本申请要求2014年12月31日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2014-0196003以及2015年4月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0061775的优先权，在此援引这些申请的全部内容作为参考。技术领域本发明涉及一种有机发光显示装置，尤其涉及一种包括电压供给线结构的有机发光显示装置，通过减小当有机发光显示装置变大时取决于有机发光显示装置的有源区域位置的、在阳极与阴极之间的电位差的偏差，能够提高有机发光显示装置的亮度均匀性。
背景技术：
随着信息技术时代的发展，用于在视觉上显示电信息信号的显示装置领域得到快速发展。因而，持续对各种平板显示装置的发展技术，如薄形化、轻量化和低功耗进行了研究。平板显示装置的代表例包括液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、场发射显示(FED)装置、电润湿显示(EWD)装置、有机发光显示(OLED)装置等。与液晶显示器不同，有机发光显示装置是不需要单独光源的自发光显示装置，因而能够以轻重量和薄外形制造有机发光显示装置。此外，OLED在功耗方面是有利的，因为其通过低电压进行驱动。此外，有机发光显示装置具有出色的色再现能力、高响应速度、宽视角和高对比度(CR)。因此，OLED作为下一代显示装置引起了人们的注意。有机发光显示装置的有源区域(AA)包括多个子像素。每个子像素包括有机发光二极管(OLED)。每个有机发光二极管包括阳极、有机发光层和阴极。向阳极提供阳极电压ELVDD，并向阴极提供阴极电压ELVSS。如果有机发光显示装置为顶部发光型，则为了将从有机发光层发射的光向上发射，阴极使用透明或半透明电极。为了确保透明度，阴极形成为具有较小的厚度。因此，阴极的电阻变得非常高。为了确保显示装置的可靠性，在包括有机发光层的有机发光元件上形成封装部，封装部配置成保护有机发光层免受在制造工艺过程中可能产生的湿气、物理震动或杂质的影响。在顶部发光有机发光显示装置中，使用玻璃封装部、或具有包括用于延缓湿气渗透的无机封装层和有机层的薄膜封装结构的封装部作为封装部。随着顶部发光有机发光显示装置的尺寸增加，用于提供电压的线的长度也增加。施加给每个子像素的线电阻与线的长度成比例增加。因此，对于每个子像素来说，沿着线传输的电压存在差异。因此，有机发光显示装置的亮度均匀性降低。
技术实现要素：
近年来，需要高密度和高分辨率的有机发光显示装置。此外，为了提高有机发光显示装置的图像质量，需要向有源区域添加各种补偿电路。因此，当在有机发光显示装置中设置用于提供阳极电压ELVDD的阳极线和用于提供阴极电压ELVSS的阴极线时，很难确保线的足够宽度。本发明的发明人对改善图像亮度均匀性(其随着顶部发光有机发光显示装置尺寸增加而恶化)的降低持续进行了各种研究。具体地说，发明人持续对用于减小线电阻问题的阴极线和阳极线的布置结构进行了研究和开发。具体地说，发明人研究了一种即使电压由于线电阻而降低，仍能够提高施加给每个子像素的阳极和阴极之间的电位差的均匀性的新电压供给线布置结构。特别是，发明人注意到这样的事实：随着自电压供给源的线的长度增加，阳极电压ELVDD逐渐降低，而随着自电压供给源的线的长度增加，阴极电压ELVSS逐渐增加。本发明的发明人发明了一种有机发光显示装置，通过优化阳极电压ELVDD供给线的输入方向和阴极电压ELVSS供给线的输入方向，能够提高阳极与阴极之间的电位差的均匀性。因而，本发明的一个目的是提供一种通过设置电压供给线结构而能提高阳极与阴极之间的电位差的均匀性的有机发光显示装置，其中不管子像素的位置如何，因为用于供给阳极电压ELVDD的阳极线的输入方向和用于供给阴极电压ELVSS的阴极线的输入方向彼此相反，电压供给线结构都具有均匀的线电阻。本发明的另一个目的是提供一种包括电压供给线和电压供给焊盘的有机发光显示装置，通过优化电压供给线结构，能够应用于具有透光性的有机发光显示装置。本发明的目的不限于上述目的，上面未提到的其他目的通过下面的描述对于本领域普通技术人员来说将是显而易见的。本发明的再一个目的是提供一种有机发光显示装置，包括：多个子像素结构，分别被优化以用于上述电压供给线结构；以及对应于子像素结构的图像信号补偿单元。本发明的再一个目的是提供一种有机发光显示装置，包括具有透光性的透射单元，被优化以用于上述子像素结构。根据本发明的一个方面，提供了一种有机发光显示装置。所述有机发光显示装置包括：包括阳极和阴极的多个子像素；阳极线，所述阳极线配置成向所述阳极提供阳极电压；和阴极线，所述阴极线配置成向所述阴极提供阴极电压，其中在所述多个子像素的每一个中，所述阳极线的阳极电压输入方向和所述阴极线的阴极电压输入方向彼此不同且彼此面对，以减小所述阳极和所述阴极之间的电位差的偏差。因而，可减小由于线电阻导致的阳极和阴极之间的电位差的偏差从而提高电位差的均匀性。根据本发明的另一个特征，所述有机发光显示装置配置成使得所述阳极线中的阳极电压沿着所述阳极电压输入方向逐渐降低，所述有机发光显示装置配置成使得所述阴极线中的阴极电压沿着所述阴极电压输入方向逐渐增加，且所述阳极线中的阳极电压基于距离的降低程度以及所述阴极线中的阴极电压基于距离的增加程度分别是通过所述阳极线的线电阻和所述阴极线的线电阻来设定的。根据本发明的又一个特征，所述有机发光显示装置配置成通过所述阳极线中降低的阳极电压抵消所述阴极线中增加的阴极电压，来补偿所述多个子像素中的阳极和阴极之间的电位差的偏差。根据本发明的又一个特征，所述阳极线的线电阻和所述阴极线的线电阻具有小于10％的差异。根据本发明的又一个特征，所述有机发光显示装置还包括：包括所述多个子像素的有源区域；和配置成包围所述有源区域的外围区域，其中所述阳极线从所述外围区域的一个边缘延伸到与所述一个边缘相对的另一个边缘，以与所述多个子像素连接，且其中所述阴极线从所述外围区域的所述另一个边缘延伸到与所述另一个边缘相对的所述一个边缘，以与所述多个子像素连接。根据本发明的又一个特征，所述阳极线和所述阴极线包括单向输入线，且所述阳极线和所述阴极线在所述有源区域的尽头处短路。根据本发明的又一个特征，所述阳极线和所述阴极线形成为梳状，且所述阳极线和所述阴极线配置成使得多个梳齿线部分在所述有源区域中设置成彼此交错。根据本发明的另一个方面，提供一种有机发光显示装置，包括：包括多个子像素的有源区域；配置成包围所述有源区域的外围区域；阳极线，所述阳极线从所述外围区域的第一边缘设置并向着与所述第一边缘相对的第二边缘延伸，使得从所述外围区域的第一边缘向着所述第二边缘向所述有源区域提供阳极电压；和阴极线，所述阴极线从所述外围区域的第二边缘设置并向着所述第一边缘延伸，使得从所述外围区域的第二边缘向着所述第一边缘向所述有源区域提供阴极电压。因此，可减小由于线电阻导致的阳极和阴极之间的电位差的偏差从而提高电位差的均匀性。根据本发明的另一个特征，所述多个子像素的每一个包括：驱动晶体管，所述驱动晶体管包括有源层、栅极电极、源极电极和漏极电极；数据线，所述数据线配置成向所述驱动晶体管施加图像信号；和有机发光二极管，所述有机发光二极管由所述驱动晶体管驱动并包括阳极、有机发光层和阴极，其中所述数据线与所述驱动晶体管的栅极电极电连接，所述阳极线与所述驱动晶体管的漏极电极电连接，且所述阴极线与所述有机发光二极管的阴极电连接。根据本发明的又一个特征，经由所述数据线施加给所述驱动晶体管的图像信号是根据所述多个子像素的每一个的阴极中的阴极电压的增量进行修改以补偿电压Vgs的图像信号。根据本发明的又一个特征，所述图像信号可与所述阴极电压的增量成比例地被补偿。根据本发明的又一个特征，所述多个子像素还包括用于提供透光性的光透射部。根据本发明的又一个特征，所述有机发光显示装置还包括：至少一个电路板，其中所述至少一个电路板设置成不与所述有源区域的后表面重叠。根据本发明的又一个特征，所述阳极线和所述阴极线之一配置成围绕所述外围区域，且所述阳极线和所述阴极线配置成从所述外围区域的同一个边缘接收电压。根据本发明的又一个特征，所述有机发光显示装置还包括：跳线，其中所述阳极线和所述阴极线由相同的材料形成，所述阳极线和所述阴极线之一在所述外围区域中被分割为至少两部分，且被分割为至少两部分的线通过所述跳线连接。根据本发明的又一个特征，所述阴极线包括至少两个金属层，且所述至少两个金属层经由接触孔彼此连接。在本发明的详细说明书和附图中将包含其他示例性实施方式的细节。因为用于提供阳极电压ELVDD的阳极线的输入方向和用于提供阴极电压ELVSS的阴极线的输入方向彼此相反，所以本发明具有提高有机发光显示装置的亮度均匀性的效果。此外，因为阳极线的单位线电阻和阴极线的单位线电阻设为彼此大致相等，所以本发明具有提高有机发光显示装置的亮度均匀性的效果。此外，因为各种电路板仅设置在有机发光显示面板的外围区域的第一侧表面处且单条电压供给线经由外围区域从第一侧表面延伸到第三侧表面，所以本发明具有提供能够应用于具有透光性的有机发光显示装置的电压供给线结构的效果。此外，本发明具有通过图像信号补偿单元进一步提高亮度均匀性的效果。本发明的效果不限于前述效果，其他各种效果包含在本说明书中。附图说明从结合附图的随后详细描述中将更清楚地理解本发明的上述和其他的方面、特征和其他优点，其中：图1A是根据本发明一示例性实施方式的有机发光显示装置的示意性平面图；图1B是用于描述位于根据本发明示例性实施方式的有机发光显示装置后表面处的电路板的布置位置的示意性平面图；图1C是根据本发明示例性实施方式的有机发光显示装置的子像素的示意性剖面图；图1D是用于描述根据本发明示例性实施方式的有机发光显示装置中的每个子像素的电阻值的示意性等效电路图；图1E是用于描述根据本发明示例性实施方式的有机发光显示装置中的每个子像素的阳极和阴极之间的电位差的示意性图表；图1F是用于描述根据比较例1的有机发光显示装置中的每个子像素的电阻值的示意性等效电路图；图1G是用于描述根据比较例1的有机发光显示装置中的每个子像素的阳极和阴极之间的电位差的示意性图表；图1H是用于描述根据比较例2的有机发光显示装置中的每个子像素的电阻值的示意性等效电路图；图1I是用于描述根据比较例2的有机发光显示装置中的每个子像素的阳极和阴极之间的电位差的示意性图表；图2是根据本发明另一示例性实施方式的有机发光显示装置的示意性平面图；图3是根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示装置的示意性平面图；图4A是根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示装置的示意性平面图；图4B是图4A中所示的根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示装置的子像素的示意性剖面图；图5A是根据本发明再一示例性实施方式的包括图像信号补偿单元的有机发光显示装置的示意性平面图；图5B是用于描述在根据本发明再一示例性实施方式的被提供补偿后图像信号的有机发光显示装置中的每个子像素的电阻值的示意性等效电路图；图5C是用于描述在根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示装置中的每个子像素的阳极和阴极之间的电位差、以及补偿后图像信号的示意性图表；图6A是根据本发明再一示例性实施方式的包括数据驱动器IC的有机发光显示装置的示意性平面图；图6B是用于描述在根据本发明再一示例性实施方式的被提供补偿后图像信号的有机发光显示装置中的每个改型子像素的电阻值的示意性等效电路图；以及图6C是用于描述在根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示装置中的每个改型子像素的阳极和阴极之间的电位差、以及补偿后图像信号的示意性图表。具体实施方式通过下面参照附图描述的示例性实施方式将更加清楚地理解本发明的优点和特征以及其实现方法。然而，本发明不限于下列示例性实施方式，而是可以以不同的形式实施。提供这些示例性实施方式仅是为了使本发明的公开完整，并将本发明的范畴充分地提供给本发明所属领域的普通技术人员，本发明将由所附权利要求书限定。为了描述本发明的示例性实施方式而在附图中显示出的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅仅是示例，本发明并不限于此。在整个说明书中相似的参考标记一般表示相似的元件。此外，在下面的描述中，可能省略对已知相关技术的详细解释，以避免不必要地使本发明的主题模糊不清。在此使用的诸如“包括”、“具有”和“包含”之类的术语一般意在允许添加其他组件，除非该术语使用了“仅”。即使没有明确说明，分量仍被解释为包含通常的误差范围。当使用诸如“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……之后”之类的术语描述两部分之间的位置关系时，可在这两个部分之间设置一个或多个部分，除非这些术语使用了“紧接”或“直接”。当元件或层被称为位于其他元件或层“上”时，其可直接位于该其他元件或层上，或者可存在中间元件或层。尽管使用了术语“第一”、“第二”等描述各种组件，但这些组件不受这些术语限制。这些术语仅仅是用于区分一个组件与其他组件。因此，在本发明的技术构思内，下面提到的第一组件可以是第二组件。在整个说明书中，相同的参考标记表示相同的元件。因为为了便于解释而呈现出附图中所示的每个组件的尺寸和厚度，所以本发明不必限于所示出的每个组件的尺寸和厚度。本发明各实施方式的特征能够彼此部分或整体地结合或组合，且能够以本领域普通技术人员能够充分理解的各种技术方式进行互锁和操作，且这些实施方式能够独立地或彼此相关联地实施。下文，将参照附图详细描述本发明的各示例性实施方式。图1A和图1B是根据本发明一示例性实施方式的有机发光显示装置的示意性平面图。参照图1A和1B，根据本发明一示例性实施方式的有机发光显示装置100包括有机发光显示面板110、数据电路板140、控制电路板142、第一柔性电路板144、第二柔性电路板146、以及柔性电缆148。控制电路板142通过柔性电缆148与数据电路板140电连接。数据电路板140经由第一柔性电路板144和第二柔性电路板146与有机发光显示面板110电连接。1、有机发光显示面板有机发光显示面板110包括有源区域AA和外围区域PA。在有机发光显示面板110的有源区域AA中，设置有包括白色子像素、红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的多个子像素112、多条栅极线116、多条数据线120、多条第二阳极线130b、以及多条第二阴极线134b，以使有源区域AA配置为显示图像。有机发光显示面板110的外围区域PA配置成包围有源区域AA。在外围区域PA中，设置有驱动有源区域AA的多个子像素112的各种线和电路。在外围区域PA中，设置有第一阳极线130a、第一阴极线134a、以及多个焊盘，并能够进一步设置另外的电路组件。例如，可通过接合部件在多个焊盘上接合柔性印刷电路板(FPCB)、柔性电缆、半导体芯片等。能够与多个焊盘连接的线的示例可包括多条栅极线116、多条数据线120、第一阳极线130a、第一阴极线134a等。2、控制电路板控制电路板142执行从外部系统接收数字图像信号、各种基准电压和各种控制信号并控制有机发光显示面板110在有机发光显示面板110上显示图像的功能。为了执行上述功能，控制电路板142可具有其中在印刷电路板(PCB)上设置诸如处理器、存储器、查找表、缓存器、伽马控制电路、LVDS(低压差分信号)线、连接器和电源控制单元之类的电路组件的构造，但可并不限于此。控制电路板142精确地控制图像信号、控制信号的时间间隔和频率周期等，从而将数字图像信号显示在有机发光显示面板110上。在设置于控制电路板142上的电路组件中，能够实现用于各种图像质量或低功耗的各种图像处理算法等。从外部系统输入到控制电路板142的数字图像信号为包括RGB(红色、绿色、蓝色)三原色的图像信号。根据本发明示例性实施方式的有机发光显示面板110包括白色、红色、绿色和蓝色子像素112，因而，在设置于控制电路板142上的电路组件中，可实现能够将RGB图像信号转换为WRGB(白色、红色、绿色、蓝色)图像信号的渲染算法(renderingalgorithm)。从控制电路板142输出的数字图像信号为WRGB图像信号，但并不限于此。然而，为了便于解释，之后将详细描述上述各种控制信号之中的仅与本发明有关的控制信号。从控制电路板142输出的各种基准电压可包括阳极电压ELVDD、阴极电压ELVSS、伽马基准电压、初始电压(Vinit)、栅极高电压(VGH)、栅极低电压(VGL)、外部补偿基准电压(Vref)等，但并不限于此。然而，为了便于解释，之后将详细描述上述各种基准电压之中的仅与本发明有关的基准电压。阳极电压ELVDD是指施加给有机发光显示面板110的有源区域AA中的阳极电极的电压。阴极电压ELVSS是指施加给有机发光显示面板110的有源区域AA中的阴极电极的电压。当在数据驱动器IC118中将数字图像信号转换为模拟图像信号时使用伽马基准电压。初始电压通过将存储于有源区域AA中的子像素112的电容器中的前一图像帧的图像信号放电，抑制图像的黑色灰度级的畸变。栅极高电压和栅极低电压将栅极驱动器IC开启和关断。外部补偿基准电压补偿子像素112的驱动晶体管DTR的阈值电压(Vth)差异。在上述基准电压之中，阳极电压ELVDD、阴极电压ELVSS和伽马基准电压是可能直接影响有机发光显示面板110的图像质量的重要基准电压，因而需要均匀且稳定地提供给有机发光显示面板。然而，这不应解释为其他电压不直接影响图像质量。从控制电路板142输出的各种控制信号可包括栅极起始脉冲(GSP)、栅极输出使能信号(GOE)、点时钟等，但可并不限于此。然而，为了便于解释，之后将详细描述上述各种控制信号之中的仅与本发明有关的控制信号。在一些示例性实施方式中，有机发光显示面板可包括红色、绿色、蓝色和绿色子像素。因此，在设置于控制电路板上的电路组件中，可实现能够将RGB图像信号转换为RGBG(红色、绿色、蓝色、绿色)图像信号的渲染算法。在一些示例性实施方式中，有机发光显示面板可包括红色、绿色、蓝色和黄色子像素。因此，在设置于控制电路板上的电路组件中，可实现能够将RGB图像信号转换为RGBY(红色、绿色、蓝色、黄色)图像信号的渲染算法。在一些示例性实施方式中，有机发光显示面板可包括红色、绿色和蓝色子像素。3、柔性电缆柔性电缆148将控制电路板142与数据电路板140电连接。柔性电缆148将从控制电路板142输出的数字图像信号、各种基准电压和各种控制信号传输给数据电路板140。柔性电缆148的一侧与设置于控制电路板142上的连接器连接，其另一侧与设置于数据电路板140上的连接器连接。然而，柔性电缆和连接器仅仅是用于电连接的部件，本发明可并不限于此。参照图1A和图1B，在控制电路板142上设置有四个连接器，每个连接器与每个柔性电缆148连接。根据这种构造，控制电路板142可基于Y轴向有机发光显示面板110的上侧表面(第一侧表面)和下侧表面(第三侧表面)提供各种信号。在此，第一侧表面可定义为上侧表面，第二侧表面可定义为左侧表面，第三侧表面可定义为下侧表面，第四侧表面可定义为右侧表面。4、数据电路板数据电路板140接收从控制电路板142输出的数字图像信号、各种基准电压和各种控制信号并且经由第一柔性电路板144和第二柔性电路板146将上述信号和电压传输给有机发光显示面板110。为了执行上述功能，数据电路板140包括设置于印刷电路板(PCB)上的各种电路组件。例如，为了稳定作为用于产生数据驱动器IC118的模拟图像信号的基础的伽马基准电压，数据电路板140可配置成包括诸如电阻器和电容器之类的无源组件。此外，为了将阳极电压ELVDD、阴极电压ELVSS和伽马基准电压的压降最小化，数据电路板140可配置成使数据电路板140的线电阻最小化。参照图1A和图1B，在Y轴方向上设置在有机发光显示面板110的下侧表面(或第三侧表面)上的数据电路板140不包括数据驱动器IC118，因而不包括用于稳定伽马基准电压的任何无源组件。在一些示例性实施方式中，控制电路板和数据电路板可组合为单个电路板。在此情形中，不需要柔性电缆，因而可去除柔性电缆。5、数据驱动器IC数据驱动器IC118用作DAC(数字-模拟转换器)，DAC将数字图像信号转换为模拟图像信号，从而向与数据驱动器IC118连接的有机发光显示面板110的有源区域AA中的数据线120提供模拟图像信号。数据驱动器IC118由半导体芯片形成并根据COF(膜上芯片)接合方法通过接合部件接合在第一柔性电路板144上。半导体芯片形式的数据驱动器IC118具有预定数量的可控制数据线或通道，数据驱动器IC118的数量可由有机发光显示面板110的数据线120的数量以及数据驱动器IC118的通道的数量确定。然而，数据驱动器IC118的数量可不限于此。为了在子像素112上显示图像信号的灰度级，数据驱动器IC118使用伽马基准电压将从控制电路板142传输的数字图像信号转换为模拟图像信号。从数据电路板140向数据驱动器IC118提供伽马基准电压。使用伽马基准电压产生模拟图像信号。优选地，图像信号具有伽马值为2.2的伽马曲线，但可并不限于此。子像素112包括红色、绿色和蓝色滤色器以及发射白色光的有机发光层。特别是，根据此构造，不管子像素的颜色如何，有机发光层都是相同的，因而子像素112可配置成使得各个颜色的伽马曲线是相同的，但可并不限于此。子像素112可配置成对于每个颜色来说具有独立的伽马曲线。各向异性导电膜(ACF)用作接合部件。特别是，有机发光显示面板110易受高温影响，所以很难对其进行一般的焊接。因而，理想的是使用各向异性导电膜。在各向异性导电膜中，分散有导电粒子，导电粒子通过热量和压力彼此接合。在此，各向异性导电膜的膜层在多个焊盘与半导体芯片之间保持粘合强度，分散的导电粒子在接合区域处将多个焊盘与半导体芯片电连接。然而，接合部件可不限于此。在一些示例性实施方式中，有机发光显示面板的多个子像素可形成为包括分别配置为发射红色光、绿色光和蓝色光的红色、绿色和蓝色有机发光层。在此，可去除滤色器。如果有机发光层彼此不同，则有机发光层的电特性彼此不同。因而，需要对每个子像素的每个颜色不同地设置伽马电压。6、第一柔性电路板第一柔性电路板144包括数据驱动器IC118且将数据电路板140与有机发光显示面板110电连接。第一柔性电路板144的一个侧表面接合到有机发光显示面板110，其另一个侧表面接合到数据电路板140的一侧。数据驱动器IC118接合到第一柔性电路板144的中央区域。第一柔性电路板144包括位于所述一个侧表面上的多个焊盘、位于所述另一个侧表面上的多个焊盘、以及位于中央区域上的多个焊盘。就是说，第一柔性电路板144具有其中半导体芯片设置在膜上的COF(膜上芯片)形状。在多个焊盘上设置有接合部件。作为接合部件，使用各向异性导电膜。然而，接合部件可并不限于此。7、第二柔性电路板第二柔性电路板146将数据电路板140与有机发光显示面板110电连接，且向有机发光显示面板110提供至少一个基准电压。第二柔性电路板146的一个侧表面接合到有机发光显示面板110，其另一个侧表面接合到数据电路板140的一个侧表面。第二柔性电路板146包括位于所述一个侧表面上的多个焊盘以及位于所述另一个侧表面上的多个焊盘。就是说，第二柔性电路板146具有其中电线形成在膜上的FOG(玻璃上膜)形状。在多个焊盘上设置有接合部件。作为接合部件，使用各向异性导电膜。然而，接合部件可并不限于此。具体地说，第二柔性电路板146从数据电路板140接收阳极电压ELVDD或阴极电压ELVSS并将电压提供给设置于有机发光显示面板110的有源区域AA中的多个子像素112。为了提高有机发光显示面板110的亮度均匀性，阳极电压ELVDD和阴极电压ELVSS需要稳定。因此，为了使第二柔性电路板146的电压供给线的线电阻最小化，电压供给线形成为具有足够大的总宽度。在此，电压供给线可实现为分割成多条窄线。如果在有源区域AA中线电阻较高且阳极电压ELVDD和阴极电压ELVSS之间的电位差不均匀，则在每个有源区域AA中有机发光显示面板110上显示的图像的亮度不同。为了解决此问题，可在有机发光显示面板110的外围区域PA中设置多个第二柔性电路板146。在此，优选地，第二柔性电路板146可彼此分开预定间隙。根据上述构造，可分散能够流经每个柔性电路板的电流容量(currentcapacity)，因而有利于减小由过电流导致的发热或烧毁。在一些示例性实施方式中，数据驱动器IC可根据COG(玻璃上芯片)接合方法接合在设置于有机发光显示面板的外围区域PA中的多个焊盘上。在此，第一柔性电路板不包括位于中央区域上的多个焊盘，第一柔性电路板将数据电路板与有机发光显示面板电连接并将从数据电路板传输的图像信号传输给数据驱动器IC。如果数据驱动器IC以COG(玻璃上芯片)形状设置，则数据驱动器IC不需要设置在第一柔性电路板上。因而，第一柔性电路板可具有FOG形状。在一些示例性实施方式中，第一柔性电路板和第二柔性电路板二者可配置成从数据电路板接收阳极电压ELVDD和阴极电压ELVSS。在此，第一柔性电路板包括数据驱动器IC。如果第一柔性电路板和第二柔性电路板二者配置成接收阳极电压ELVDD和阴极电压ELVSS，则可更均匀地分散能够流经每个柔性电路板的电流容量，因而进一步有利于减小由过电流导致的发热或烧毁。在一些示例性实施方式中，第一柔性电路板和第二柔性电路板可沿有机发光显示面板110的上侧表面(第一侧表面)交替设置。交替设置的柔性电路板能缓解流到具体柔性电路板的过电流的问题。在一些示例性实施方式中，可设置其中第一柔性电路板和第二柔性电路板组合在一起的组合柔性电路板。就是说，如果必要的话，第一柔性电路板和第二柔性电路板可以以各种形式组合或分离。8、栅极驱动器IC栅极驱动器IC114向与有机发光显示面板110的多个子像素112连接的多条栅极线116提供栅极线驱动信号。控制电路板142产生用于驱动栅极驱动器IC114的驱动信号并将驱动信号提供给栅极驱动器IC114。栅极驱动器IC114设置在有机发光显示面板110的外围区域PA中。具体地说，栅极驱动器IC114设置在有机发光显示面板110的两个侧表面(第二侧表面和第四侧表面)上。特别是，根据此构造，两个侧表面(第二侧表面和第四侧表面)能施加栅极线驱动信号，因而具有在栅极线116长度增加的大尺寸有机发光显示面板中缓解栅极线驱动信号的质量下降的效果。栅极驱动器IC114由半导体芯片形成并通过COG(玻璃上芯片)接合方法接合在设置于有机发光显示面板110的外围区域PA中的多个焊盘上。半导体芯片形式的栅极驱动器IC114具有预定数量的可控栅极线或通道，栅极驱动器IC114的数量可由有机发光显示面板110的栅极线116的数量以及栅极驱动器IC114的通道的数量确定。然而，栅极驱动器IC114的数量可不限于此。各向异性导电膜可用作接合部件。然而，接合部件可不限于此。9、子像素参照图1C，有源区域AA中的子像素112至少包括第一基板160、设置在第一基板160上的驱动晶体管162、由驱动晶体管162驱动的有机发光二极管164、第二阳极线130b、以及第二阴极线134b。第一基板160由适于沉积半导体层、金属层、有机薄膜、无机薄膜等的材料形成。例如，玻璃或诸如具有出色耐热和耐化学特性的聚酰亚胺之类的塑料可用于第一基板160。根据本发明一示例性实施方式的驱动晶体管162具有N型结构。根据本发明一示例性实施方式的驱动晶体管162具有共面结构。驱动晶体管162包括有源层168、栅极电极170、源极电极172和漏极电极174。有源层168设置在第一基板160上。有源层168由具有半导体特性的材料形成。例如，非晶硅、低温多晶硅、氧化物物质、有机物质等可用于有源层168。然而，本发明可并不限于此。在有源层168上设置有栅极绝缘膜176。栅极绝缘膜176配置成覆盖有源层168。栅极绝缘膜176由无机物质形成。例如，硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、氧化铝(Al2O3)等可用于栅极绝缘膜176。然而，本发明可并不限于此。栅极电极170设置在栅极绝缘膜176上。此外，栅极电极170配置成与有源层168的至少部分区域重叠。栅极电极170由金属形成。栅极电极170可由与栅极线116相同的材料形成。例如，铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、钛(Ti)、金(Au)、透明导电氧化物(TCO)、它们的叠层等可用于栅极电极170。然而，本发明可并不限于此。在栅极电极170上设置有层间绝缘膜178。层间绝缘膜178配置成覆盖栅极电极178。层间绝缘膜178由无机物质形成。例如，硅氧化物、硅氮化物、氧化铝等可用于层间绝缘膜178。或者，层间绝缘膜178可具有由硅氧化物和硅氮化物形成的双层结构。然而，本发明可并不限于此。源极电极172和漏极电极174设置在层间绝缘膜178上。源极电极172和漏极电极174配置成与有源层168电连接。具体地说，源极电极172通过穿过栅极绝缘膜176和层间绝缘膜178的第一接触孔178a与有源层168的一端连接。此外，漏极电极174通过穿过栅极绝缘膜176和层间绝缘膜178的第一接触孔178b与有源层168的另一端连接。源极电极172和漏极电极174由金属形成。源极电极172和漏极电极174可由与数据线120相同的材料形成。例如，铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、钛(Ti)、金(Au)、透明导电氧化物(TCO)、它们的叠层等可用于源极电极172和漏极电极174。然而，本发明可并不限于此。第二阳极线130b设置在层间绝缘膜178上。第二阳极线130b向有源区域AA提供阳极电压ELVDD。具体地说，第二阳极线130b配置成与驱动晶体管162的漏极电极174电连接。第二阳极线130b与设置于外围区域PA中的第一阳极线130a电连接，由此组成阳极线130。根据上述构造，阳极电压ELVDD经由阳极线130提供给驱动晶体管162。第二阳极线130b可由与数据线120相同的材料形成。然而，本发明可并不限于此。在驱动晶体管162上设置有晶体管绝缘膜180。晶体管绝缘膜180由无机物质形成。例如，硅氧化物、硅氮化物、氧化铝等可用于晶体管绝缘膜180。然而，本发明可并不限于此。晶体管绝缘膜180可附加地抑制湿气渗入到驱动晶体管162中。在晶体管绝缘膜180上设置有有机层182。有机层182由具有低介电常数(ε)的有机物质形成。因此，有机层182能够减小阳极184与驱动晶体管162之间以及栅极线116与数据线120之间产生的寄生电容。例如，光学亚克力等可用于有机层182。然而，本发明可并不限于此。此外，有机层182可将由驱动晶体管162的各个组件形成的台阶部平坦化。有机发光二极管164包括阳极184、阴极190、以及夹在它们之间的有机发光层188。可通过堤部186限定有机发光层188的发光区域。阳极184设置在有机层182上。阳极184配置成对应于每个子像素112的发光区域。第二接触孔182a配置成穿透有机层182和晶体管绝缘膜180。因此，阳极184经由第二接触孔182a与驱动晶体管162的源极电极172连接。阳极184由具有高功函数的材料形成。阳极184可由反射材料形成，从而具有反射性，或者可在其下部包括反射板。为了便于解释，将描述包括反射板的阳极184。反射板由对于可见光具有高反射率的金属材料形成。例如，银(Ag)或诸如APC之类的合金可用于阳极184。然而，本发明可并不限于此。通过驱动晶体管162向阳极184施加对应于图像信号的电流。堤部186设置在有机层182上。堤部186配置成包围每个子像素112。堤部186配置成具有锥形形状。堤部186配置成与阳极184的至少一部分边缘重叠。堤部186由有机物质形成。例如，光学亚克力、聚酰亚胺等可用于堤部186。然而，本发明可并不限于此。有机发光层188设置在阳极184上。有机发光层188配置成整体沉积在有源区域AA中。有机发光层188可由磷光或荧光材料形成，并可进一步包括电子传输层、空穴传输层、电荷生成层等。阴极190设置在有机发光层188上。阴极190由具有低功函数的金属材料或具有非常小厚度的透明导电氧化物(TCO)形成。阴极190形成为具有或更小，优选或更小的厚度。如果阴极190形成为具有这种厚度，则阴极190基本变为半透射透明层。然而，这种阴极190具有较高的电阻。因此，阴极190配置成与和其相邻的第二阴极线134b电连接。分隔壁192设置成与子像素112相邻。分隔壁192形成为倒锥形。倒锥形是指其中随着分隔壁192向上离开基板101，分隔壁192的宽度增加的形状。分隔壁192设置在堤部186的开口部内。这种开口部可称为“接触区域C/A”。分隔壁192的底表面与第二阴极线134b的部分区域接触，分隔壁192的顶表面的面积大于分隔壁192的底表面的面积。因此，形成了由于分隔壁192的倒锥形而被遮蔽的分隔壁192的下部。分隔壁192配置成比堤部186厚。如果分隔壁192比堤部186厚，则更容易将分隔壁192形成为倒锥形。一般来说，有机发光层由具有低台阶覆盖性的材料形成。由于有机发光层的台阶覆盖性，有机发光层没有沉积在由于分隔壁192的倒锥形而被遮蔽的部分以及分隔壁192的侧表面上，有机发光层沉积在分隔壁192的顶表面和堤部186的顶表面上。因此，能够在分隔壁192的侧表面与堤部186的侧表面之间确保第二阴极线134b和阴极190能够电连接的物理空间。此外，有机发光层的残留物188a残留在分隔壁192上。阴极190在接触区域C/A中可与暴露在分隔壁192的侧表面与堤部186的侧表面之间的第二阴极线134b的顶表面直接接触。因为组成阴极190的透明导电氧化物具有较高的台阶覆盖性，所以阴极190能够与暴露在分隔壁192的侧表面与堤部186的侧表面之间的第二阴极线134b接触。因而，阴极190和第二阴极线134b彼此电连接。在一些示例性实施方式中，可在第一基板160与驱动晶体管162之间进一步设置由硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)形成的多重缓冲层。因为设置了多重缓冲层，所以可保护驱动晶体管162免受第一基板160上的杂质等的影响，并还可保护驱动晶体管162免受湿气和氧气的影响。在一些示例性实施方式中，驱动晶体管162可具有反交错结构。在一些示例性实施方式中，驱动晶体管162可配置成具有P型结构。在此情形中，驱动晶体管162的漏极电极174和源极电极172的位置颠倒。此外，电容器的位置也相应改变。在一些示例性实施方式中，可去除晶体管绝缘膜180。在一些示例性实施方式中，可在设置有阳极184的区域中的有机层182上附加形成用于提高光提取效率的透镜。在一些示例性实施方式中，可在堤部186上进一步设置衬垫料。衬垫料可由与堤部186相同的材料形成。在一些示例性实施方式中，间隔壁可设置在堤部上。在此情形中，可在接触区域的中央部上进一步设置岛状堤部，并可在岛状堤部上设置分隔壁。在一些示例性实施方式中，可去除分隔壁。在此情形中，有机发光层可配置成不是整体沉积，并通过掩模将对应于接触区域的区域图案化。10、第一阳极线再次参照图1A，阳极线130包括第一阳极线130a和第二阳极线130b。阳极线130形成为梳状。阳极线130的第一阳极线130a沿有机发光显示面板110的外围区域PA中的上侧表面(第一侧表面)设置。例如，第一阳极线130a沿作为有机发光显示面板110的主侧表面方向的X轴方向设置。第一阳极线130a被提供来自第二柔性电路板146的阳极电压ELVDD并将阳极电压ELVDD提供给第二阳极线130b。第一阳极线130a包括其中一部分接合到第二柔性电路板146的焊盘延伸部。第一阳极线130a的焊盘延伸部通过接合部件，即各向异性导电膜接合到第二柔性电路板146。然而，接合部件可并不限于此。为了将线电阻最小化，第一阳极线130a配置成具有比设置于有源区域AA中的各种线相对大的宽度。例如，第一阳极线130a的宽度L1可为1mm到3mm。因此，取决于距离的线电阻差异可忽略。根据上述构造，当有机发光显示面板110的尺寸增加时，能够将由于第一阳极线130a的线电阻而导致的压降最小化。第一阳极线130a的线电阻相对非常低，因而之后将省略其解释。然而，这并不意味着第一阳极线130a的电阻为0Ω。可通过使用从组成有机发光显示面板110的子像素112的各种线选出的一些线来形成第一阳极线130a。例如，第一阳极线130a可由铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、钛(Ti)、金(Au)、透明导电氧化物(TCO)或它们的叠层形成。第一阳极线130a由与数据线120相同的材料形成。尽管图1A中未详细示出，但数据线120由与第一阳极线130a相同的材料形成，因而它们不能设置于同一平面上。如果它们设置于同一平面上，则会发生电短路。因此，在数据线120与第一阳极线130a重叠的区域中，形成使用单独金属层的跳线。例如，在第一阳极线130a与数据线120重叠的区域中的跳线可由与栅极线116相同的材料形成。此外，跳线可配置成通过绝缘层电绝缘。例如可使用层间绝缘膜、栅极绝缘膜等构成绝缘层。将详细描述线电阻RLine。每条线由独特的导电材料形成。每个导电材料具有电阻率ρ。此外，线电阻RLine由电阻率ρ、线的长度L、线的厚度T、以及线的宽度W确定。能通过等式1计算线电阻。[等式1]线电阻＝长度×电阻率ρ/厚度×宽度11、第一阴极线阴极线134包括第一阴极线134a和第二阴极线134b。阴极线134形成为梳状。阴极线134的第一阴极线134a沿有机发光显示面板110的外围区域PA中的与上侧表面(第一侧表面)相对的下侧表面(第三侧表面)设置。例如，第一阴极线134a沿作为有机发光显示面板110的主侧表面方向的X轴方向设置。在此，优选地，第一阴极线134a和第一阳极线130a可设置成彼此平行。第一阴极线134a被提供来自第二柔性电路板146的阴极电压ELVSS并将阴极电压ELVSS提供给多条第二阴极线134b。第一阴极线134a包括其中一部分接合到第二柔性电路板146的焊盘延伸部。第一阴极线134a的焊盘延伸部通过接合部件，即各向异性导电膜接合到第二柔性电路板146。然而，接合部件可并不限于此。为了将线电阻最小化，第一阴极线134a配置成具有比设置于有源区域AA中的各种线相对大的宽度。例如，第一阴极线134a的宽度L3可为1mm到4mm。因此，取决于距离的线电阻差异可忽略。第一阴极线134a的线电阻相对非常低，因而之后将省略其解释。然而，这并不意味着第一阴极线134a的电阻为0Ω。根据上述构造，当有机发光显示面板110的尺寸增加时，能够将由于第一阴极线134a的线电阻而导致的压降最小化。之后，将省略线电阻的多余描述。可通过使用从组成有机发光显示面板110的子像素112的各种线选出的一些线来形成第一阴极线134a。例如，第一阴极线134a可由铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、钛(Ti)、金(Au)、透明导电氧化物(TCO)或它们的叠层形成。第一阴极线134a由与阳极184相同的材料形成。或者，第一阴极线134a可由与阳极184的反射层相同的材料形成。12、第二阳极线阳极线130的多条第二阳极线130b是指与第一阳极线130a电连接并延伸到有源区域AA的多条线。例如，多条第二阳极线130b配置成在与第一阳极线130a垂直的Y轴方向上延伸。就是说，多条第二阳极线130b从第一侧表面延伸到第三侧表面。换句话说，多条第二阳极线130b从外围区域PA的一个边缘延伸到外围区域PA的与此边缘相对的另一个边缘，从而与多个子像素112连接。第二阳极线130b可由与第一阳极线130a的材料相同或不同的材料形成。此外，第一阳极线130a和第二阳极线130b可形成为具有到的厚度。多条第二阳极线130b与第一阳极线130a连接并在有源区域AA中在Y轴方向上延伸，且之后在有源区域AA的尽头处短路。就是说，第二阳极线130b是单向(one-way)输入线。优选地，第一阳极线130a可由与数据线120相同的材料形成。特别是，根据上述构造，第二阳极线130b和数据线120可在Y轴方向上设置为彼此平行。然而，本发明可并不限于此。参照图1A，数据线120和第二阳极线130b彼此分开预定间隙并沿Y轴方向设置。第二阳极线130b配置成具有比第一阳极线130a小得多的宽度。例如，第二阳极线130b的宽度L2可为10μm到100μm，第二阳极线130b的线电阻取决于距离的差异是值得考虑的。这是因为有源区域AA中的子像素112的集成度增加，因而允许第二阳极线130b的宽度增加的区域实际上有限。因此，第二阳极线130b的每单位长度的线电阻大于第一阳极线130a的每单位长度的线电阻。就是说，第二阳极线130b的线电阻比第一阳极线130a的线电阻大得多。13、第二阴极线阴极线的多条第二阴极线134b与第一阴极线134a电连接并延伸到有源区域AA。多条第二阴极线134b向有源区域AA提供阴极电压ELVSS。例如，第二阴极线134b配置成在与第一阴极线134a垂直的Y轴方向上延伸。在此，第二阴极线134b的输入方向和第二阳极线130b的输入方向彼此相反。就是说，第二阳极线130b的电压输入方向和第二阴极线134b的电压输入方向彼此不同且彼此面对。因此，多条第二阴极线134b从第三侧表面延伸到第一侧表面。换句话说，多条第二阴极线134b从外围区域PA的另一个边缘延伸到外围区域PA的与此边缘相对的一个边缘，从而与多个子像素112连接。第二阴极线134b可由与第一阴极线134a的材料相同或不同的材料形成。此外，第一阴极线134a和第二阴极线134b可形成为具有到的厚度。与第一阴极线134a电连接的第二阴极线134b在与第二阳极线130b相反的方向上延伸，从而与每个子像素112的有机发光二极管的阴极电连接。第二阴极线134b与第一阴极线134a连接并在有源区域AA中在Y轴方向上延伸，且之后在有源区域AA的尽头处短路。就是说，第二阴极线134b是单向输入线。根据上述构造，第二阳极线130b和第二阴极线134b在相反的方向上延伸且在相对侧处短路。此外，构成梳状阳极线130的梳齿线部分的多条第二阳极线130b和构成梳状阴极线134的梳齿线部分的多条第二阴极线134b设置成彼此交错。优选地，第二阴极线134b可由与有机发光二极管OLED的阳极相同的材料形成。然而，本发明可并不限于此。参照图1A，第二阴极线134b彼此分开预定间隙并沿Y轴方向设置。第二阴极线134b配置成具有比第一阴极线134a小得多的宽度。例如，第二阴极线134b的宽度L4可为10μm到400μm，线电阻取决于距离的差异是值得考虑的。这是因为有源区域AA中的子像素112的集成度增加，因而允许第二阴极线134b的宽度增加的区域实际上有限。因此，第二阴极线134b的每单位长度的线电阻大于第一阴极线134a的每单位长度的线电阻。因此，第二阴极线134b的线电阻比第一阴极线134a的线电阻大得多。第二阳极线130b的线电阻可设为等于第二阴极线134b的线电阻。可通过使各条线的横截面积相等来设置线电阻。例如，第二阳极线130b可配置成具有的线厚度和10μm的线宽度。在此情形中，第二阴极线134b可配置成具有的线厚度和45μm的线宽度。在此情形中，如果第二阳极线130b和第二阴极线134b由相同的材料形成，则因为各条线的横截面积是相同的，所以每单位长度的线电阻也是相同的。如果第二阳极线130b和第二阴极线134b由不同的材料形成，则使用等式1通过替换电阻率ρ可将线电阻设为彼此相等。14、子像素的等效电路参照图1D，示意性图解了图1A中所示的与子像素112连接的第一阳极线130a和第二阳极线130b的等效电路。子像素112至少包括有机发光二极管、驱动晶体管DTR、开关晶体管SWTR、电容器CST、栅极线116(GATE)、以及数据线120(DATA)。然而，本发明并不限于此。子像素112可进一步包括用于将电容器CST放电的初始电压(Vint)驱动器IC、附加设置在有机发光二极管的阳极与驱动晶体管DTR之间并配置成控制流到阳极的电压的占空比的发光占空比控制电路、配置成补偿驱动晶体管DTR的阈值电压Vth的差异的阈值电压差异补偿电路等等。在此，阈值电压差异补偿电路可设置在子像素112内或可设置在外围区域PA中。然而，本发明可并不限于此。每个驱动晶体管DTR包括源极电极S、漏极电极D和栅极电极G。与第一阳极线130a电连接的第二阳极线130b在Y轴方向上延伸，从而与每个子像素112的驱动晶体管DTR的漏极电极D电连接。然而，上述构造用于N型晶体管。在P型晶体管的情形中，第二阳极线130b与每个子像素112的驱动晶体管DTR的源极电极S电连接。电容器CST与驱动晶体管DTR的栅极电极G和源极电极S电连接。每条数据线DATA与每个驱动晶体管DTR的栅极电极G电连接，从而向驱动晶体管DTR施加图像信号。开关晶体管SWTR设置在数据线DATA与驱动晶体管DTR之间。数据线DATA从数据驱动器IC118接收模拟图像信号并将模拟图像信号传输到驱动晶体管DTR的栅极电极G。在此，根据图像信号的电压值，控制经由驱动晶体管DTR流到有机发光二极管的电流容量。经由数据线DATA施加给驱动晶体管DTR的图像信号可以是根据多个子像素112的每一个的阴极190中的阴极电压的增量进行修改以补偿电压Vgs的图像信号。每条栅极线GATE与每个开关晶体管SWTR的栅极电极电连接。经由栅极线GATE施加栅极高电压VGH和栅极低电压VGL，从而控制开关晶体管SWTR。15、第二阳极线的线电阻参照图1D，第二阳极线130b的单位线电阻(RELVDD)Ω可定义为与一个子像素112的长度对应的第二阳极线130b的线电阻(RELVDD)Ω。因此，总的阳极线电阻(RTELVDD)Ω与对应子像素112的数量成比例地增加。下文，假定有机发光显示面板110的栅极线116的数量为N(N为大于0的正数)进行下面的描述。此外，假定第N位置处的栅极线为GATEN进行下面的描述。例如，第1条栅极线为GATE1，第100条栅极线为GATE100。例如，与第1条栅极线GATE1连接的子像素112的总的阳极线电阻(RTELVDD)Ω为(RELVDD)×(GATE1)Ω＝(1)×(RELVDD)Ω。例如，与第(N-2)条栅极线GATEN-2连接的子像素112的总的阳极线电阻(RTELVDD)Ω为(RELVDD)×(GATEN-2)Ω＝(N-2)×(RELVDD)Ω。例如，与第(N-1)条栅极线GATEN-1连接的子像素112的总的阳极线电阻(RTELVDD)Ω为(RELVDD)×(GATEN-1)Ω＝(N-1)×(RELVDD)Ω。例如，与第N条栅极线GATEN连接的子像素112的总的阳极线电阻(RTELVDD)Ω为(RELVDD)×(GATEN)Ω＝(N)×(RELVDD)Ω。因此，随着第二阳极线130b远离第一阳极线130a，总的阳极线电阻RTELVDD逐渐增加。此外，随着总的阳极线电阻RTELVDD增加，施加给有机发光二极管的阳极的阳极电压ELVDD根据总的阳极线电阻RTELVDD而降低。因此，第二阳极线130b的阳极电压沿着阳极电压输入的方向逐渐降低。可通过第二阳极线130b的线电阻来设置第二阳极线130b中的阳极电压基于距离的降低程度。16、第二阴极线的线电阻参照图1D，第二阴极线134b的单位线电阻(RELVSS)Ω可定义为与一个子像素112的长度对应的第二阴极线134b的线电阻(RELVSS)Ω。因此，总的阴极线电阻(RTELVSS)Ω与对应子像素112的数量成比例地增加。例如，与第N条栅极线GATEN连接的子像素112的总的阴极线电阻(RTELVSS)Ω为(RELVSS)×(N-(GATEN)+1)Ω＝(1)×(RELVSS)Ω。例如，与第(N-1)条栅极线GATEN-1连接的子像素112的总的阴极线电阻(RTELVSS)Ω为(RELVSS)×(N-(GATEN-1)+1)Ω＝(2)×(RELVSS)Ω。例如，与第(N-2)条栅极线GATEN-2连接的子像素112的总的阴极线电阻(RTELVSS)Ω为(RELVSS)×(N-(GATEN-2)+1)Ω＝(3)×(RELVSS)Ω。例如，与第1条栅极线GATE1连接的子像素112的总的阴极线电阻(RTELVSS)Ω为(RELVSS)×(N-(GATE1)+1)Ω＝(N)×(RELVSS)Ω。因此，随着第二阴极线134b远离第一阴极线134a，总的阴极线电阻RTELVSS逐渐增加。此外，随着总的阴极线电阻RTELVSS增加，施加给有机发光二极管的阴极的阴极电压ELVSS根据总的阴极线电阻RTELVSS而降低。因此，第二阴极线134b的阴极电压沿着阴极电压输入的方向逐渐增加。可通过第二阴极线134b的线电阻来设置第二阴极线134b中的阴极电压基于距离的增加程度。17、施加给有机发光二极管相邻的总的线电阻有机发光显示面板110的栅极驱动器IC114依次激活单条栅极线116。因此，图1D中除被激活的栅极线之外的其他所有栅极线都未被激活。例如，如果第1条栅极线GATE1被激活，则其他栅极线不进行操作。因此，与被第1条栅极线GATE1激活的驱动晶体管DTR连接的第二阳极线130b和第二阴极线134b的总的线电阻可如下计算。假设栅极线的数量N为1080进行下面的描述。例如，与第1条栅极线GATE1连接的子像素112的总的线电阻为(1)×(RELVDD)+(1081)×(RELVSS)Ω。就是说，总的第二阳极线电阻为第二阳极单位线电阻，总的第二阴极线电阻为1081个第二阴极单位线电阻。例如，与第100条栅极线GATE100连接的子像素112的总的线电阻为(100)×(RELVDD)+(981)×(RELVSS)Ω。就是说，总的第二阳极线电阻为100个第二阳极单位线电阻，总的第二阴极线电阻为981个第二阴极单位线电阻。例如，与第1080条栅极线GATE1080连接的子像素112的总的线电阻为(1080)×(RELVDD)+(1)×(RELVSS)Ω。就是说，总的第二阳极线电阻为1080个第二阳极单位线电阻，总的第二阴极线电阻为第二阴极单位线电阻。例如，与第N条栅极线GATEN连接的子像素112的总的线电阻为(GATEN)×(RELVDD)+(N-(GATEN-1)+1)×(RELVSS)Ω。就是说，总的第二阳极线电阻为N个第二阳极单位线电阻，总的第二阴极线电阻为(N-(GATEN-1)+1)个第二阴极单位线电阻。在此，第二阳极单位线电阻RELVDD能够设为大致与第二阴极单位线电阻RELVSS相等。在此情形中，与第N条栅极线GATEN连接的子像素112的总的线电阻为(RELVDD)×(N+1)。其中，N表示栅极线116的总数，因而与每条栅极线连接的每个子像素112的总的线电阻能够持续相同。根据上述构造，不管在Y轴方向上的位置如何，施加给某一子像素112的总的阳极线电阻RTELVDD和总的阴极线电阻RTELVSS之和都是均匀的。因此，阳极与阴极之间的电位差(ΔV)是持续均匀的。在一些示例性实施方式中，阳极线的单位线电阻RELVDD和阴极线的单位线电阻RELVSS之间的差设为小于阳极线的单位线电阻RELVDD的10％或小于阴极线的单位线电阻RELVSS的10％。此外，阳极线130的线电阻与阴极线134的线电阻之间的差可设为小于阳极线130的线电阻的10％或小于阴极线134的线电阻的10％。图1E是用于描述当阳极线的单位线电阻RELVDD和阴极线的单位线电阻RELVSS大致彼此相等时，在有机发光显示装置100的有源区域AA中的子像素112之中，设置于Y轴方向上的确定子像素112中的阳极和阴极之间的电位差(ΔV)的图表。参照图1E，能够确认不管Y轴方向上的位置如何，每个子像素112的阳极和阴极之间的电位差(ΔV)是持续均匀的。就是说，第二阴极线134b的增加的阴极电压被第二阳极线130b的降低的阳极电压抵消，因而能够补偿多个子像素112中的阳极184和阴极190之间的电位差的偏差。比较例1图1F示意性图解了根据比较例1的等效电路。根据比较例1的有机发光显示装置与根据本发明示例性实施方式的有机发光显示装置100的不同之处在于，第一阳极线和第一阴极线设置在有机发光显示面板的外围区域中的同一侧表面上。因此，第二阳极线和第二阴极线的输入方向也是相同的。在比较例1中，因为第二阳极线和第二阴极线在Y轴方向上增加，所以总的阳极线电阻RTELVDD和总的阴极线电阻RTELVSS也同时增加。例如，与第1条栅极线GATE1连接的子像素的总的阳极线电阻(RTELVDD)Ω为(RELVDD)×(GATE1)Ω＝(1)×(RELVDD)Ω，总的阴极线电阻(RTELVSS)Ω为(RELVSS)×(GATE1)Ω＝(1)×(RELVSS)Ω。例如，与第100条栅极线GATE100连接的子像素的总的阳极线电阻(RTELVDD)Ω为(RELVDD)×(GATE100)Ω＝(100)×(RELVDD)Ω，总的阴极线电阻(RTELVSS)Ω为(RELVSS)×(GATE100)Ω＝(100)×(RELVSS)Ω。就是说，能够看出在与第100条栅极线和第1条栅极线连接的子像素之间，线电阻强度具有100倍的差异。例如，与第1080条栅极线GATE1080连接的子像素的总的阳极线电阻(RTELVDD)Ω为(RELVDD)×(GATE1080)Ω＝(1080)×(RELVDD)Ω，总的阴极线电阻(RTELVSS)Ω为(RELVSS)×(GATE1080)Ω＝(1080)×(RELVSS)Ω。就是说，能够看出在与第1080条栅极线和第1条栅极线连接的子像素之间，线电阻强度具有1080倍的差异。图1G是用于描述在根据比较例1的有机发光显示装置100的有源区域中的子像素之中，设置于Y轴方向上的确定子像素中的阳极和阴极之间的电位差(ΔV)的图表。参照图1G，能够确认阳极和阴极之间的电位差(ΔV)沿着Y轴方向逐渐降低。因此，有机发光显示装置的亮度沿着Y轴方向逐渐降低。结果，在比较例1中，下侧表面(第三侧表面)看起来较暗，亮度均匀性显著降低。比较例2图1H示意性图解了根据比较例2的等效电路。根据比较例2的有机发光显示装置与根据比较例1的有机发光显示装置的不同之处在于，第一阳极线和第一阴极线设置在有机发光显示面板的外围区域中的两个侧表面(第一侧表面和第三侧表面)上。因此，第二阳极线和第二阴极线也是两个方向的输入。在比较例2中，因为从两个侧表面(第一侧表面和第三侧表面)施加阳极电压ELVDD和阴极电压ELVSS，所以随着靠近有源区域的中央部分，阳极和阴极之间的电位差(ΔV)降低。图1I是用于描述在根据比较例2的有机发光显示装置100的有源区域中的子像素之中，设置于Y轴方向上的确定子像素中的阳极和阴极之间的电位差(ΔV)的图表。参照图1I，能够确认阳极和阴极之间的电位差(ΔV)向着有源区域的中央部分逐渐降低。因此，有源区域的中央部分看起来较暗，亮度均匀性显著降低。图2是根据本发明另一示例性实施方式的有机发光显示装置的示意性平面图。在根据本发明另一示例性实施方式的有机发光显示装置200中，为了实现窄边框，栅极驱动器IC214被实现为面板内栅极驱动器(GIP)。栅极驱动器IC214用于形成有机发光显示面板210的多个子像素112且同时形成在有机发光显示面板210的外围区域PA中。栅极驱动器IC214包括多个移位寄存器，移位寄存器与各条栅极线116连接。栅极驱动器IC214从数据驱动器IC118接收栅极起始脉冲(GSP)和多个时钟信号，栅极驱动器IC214的移位寄存器依次移位栅极起始脉冲(GSP)并激活分别与栅极线116连接的多个子像素112。如果设置了面板内栅极驱动器214，则可去除半导体芯片形的栅极驱动器IC114、各向异性导电膜和相应的焊盘，可实现具有比半导体芯片形的栅极驱动器IC的边框窄的宽度的窄边框。除上述方面之外，根据本发明另一示例性实施方式的有机发光显示装置200与根据本发明示例性实施方式的有机发光显示装置100相同。因此，将省略其多余的描述。在一些示例性实施方式中，栅极驱动器IC可仅形成在有机发光显示面板的一个侧表面(第二侧表面)上。如果设置了仅形成在一个侧表面(第二侧表面)上的栅极驱动器IC，则可实现在另一侧表面(第四侧表面)上具有比所述一个侧表面(第二侧表面)上的边框窄的宽度的窄边框。在一些示例性实施方式中，图2中所示的面板内栅极驱动器(GIP)能够应用于所有其他示例性实施方式。图3是根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示装置的示意性平面图。在根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示装置300中，第一阳极线130a和阴极线334的第一阴极线334a设置在有机发光显示面板310的上侧表面(第一侧表面)上。在此，第一阴极线334a设置为围绕有机发光显示面板310的外围区域PA。就是说，第一阴极线334a可沿有机发光显示面板310的第一侧表面、第二侧表面、第三侧表面和第四侧表面设置，或者可配置成具有方形或环形。在此，第一阴极线334a的长度比第一阳极线130a的长度长，因而优选地，第一阴极线334a的宽度设为大于第一阳极线130a的宽度，从而不增加线电阻。因此，第一阴极线334a的宽度配置成大于第一阳极线130a的宽度。第二阳极线130b和第二阴极线334b分别从第一阳极线130a和第一阴极线334a延伸。因为有机发光显示装置300的第一阳极线130a和第一阴极线334a设置在有机发光显示面板310的上侧表面(第一侧表面)上，所以第二柔性电路板346配置成同时提供阳极电压ELVDD和阴极电压ELVSS。根据上述构造，有机发光显示装置300具有去除设置于有机发光显示面板100的下侧表面(第三侧表面)上的数据电路板142和第二柔性电路板146的效果。根据上述构造，有机发光显示装置300能够是透明有机发光显示装置。具体地说，为了如图1B中所示从相反的方向输入阳极电压ELVDD和阴极电压ELVSS，需要在有机发光显示面板110的后表面上设置各种电路板和线。然而，在根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示面板310中，上侧表面(第一侧表面)包括电路板和线，因而，不需要在有机发光显示面板310的后表面上设置各种电路板和线。因此，即使有机发光显示面板310具有透光性，在后表面上也看不到电路板和线。除上述方面之外，根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示装置300与根据本发明示例性实施方式的有机发光显示装置100相同。因此，将省略其多余的描述。在一些示例性实施方式中，第一阳极线和第一阴极线可颠倒。具体地说，第一阳极线可设置为围绕有机发光显示面板的外围区域PA，第一阴极线可沿有机发光显示面板的上侧表面(第一侧表面)设置。在一些示例性实施方式中，可进一步包括用于向有机发光显示面板410的子像素412提供透光性的光透射部。图4A是根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示装置的示意性平面图。根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示装置400是根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示装置300的改型例。有机发光显示装置400的第一阳极线130a和第一阴极线434a由相同的材料形成。因此，第一阳极线130a和第一阴极线434a不能彼此重叠，其中第一阴极线434a从其中第一阳极线130a和第一阴极线434a彼此重叠的区域分离开。就是说，第一阴极线434a在外围区域PA中分割为至少两部分且分割的部分通过跳线437连接。图4B是图4A中所示的根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示装置400的子像素412的剖面图。阴极线434的第二阴极线434b包括至少两个金属层，例如如图4B中所示包括第二阴极第一线434c和第二阴极第二线434d，且可通过接触孔使至少两个金属层彼此连接。第二阴极第一线434c由与阳极184相同的材料形成。第二阴极第二线434d由与第二阳极线130b相同的材料形成。第二阴极第一线434c和第二阴极第二线434d经由第三接触孔434e彼此连接。根据上述构造，可减小第一阴极线434a的宽度。具体地说，第一阴极线434a可由与数据线120相同的材料形成。因此，第一阴极线434a能够形成为具有较大厚度，因而能够减小第一阴极线434a的宽度L1。根据上述构造，可减小第二阴极线434b的宽度L4。具体地说，能够通过第二阴极第一线434c和第二阴极第二线434d增加横截面积，因而能够减小第二阴极线434b的宽度。除了上述方面之外，根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示装置400与根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示装置300相同。因此，将省略其多余的描述。在一些示例性实施方式中，第一阳极线和第一阴极线可颠倒。具体地说，第一阳极线可设置为围绕有机发光显示面板的外围区域PA，第一阴极线可沿有机发光显示面板的上侧表面(第一侧表面)设置。图5A是根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示装置的示意性平面图。根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示装置500是根据本发明示例性实施方式的有机发光显示装置100的改型例。在有机发光显示装置500中，在控制电路板542上设置有图像信号补偿单元550。图像信号补偿单元550配置成存储电压补偿数据。电压补偿数据可存储在图像信号补偿单元550内的存储器中或存储在单独的外部存储器中。电压补偿数据配置成存储分别与子像素112对应的补偿值。基于有源区域AA内的第一阴极线134的线电阻信息，电压补偿数据包括用于补偿与子像素112对应的每个阴极电压增量(ΔELVSS)的信息。可基于有机发光显示面板110中的线的设计值确定电压补偿数据。例如，能够基于线的宽度、厚度、长度、线的电阻率ρ、以及待补偿的每个子像素112的位置信息来计算线的设计值。或者，可使用在设计面板时已计算的总的阴极线电阻(RTELVSS)Ω或第二阴极单位线电阻(RELVSS)。如果阴极电压ELVSS通过线电阻而改变，则驱动晶体管DTR中的栅极电极G和源极电极S之间的电位差，即栅极电极-源极电极电位差(Vgs)可能改变。因此，亮度可能部分发生变化。图像信号补偿单元550基于存储的电压补偿数据修改图像信号，并将补偿后的图像信号发送给数据驱动器IC118。在示例性实施方式中，与阴极电压ELVSS的增量成比例地补偿图像信号。在一些示例性实施方式中，图像信号补偿单元550可配置成在有机发光显示装置100操作的同时计算电压补偿数据。图像信号补偿单元550仅存储有机发光显示面板110中的线的设计值并需要这些设计值来计算电压补偿数据。此外，在有机发光显示装置操作的同时进行电压补偿数据的计算。特别是，根据上述构造，一个优点在于可不存储电压补偿数据。此外，还具有很容易应用于各种尺寸和形状的有机发光显示面板的优点。在一些示例性实施方式中，图像信号补偿单元550能够仅存储与设置在垂直方向(Y轴)上的一排子像素112对应的电压补偿数据。特别是，如图1D中所示，因为多排子像素112具有相似的线电阻特性，所以通过将一排子像素112的电压补偿数据设为基准电压补偿数据，可补偿其他排的子像素112。在一些示例性实施方式中，当图像信号补偿单元550通过与一排子像素112对应的基准电压补偿数据补偿多排子像素112时，可进一步包括用于分别补偿每排中的子像素112之间的差异的偏移值。特别是，可包括电压供给焊盘。在一些示例性实施方式中，图像信号补偿单元550能够排除或添加一些线的设计值的某种信息以用于计算。根据上述构造，图像信号补偿单元550仅更新对于有机发光显示面板来说被优化的信息，因而具有能够提高补偿效率的优点。在一些示例性实施方式中，图像信号补偿单元550中的电压补偿数据可配置成查找表的形式。在一些示例性实施方式中，图像信号补偿单元550可配置成包含在数据驱动器IC118中。或者图像信号补偿单元550可设置在数据电路板140上。就是说，图像信号补偿单元550不限于设置在控制电路板542上，而是能够设置或包含在其他各种组件中。图5B是用于描述图5A所示的根据本发明再一示例性实施方式的被提供补偿后图像信号的有机发光显示装置中的每个子像素的电阻值的示意性等效电路图。每个子像素112至少包括有机发光二极管、驱动晶体管DTR、开关晶体管SWTR、电容器CST、栅极线GATE、以及数据线DATA。这种结构可被分类为包括两个晶体管和一个电容器CST的2T1C结构。通过图像信号补偿单元550补偿的第一图像信号C-Data1施加给驱动晶体管DTR的栅极电极G。因此，可补偿栅极电极G和源极电极S之间的电位差，即栅极电极-源极电极电位差(Vgs)。因此，可进一步提高亮度均匀性。图5C是用于描述在根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示装置中的每个子像素的阳极和阴极之间的电位差、以及补偿后图像信号的示意性图表。图5C中的补偿后第一图像信号C-Data1显示为，通过将施加给每个子像素112的图像信号的电压加上与具有2T1C子像素结构的每个子像素112对应的阴极电压增量(ΔELVSS)而获得的补偿后数据。在此，因为在补偿之前所有的图像信号显示相同的亮度，所以需要对其施加相同的电压。然而，因为阴极电压ELVSS增加，所以补偿后第一图像信号C-Data1与阴极电压ELVSS的增加直接成比例。例如，根据施加给子像素112之一的电压补偿数据的补偿后第一图像信号C-Data1可参照等式2进行描述。[等式2](C-Data1)＝图像信号+阴极电压增量(ΔELVSS)C-Data1为经由数据线施加的补偿后图像信号。等式2中的图像信号为通过数据驱动器IC将从外部系统输入的数字图像信号转换为电压值的模拟图像信号。阴极电压增量(ΔELVSS)是指由于线电阻而增加的电压值。就是说，如果某一2T1C子像素112的阴极电压ELVSS增加0.1V，则图像信号补偿单元550通过使用电压补偿数据补偿施加给子像素112的图像信号的电压值以使得图像信号能够增加0.1V来产生C-Data1。就是说，能够通过向施加给子像素112的图像信号增加与每个子像素112对应的阴极电压ELVSS的增量来实现电压补偿数据。补偿后第一图像信号C-Data1施加给子像素112的驱动晶体管DTR的栅极电极G。因此，能够通过电压补偿数据进一步提高有机发光显示装置的亮度均匀性。除了上述方面之外，根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示装置500与根据本发明示例性实施方式的有机发光显示装置100相同。因此，将省略其多余的描述。图6A是根据本发明再一示例性实施方式的包括数据驱动器IC的有机发光显示装置的示意性平面图。根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示装置600是根据本发明示例性实施方式的有机发光显示装置100的改型例。图6B是用于描述图6A所示的根据本发明再一示例性实施方式的被提供补偿后图像信号的有机发光显示装置中的每个子像素的电阻值的示意性等效电路图。每个子像素612至少包括有机发光二极管、驱动晶体管DTR、开关晶体管SWTR、感测晶体管SENTR、电容器CST、栅极线GATE、数据线DATA、基准线REF、感测线SENS。这种结构可被分类为包括三个晶体管和一个电容器的3T1C结构。通过图像信号补偿单元550补偿的第二图像信号C-Data2施加给驱动晶体管DTR的栅极电极G。因此，可补偿栅极电极G和源极电极S之间的电位差，即栅极电极-源极电极电位差(Vgs)。因为栅极电极G和源极电极S之间的电位差得到补偿，所以可进一步提高亮度均匀性。此外，因为子像素612具有3T1C结构，所以即使阴极电压ELVSS以与图5B中所示相同的方式增加，电压补偿数据也不与阴极电压增量(ΔELVSS)直接成比例。具体地说，电压补偿数据是指通过将有机发光二极管的固有电容COLED和电容器CST的电容Cst反映到阴极电压增量(ΔELVSS)而获得的数据。例如，根据施加给子像素612之一的电压补偿数据的补偿后第二图像信号C-Data2可参照等式3进行描述。[等式3](C-Data2)＝图像信号+阴极电压增量(ΔELVSS)×COLED/CstC-Data2为经由数据线施加的补偿后图像信号。等式3中的图像信号为通过数据驱动器IC618将从外部系统输入的数字图像信号转换为电压值的模拟图像信号。阴极电压增量(ΔELVSS)表示由于线电阻而增加的电压值。COLED表示有机发光二极管的固有电容。Cst表示电容器CST的电容。此外，在3T1C结构中，为了补偿驱动晶体管DTR的阈值电压差异(ΔVth)，进一步设置有感测晶体管SENTR。此外，感测晶体管SENTR通过施加给感测线SENS的信号，向基准线REF传输每个驱动晶体管DTR的阈值电压差异(ΔVth)的信息。基准线REF可与数据驱动器IC618连接。在此，数据驱动器IC618感测驱动晶体管DTR的阈值电压差异(ΔVth)，并可配置阈值电压差异补偿电路来补偿所感测的差异。图6C是用于描述在根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示装置中的每个改型子像素的阳极和阴极之间的电位差、以及补偿后图像信号的示意性图表。图6C中的补偿后第二图像信号C-Data2显示为通过增加图像信号的电压而获得的补偿后数据。然后，通过与具有3T1C子像素结构的每个子像素612对应的阴极电压增量(ΔELVSS)向每个子像素612施加图像信号。在此，因为在补偿之前所有的图像信号显示相同的亮度，所以需要向其施加相同的电压。然而，因为阴极电压ELVSS增加，所以补偿后第二图像信号C-Data2根据阴极电压ELVSS的增加以及有机发光二极管和电容器之间的电容比得到补偿。就是说，图像信号补偿单元550将某一子像素112的阴极电压ELVSS增加0.1V，并修改施加给子像素112的图像信号的电压值。此修改是使用通过将有机发光二极管的固有电容COLED和电容器CST的电容Cst反映到0.1V所获得的电压补偿数据来实现的。因此，能够通过电压补偿数据进一步提高亮度均匀性。在一些示例性实施方式中，在数据驱动器IC618中补偿的第二图像信号C-Data2可配置成包括与阴极电压ELVSS的增加对应的补偿值以及用于补偿每个驱动晶体管DTR的阈值电压差异(ΔVth)的补偿值。例如，根据施加给子像素612之一的电压补偿数据的补偿后图像信号C-Data3可参照等式4进行描述。[等式4](C-Data3)＝图像信号+阴极电压增量(ΔELVSS)×COLED/Cst+(ΔVth)除了上述方面之外，根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示装置600与根据本发明再一示例性实施方式的有机发光显示装置500相同。因此，将省略其多余的描述。尽管已参照附图详细描述了本发明的示例性实施方式，但本发明并不限于此，在不背离本发明的技术构思的情况下，本发明可以以许多不同形式实施。因此，提供本发明的示例性实施方式仅是为了举例说明的目的，而不意在限制本发明的技术构思。本发明的技术构思的范围不限于此。应当基于所附的权利要求书解释本发明的保护范围，其等同范围内的所有技术构思都应解释为落入本发明的范围内。