1.一种影像感应器，包含有：
半导体基底，其具有一主动阵列区以及一周边电路区；
多个感光元件，设于该主动阵列区内的该半导体基底中；
第一介电层，位于该半导体基底上，覆盖该主动阵列区以及该周边电路区；以及
第二介电层，位于该第一介电层上，其中该第二介电层中具有一凹陷区域对应于该主动阵列区，显露出该第一介电层的上表面，且由该第二介电层的一侧壁所定义出来的该凹陷区域的周围与该第一介电层的该上表面具有一夹角，其中该夹角小于90度。
2.如权利要求1所述的影像感应器，其中该第一介电层为硅氧介电层。
3.如权利要求1所述的影像感应器，其中该第二介电层为硅氧介电层。
4.如权利要求1所述的影像感应器，其中还包含有第一金属内连线层，设于该半导体基底上，且该第一介电层覆盖该第一金属内连线层。
5.如权利要求4所述的影像感应器，其中还包含有第二金属内连线层，设于该第一介电层上，且该第二介电层覆盖该第二金属内连线层。
6.如权利要求5所述的影像感应器，其中该第一金属内连线层与该第二金属内连线层设于该周边电路区。
7.一种影像感应器的制造方法，包含有：
提供一半导体基底，其具有一主动阵列区以及一周边电路区，并且具有多个感光元件设于该主动阵列区内；
在该半导体基底上形成一第一介电层，以覆盖该主动阵列区以及该周边电路区；
在对应该主动阵列区的该第一介电层上形成一牺牲层图案；
在未被该牺牲层图案覆盖的部分该第一介电层上形成一第二介电层；以及
移除该牺牲层图案以显露出部分该第一介电层。
8.如权利要求7所述的影像感应器的制造方法，其中形成该牺牲层图案的方法包含有：
在该第一介电层上形成一牺牲层；
在该牺牲层上形成一光致抗蚀剂图案；以及
进行一蚀刻制作工艺移除未被该光致抗蚀剂图案覆盖的部分该牺牲层。
9.如权利要求7所述的影像感应器的制造方法，其中该牺牲层图案包含一氮氧化硅层图案、一无定形碳层图案或者一感光的高分子聚合物层图案。
10.如权利要求7所述的影像感应器的制造方法，其中该牺牲层图案的侧壁与该第一介电层的表面具有一夹角，且该夹角大于90度。
11.如权利要求7所述的影像感应器的制造方法，其中形成该第二介电层的步骤包含一原子层沉积制作工艺或者一低温化学气相沉积制作工艺。
12.如权利要求7所述的影像感应器的制造方法，其中形成该第二介电层之后还包含一平坦化制作工艺，以移除该牺牲层图案上的部分该第二介电层。
13.如权利要求7所述的影像感应器的制造方法，其中移除该牺牲层图案之后还包含于显露出的部分该第一介电层上形成一彩色滤光膜以及一微透镜结构。