技术总结
本发明涉及电子光学排布结构、多电子分束检验系统和方法。该电子光学排布结构提供一次和二次电子束路径，一次束路径用于从一次电子源指向可定位在该排布结构的物面中的物体的一次电子束，二次束路径用于源自物体的二次电子，该结构包括磁体排布结构，其具有：第一磁场区，由一次和二次电子束路径穿过，用于将一次和二次电子束路径相互分开；第二磁场区，布置在第一磁场区的上游的一次电子束路径中，二次电子束路径不穿过第二磁场区，第一和第二磁场区沿基本上相反的方向使一次电子束路径偏转；第三磁场区，布置在第一磁场区的下游的二次电子束路径中，一次电子束路径不穿过第三磁场区，第一和第三磁场区沿基本上相同的方向使二次电子束路径偏转。
技术研发人员：赖纳·克尼佩梅尔;奥利弗·金茨勒;托马斯·克门;海科·米勒;斯特凡·乌勒曼;马克西米利安·海德尔;安东尼奥·卡萨雷斯;史蒂文·罗杰
受保护的技术使用者：卡尔蔡司显微镜有限责任公司;应用材料以色列公司
文档号码：201510512550
技术研发日：2004.09.07
技术公布日：2018.03.27