1.一种形成电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的方法，包括：
在下部金属互连层上方形成底电极；
在所述底电极上形成具有第一厚度的可变电阻的介电数据存储层；
在所述介电数据存储层上形成覆盖层，其中，所述覆盖层具有第二厚度，所述第二厚度比所述第一厚度厚约2倍至约3倍的范围内；
在所述覆盖层上方形成顶电极；以及
在所述顶电极上方形成上部金属互连层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电数据存储层的所述第一厚度在约40埃和约60埃的范围内。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述覆盖层的所述第二厚度在约75埃和约150埃的范围内。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在形成所述介电数据存储层之后实施保留烘烤，其中，在约150℃和约250℃的范围内的温度下实施所述保留烘烤，并且持续时间在约24小时和约100小时的范围内。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电数据存储层包括以下中的一种或多种：
氧化铪钽(HfTaO)、氧化钽铝(TaAlO)、氧化铪硅(HfSiO)和氧化钽硅(TaSiO)。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电数据存储层包括氧化铪铝(HfAlO)。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述介电数据存储层包括：
实施分别形成氧化铪(HfO)层的多个第一原子层沉积(ALD)沉积周期；以及
实施分别在下面的氧化铪(HfO)层上形成氧化铝(AlO)层的多个第二ALD沉积周期。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述HfO层，包括：
实施第一前体气体脉冲并持续第一脉冲时间以将水(H2O)引入处理室内；
从所述处理室排出所述H2O；
实施第二前体气体脉冲并持续第二脉冲时间以将四氯化铪(HfCl4)引入所述处理室内，其中，所述第一脉冲时间大于所述第二脉冲时间；以及
从所述处理室排出所述HfCl4。
9.一种形成电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的方法，包括：
形成底电极；
在所述底电极上方形成具有第一厚度的介电数据存储层；
在形成所述介电数据存储层之后实施保留烘烤；
在所述介电数据存储层上形成覆盖层，其中，所述覆盖层具有第二厚度，所述第二厚度比所述第一厚度厚约2倍至约3倍的范围内；以及
在所述覆盖层上方形成顶电极。
10.一种电阻式随机存取存储器(RRAM)单元，包括：
底电极，设置在下部金属互连层上方；
可变电阻的介电数据存储层，具有第一厚度并且位于所述底电极上方；
覆盖层，位于所述介电数据存储层上，其中，所述覆盖层具有第二厚度，所述第二厚度比所述第一厚度厚约2倍至约3倍的范围内；
顶电极，设置在所述覆盖层上方；以及
上部金属互连层，设置在所述顶电极上。