1.一种静电放电(ESD)结构，包括：
输入焊盘；
第一开关器件，电连接至所述输入焊盘；
第一二极管，其中，所述第一开关器件被配置为将所述第一二极管选择性地连接至所述输入焊盘，并且所述第一二极管被配置为对所述输入焊盘处的静电放电事件提供第一消耗路径；以及
第二二极管，选择性地连接至所述输入焊盘，其中，所述第二二极管被配置为对所述输入焊盘处的所述静电放电事件提供第二消耗路径；
第三二极管，其中，所述第一开关器件被配置为将所述第三二极管选择性地连接至所述输入焊盘。
2.根据权利要求1所述的静电放电结构，还包括：第二开关器件，电连接至所述输入焊盘，其中，所述第二开关器件被配置为将所述第二二极管选择性地连接至所述输入焊盘，并且所述第二开关器件不同于所述第一开关器件。
3.根据权利要求2所述的静电放电结构，还包括：第四二极管，其中，第三开关器件被配置为将所述第四二极管选择性地连接至所述输入焊盘。
4.根据权利要求1所述的静电放电结构，还包括：电压总线，其中，所述第一二极管和所述第二二极管中的至少一个二极管电连接至所述电压总线。
5.根据权利要求1所述的静电放电结构，还包括：
参考电压总线，其中，所述参考电压总线电连接至所述第一二极管；以及
工作电压总线，其中，所述工作电压总线电连接至所述第三二极管。
6.根据权利要求2所述的静电放电结构，其中，所述第二开关器件被配置为将第四二极管选择性地连接至所述输入焊盘。
7.根据权利要求1所述的静电放电结构，其中，所述第一开关器件包括金属熔丝、多晶硅熔丝、互补传输门、p型传输门、n型传输门或LC共振器。
8.根据权利要求1所述的静电放电结构，其中，所述第一二极管的沟道尺寸等于所述第二二极管的沟道尺寸。
9.根据权利要求1所述的静电放电结构，其中，所述第一二极管的沟道尺寸不同于所述第二二极管的沟道尺寸。
10.根据权利要求1所述的静电放电结构，其中，所述第一二极管固定连接至所述第三二极管。
11.根据权利要求1所述的静电放电结构，其中，所述第一二极管具有p型导电性，而所述第三二极管具有n型导电性。
12.一种具有静电放电结构的电路，包括：
功能电路；以及
静电放电(ESD)结构，所述静电放电结构被配置为在静电放电事件期间保护所述功能电路，其中，所述静电放电结构包括：
输入焊盘；
多个第一开关器件，电连接至所述输入焊盘；
多个第一二极管，其中，所述多个第一开关器件中的每一个第一开关器件被配置为将所述多个第一二极管中的至少一个对应的第一二极管选择性地连接至所述输入焊盘；和
至少一个第二二极管，选择性地连接至所述输入焊盘；
所述至少一个第二二极管中的一个第二二极管固定连接至所述多个第一二极管中的第一二极管，以通过所述多个第一开关器件中的第一开关器件将固定连接的第一二极管和第二二极管选择性地连接至所述输入焊盘。
13.根据权利要求12所述的具有静电放电结构的电路，还包括：至少一个第二开关器件，电连接至所述输入焊盘，其中，所述至少一个第二开关器件被配置为将所述至少一个第二二极管中的对应的其他第二二极管选择性地连接至所述输入焊盘，并且所述至少一个第二开关器件与所述多个第一开关器件分离。
14.根据权利要求13所述的具有静电放电结构的电路，其中，所述至少一个第二二极管中的另一个第二二极管连接至所述至少一个第二开关器件。
15.根据权利要求12所述的具有静电放电结构的电路，其中，所述多个第一开关器件中的另一个第一开关器件被配置为将所述多个第一二极管中的不止一个第一二极管选择性地连接至所述输入焊盘。
16.根据权利要求12所述的具有静电放电结构的电路，其中，所述多个第一二极管中的第一二极管的数量等于所述至少一个第二二极管中的第二二极管的数量。
17.根据权利要求12所述的具有静电放电结构的电路，其中，所述多个第一开关器件中的每一个第一开关器件均独立地包括金属熔丝、多晶硅熔丝、互补传输门、p型传输门、n型传输门或LC共振器。
18.根据权利要求12所述的具有静电放电结构的电路，其中，所述多个第一二极管中的一个第一二极管的沟道尺寸不同于所述多个第一二极管中的另一个第一二极管的沟道尺寸。
19.根据权利要求12所述的具有静电放电结构的电路，其中，所述多个第一二极管中的一个第一二极管的沟道尺寸与所述多个第一二极管中的另一个第一二极管的沟道尺寸相同。
20.一种使用静电放电(ESD)结构的方法，其中，所述方法包括：
确定连接至所述静电放电结构的功能电路的性能；以及
基于所述确定的性能选择性地激活所述静电放电结构中的至少一个开关器件，其中，选择性地激活所述至少一个开关器件包括调节所述静电放电结构中的消耗路径的个数，
其中，通过选择性激活所述至少一个开关器件中的第一开关器件，将固定连接的第一二极管和第二二极管选择性地连接至输入焊盘。