技术总结
本发明涉及一种提升晶边良率的方法，包括以下步骤：提供晶圆衬底；在晶圆衬底上涂胶形成第一光刻胶层，并进行有源区洗边；在晶圆衬底上未被第一光刻胶层覆盖的位置形成氧化硅隔离结构；在晶圆衬底上形成有源区；在有源区上形成层间介质；在层间介质上涂胶形成第二光刻胶层，并进行接触孔洗边；在第二光刻胶层的掩蔽下刻蚀层间介质形成接触孔；通过沉积工艺向接触孔内填充金属；对填充了金属的层间介质进行平坦化处理；有源区洗边步骤中的洗边区域至少从晶圆边缘延伸至沉积区域边缘。本发明通过设定合适的洗边区域，无需额外的成本就可提升晶边良率。
技术研发人员：陈亚威;顾费东
受保护的技术使用者：无锡华润上华科技有限公司
文档号码：201510557758
技术研发日：2015.09.02
技术公布日：2017.03.08