人员：M·埃尔-塔纳尼;P·帕坎;J·维德梅尔;A·梅直巴;范永平
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2014.12.24
技术公布日：2017.08.29