一种控压方法和装置与流程

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种控压方法和装置。

背景技术：

在半导体设备中，晶片的加工过程往往是在高真空环境的工艺腔室内进行的。下面参照图1以等离子体刻蚀机为例对晶片的加工过程进行描述。如图1所示，通常一台自动化程度较高的刻蚀机按功能分为工艺腔室即PM腔室、真空传输腔室即TC腔室、真空锁定腔即Load Lock腔室三个真空腔，三个不同功能的腔室之间会设置隔离阀以保证相互之间的独立性与真空度。

在正常工作时，PM腔室、真空传输腔室始终处于高真空状态，而Load Lock腔室则需要不断在真空/大气状态间切换。晶片从装载腔即Load Port到PM腔室的过程中要经过大气机器手即ATM、LoadLock腔室、TC腔室，所以每次晶片的传输路径为：Load Port→ATM→LoadLock腔室→TC腔室→PM腔室。

但是在实际应用中，晶片在TC腔室与PM腔室之间传输的时候，TC腔室与PM腔室之间的槽阀和内门会先后打开。此时由于两个腔室都是高真空态，PM腔室的残存气体会散发到TC腔室中，而TC腔室的温度要低于PM腔的温度，因此，从PM腔室中游离到TC腔室的气体会凝结成小颗粒。而这些凝结后的小颗粒的落在TC腔室中的晶片上，则会对晶片会造成污染，进而导致晶片的可利用率下降。

现有的避免PM腔室的残存气体散发到TC腔室中的方案为：对TC腔室和PM腔室同时控压，即机台在常态时，将PM腔室的压力控制在一定的范围，控制TC腔室的压力略大于PM腔室的压力，这样，当TC腔室与PM腔室之间的槽阀和内门打开后，由于TC腔室中的压力大于PM腔室中的压力，因此，PM腔室的残存气体不会散发到TC腔室中。

而现有的解决方案在控制TC腔室的压力时，始终以能够将TC腔室的 压力控制在动态平衡状态下的设定流量值向TC腔室中充入气体，以使TC腔室中的压力恢复、并稳定在略大于PM腔室的压力的状态下。现有的这种始终以一固定流量值向TC腔室中充入气体的方案，需要长时间等待才能够将TC腔室中的压力恢复、并稳定在略大于PM腔室的压力的状态下。

技术实现要素：

鉴于上述问题，提出了本发明以解决现有的控压方案中存在的TC腔室压力恢复等待时间长的问题。

为了解决上述问题，本发明公开了一种控压方法，所述方法包括：确定控制真空传输腔室压力的抽气阀开启、且所述真空传输腔室压力小于第一设定压力值时，控制质量流量控制器以第一设定流量值向所述真空传输腔室充入气体；获取所述真空传输腔室的压力值；当获取的所述压力值大于第二设定压力值时，控制所述质量流量控制器以第二设定流量值向所述真空传输腔室充入气体，其中，所述第一设定流量值大于所述第二设定流量值。

优选地，所述方法还包括：当获取的所述压力值小于或等于所述第二设定压力值时，判断向所述真空传输腔室充入气体的时间是否超出第一设定时间；若未超出所述第一设定时间，则返回所述获取所述真空传输腔室压力值的步骤。

优选地，所述确定控制真空传输腔室压力的抽气阀开启、且所述真空传输腔室压力小于第一设定压力值的步骤包括：关闭控制所述真空传输腔室压力的慢抽阀，并开启快抽阀；获取所述真空传输腔室的压力值；当获取的所述压力值大于或等于所述第一设定压力值，则判断所述快抽阀的开启时间是否超出第二设定时间；若未超出第二设定时间，则返回所述获取所述真空传输腔室压力值，并判断获取的所述真空传输腔室压力值是否小于第一设定压力值的步骤。

优选地，在所述关闭控制所述真空传输腔室压力的慢抽阀的步骤之前还包括：开启所述慢抽阀；待所述慢抽阀开启超出第三设定时间后，获取所述真空传输腔室的压力值，并判断获取的所述真空传输腔室压力值是否 小于或等于第三设定压力值；若小于或等于所述第三设定压力值，则执行所述关闭所述控制真空传输腔室压力的慢抽阀，并开启所述快抽阀的步骤；若大于所述第三设定压力值，则显示用于指示所述真空传输腔室的当前状态未达到开启快抽阀条件的告警信息。

优选地，在所述开启所述慢抽阀的步骤之前，所述方法还包括：获取所述真空传输腔室的压力值，并判断获取的所述真空传输腔室压力值是否小于或等于所述第三设定压力值；若大于所述第三设定压力值，则执行所述开启所述慢抽阀的步骤；若小于或等于所述第三设定压力值，则直接执行所述获取所述真空传输腔室的压力值，以判断获取的所述真空传输腔室压力值是否小于第一设定压力值。

为了解决上述问题，本发明还公开了一种控压装置，所述装置包括：第一控制模块，用于确定控制真空传输腔室压力的抽气阀开启、且所述真空传输腔室压力小于第一设定压力值时，控制质量流量控制器以第一设定流量值向所述真空传输腔室充入气体；获取模块，用于获取所述真空传输腔室的压力值；第二控制模块，用于当所述获取模块获取的所述压力值大于第二设定压力值时，控制所述质量流量控制器以第二设定流量值向所述真空传输腔室充入气体，其中，所述第一设定流量值大于所述第二设定流量值。

优选地，所述控压装置还包括：第一时间判断模块，用于当所述获取模块获取的所述压力值小于或等于所述第二设定压力值时，判断向所述真空传输腔室充入气体的时间是否超出第一设定时间；若未超出所述第一设定时间，则调用所述获取模块。

优选地，所述第一控制模块包括：阀门控制子模块，用于关闭控制所述真空传输腔室压力的慢抽阀，并开启快抽阀；获取子模块，用于获取所述真空传输腔室的压力值；执行子模块，用于当所述获取子模块获取的所述压力值大于或等于所述第一设定压力值，则判断所述快抽阀的开启时间是否超出第二设定时间；若未超出第二设定时间，则调用所述获取子模块。

优选地，所述控压装置还包括：第二阀门控制模块，用于在所述阀门控制子模块关闭控制所述真空传输腔室压力的慢抽阀之前，开启所述慢抽阀；第三判断模块，用于待所述慢抽阀开启超出第三设定时间后，获取所述真空传输腔室的压力值，并判断获取的所述真空传输腔室压力值是否小于或等于第三设定压力值；第三执行模块，用于若所述第三判断模块的判断结果为小于或等于所述第三设定压力值，则调用所述阀门控制子模块；第四执行模块，用于若所述第三判断模块的判断结果为大于所述第三设定压力值，则显示用于指示所述真空传输腔室的当前状态未达到开启快抽阀条件的告警信息。

优选地，所述控压装置还包括：第四判断模块，用于在所述第二阀门控制模块开启所述慢抽阀之前，获取所述真空传输腔室的压力值，并判断获取的所述真空传输腔室压力值是否小于或等于所述第三设定压力值；第五执行模块，用于若所述第四判断模块的判断结果为大于所述第三设定压力值，则调用所述第二阀门控制模块；第六执行模块，用于若所述第四判断模块的判断结果小于或等于所述第三设定压力值，则直接调用所述获取子模块。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

本发明提供的控压方法和装置，在起初向TC腔室中充入气体时，先控制质量流量控制器以大流量充入气体，待达到第二设定压力值即略大于PM腔室的压力值时，再控制质量流量控制器以第二流量充入气体，使TC腔室的压力能够达到动态平衡。本发明提供的通过先大流量充入气体、再将充气流量调节成能够使TC腔室的压力达到动态平衡的第二流量充入气体，相较于一直以固定流量充入气体的方案，能够有效地缩短TC腔室压力恢复时间，从而提高TC腔室与PM腔室之间传输晶片的效率。

附图说明

图1是现有的一种等离子体刻蚀机的结构图；

图2是根据本发明实施例一的一种控压方法的步骤流程图；

图3是根据本发明实施例二的一种控压方法的步骤流程图；

图4是实施例二中的TC腔室结构图；

图5是根据本发明实施例三的一种控压装置的结构框图；

图6是根据本发明实施例四的一种控压装置的结构框图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

实施例一

参照图2，示出了本发明实施一的一种控压方法的步骤流程图。

本实施例的控压方法包括以下步骤：

步骤S101：在确定控制TC腔室压力的抽气阀开启、且TC腔压力小于第一设定压力值时，控制MFC(Mass Flow Controller，质量流量控制器)以第一设定流量值向TC腔室充入气体。

其中，抽气阀包括慢抽阀以及快抽阀，MFC是安装在TC腔室外，用于向TC腔体充入气体的装置，并且，该装置还可以对充入气体的流量进行控制。对于MFC具体如何安装在TC腔室外、安装在的具体位置本申请对此不做具体限制。同时，本领域技术人员应该明了，对于TC腔室外还设有干泵，在干泵与腔室之间设有快抽阀、慢抽阀，当快抽阀或慢抽阀开启时，干泵即可将TC腔室中的气体抽出。为了保证TC腔室的真空度，在半导体设备运行过程中，干泵一直处于工作状态对TC腔室进行抽真空操作。

每次在TC腔室与PM腔室间传输完晶片、关闭PM腔室与TC腔室之间的槽阀以及内门后，TC腔室中的压力都会变的非常小，为了使TC腔室的压力能够恢复到略大于PM腔室控压值，则要通过MFC向TC腔室中充入气体例如：氮气。与此同时，还需要打开抽气阀通过干泵对TC腔室进行抽气，最终使得TC腔室的压力达到动态平衡，使TC腔室的压力稳定在略大于PM腔室的压力状态下。

本实施例中在控制MFC向TC腔室充入气体前，要保证TC腔室的压力小于第一设定压力值目的是：确定当前时刻是处于TC腔室压力恢复阶段。因为，每次晶片传输完毕后，TC腔室的压力值会突然变的非常小。因此， 通过设定第一设定压力值，以该值作为衡量依据则可判定当前是否为上一片晶片已经传输完毕可以对TC腔室进行压力恢复的阶段。若小于第一设定压力值，则可确定为TC腔室处于压力恢复阶段，因此，可以控制MFC以大流量向TC腔室充入气体。

需要说明的是，第一设定压力值可以由本领域技术人员根据实际需求进行设置，第一设定压力值的设置原则为：大于每次传输完晶片后TC腔室的压力、且小于TC腔室稳定状态的压力值(即第二设定压力值)即可，本申请对此不做具体限制。

步骤S102：获取TC腔室的压力值。

在控制MFC以第一设定流量值向TC腔室充入气体的同时，获取TC腔室的压力值，并判断获取的压力值是否大于第二设定压力值，当判断出大于第二设定压力值时，则调整MFC的流量值，控制MFC以第二设定流量值向TC腔室充入气体。当TC腔室中的压力值大于第二设定压力值，则说明TC腔室中的压力已通过大流量充入气体而迅速恢复，此时，则需要以能够维持TC腔室压力动态平衡的第二设定流量值向TC腔室中充入气体。其中，动态平衡指边向TC腔室中充入气体边以干泵对TC腔室进行抽气，而TC腔室中的压力值成稳定状态。

第二设定压力值即为TC腔室动态平衡状态的压力值、可以由本领域技术人员根据PM腔室的压力值进行设置，例如：PM腔室的压力为50mTorr即50毫托，则可以将TC腔室动态平衡状态的压力值设定为55mTorr、60mTorr或90mTorr，当然也可以设定为其他任意适当的值，只要保证所设定的动态平衡状态的压力值略大于PM腔室的压力值即可。

步骤S103：当获取到的TC腔室的压力值大于第二设定压力值时，控制MFC以第二设定流量值向TC腔室充入气体。

其中，第一设定流量值远远大于第二设定流量值。第二设定流量值与TC腔室动态平衡状态的压力值是对应的，也就是说，在具体实施过程中，第二设定流量值需要随着TC腔室动态平衡状态的压力值的变化而变化，第二设定流量值的具体值可以由本领域技术人员根据TC腔室稳定状态的压力 值通过实验确定。通过向TC腔室中以第二设定流量值指示的流量充入气体，可以保证TC腔室的压力达到动态平衡并且将TC腔室中的压力控制在第二设定压力值下。当然，在此基础上也可能存在小的压力偏差，但是偏差后的值依然要略大于PM腔室的压力。

在本实施例中，MFC向TC腔室中充入气体时，并非始终按照同一设定流量值向TC腔室中充入气体。而是首先，按照第一设定流量值向TC腔室充入气体，然后在TC腔室中的压力大于第二设定压力值时，再按照第二设定流量值向TC腔室充入气体。也就是说，先控制MFC以大流量向TC腔室中充入气体，可以TC腔室的压力迅速恢复至TC腔室动态平衡状态的压力值，但是，此时若一直按照这个流量值向TC腔室中充气，将无法控制TC腔室的压力达到动态平衡。因此，需要以第二设定流量值向TC腔室充气，以使TC腔室的压力被稳定在第二设定压力值。

需要说明的是，本实施例提供的控压方法是在两晶片传输间隔对TC腔室的压力控制方法，通过该方法可以将TC腔体的压力控制到略大于PM腔室的压力，即稳定状态的压力值。在具体实现过程中，该方法循环使用直至待传输的全部晶片传输完毕为止。

通过本实施例提供的控压方法，在起初向TC腔室中充入气体时，先控制MFC以大流量充入气体，待达到第二设定压力值即略大于PM腔室的压力值时，再控制MFC以第二设定流量充入气体，使TC腔室的压力能够达到动态平衡。本发明提供的通过先大流量充入气体、再将充气流量调节成能够使TC腔室的压力达到动态平衡的第二流量充入气体，相较于一直以第二流量充入气体的方法，能够有效地缩短TC腔室压力恢复时间，从而提高TC腔室与PM腔室之间传输晶片的效率。

实施例二

参照图3，示出了本发明实施二的一种控压方法的步骤流程图。

本实施例中为了解决现有的半导体设备中PM腔室与TC腔室传输晶片的过程中，PM腔室向TC腔室散发残存气体的问题，采用了对TC腔室和 PM腔室同时控压的方式，即机台在常态时，PM腔室的压力控制在一定的范围，而TC腔的压力要略大于PM腔室的压力。在实现过程中，需要对现有的TC腔室进行改进，在TC腔外增加一个MFC来向腔室中输入气体(例如高纯N₂，同时开启快抽阀来实现TC腔室内压力的动态平衡。

改进后的TC腔室的结构如图4所示。在TC腔室外增加一个充气管道(N₂管道)为TC腔室提供气体。在该充气管道上设置MFC来控制气体的流量。在MFC与TC腔室之间还设置有隔膜阀，该隔膜阀的作用为：当MFC的流量设置为0时，不能达到完全的0流量，因此，需要通过关闭隔膜阀将TC腔室与气体完全隔离。下面，以向TC腔室中充入高纯N₂为例对本实施例的控压方法进行说明，需要说明的是，在具体实现过程中，充入的气体可以由本领域技术人员根据实际需求进行选择。

本实施例的控压方法具体包括以下步骤：

步骤S201：半导体设备获取TC腔室的压力值，并判断获取的TC腔室压力值是否小于或等于第三设定压力值；若大于第三设定压力值，则执行步骤S202，若小于或等于第三设定压力值，则执行步骤S206。

其中，第三设定压力值为可以开启快抽阀的压力值。其中，快抽阀与慢抽阀均可以控制TC腔室与干泵之间导通。在TC腔室的压力大于第三设定压力值时，此时若直接开启快抽阀，干泵将快速的将TC腔室中的气体抽出导致气流过大，这样，TC腔体中的晶片可能被气流吹掉。因此，当TC腔室的压力大于第三设定压力值时，则需要先开启慢抽阀来控制TC腔室与干泵之间导通，控制干泵以较慢的速度将TC腔室中的气体抽出，直至TC腔室中的压力小于第三设定压力值，再开启快抽阀。

需要说明的是，第三设定压力值可以由本领域技术人员根据实际需求进行设置，保证TC腔室中的晶片不会因为干泵抽出气体的气流过大使得晶片掉落即可，本实施例对此不做具体限制。

步骤S202：半导体设备在判断出获取的TC腔室压力值大于第三设定压力值时，开启慢抽阀，待慢抽阀开启超出第三设定时间后，半导体设备获取TC腔室的压力值。

其中，第三设定时间可以设置成5秒、6秒、8秒等值。在具体实现过程中可以由本领域技术人员根据实际需求进行设置，本实施例对此不做具体限制。

步骤S203：待开启慢抽阀抽气第三设定时间后，半导体设备再次判断获取的TC腔室压力值是否小于或等于第三设定压力值；若小于或等于第三设定压力值，则执行步骤S204，若大于第三设定压力值，则执行步骤S205。

在执行完步骤S202开启慢抽阀来控制TC腔室与干泵之间导通第三设定时间后，需要再次判断TC腔室中的压力是否达到了可以开启快抽阀来控制TC腔室与干泵之间导通的第三设定压力值，因此，需要再次获取TC腔室的压力值、进行判断。

步骤S204：在获取的TC腔室压力值小于或等于第三设定压力值时，半导体设备关闭慢抽阀；然后，执行步骤S206。

再次获取的TC腔室压力值小于或等于第三设定压力值时，即证明TC腔室中的压力满足开启快抽阀来抽气的条件。然后，执行步骤S206。

步骤S205：待开启慢抽阀抽气第三设定时间后，再次获取的TC腔室压力值大于第三设定压力值时，半导体设备显示用于指示TC腔室的当前状态未达到开启快抽阀条件的告警信息。

若在开启慢抽阀抽气第三设定时间后，TC腔室压力值仍然大于第三设定压力值，则说明半导体设备中的干泵可能出现了问题无法正常工作，此时，半导体设备显示用于指示TC腔室的当前状态未达到开启快抽阀条件的告警信息，以提示设备管理人员对TC腔室进行抽真空的装置可能出现了故障。此时，整个控压流程终止。

可见，在开启慢抽阀第三设定时间后，再次对TC腔室中的压力进行判断具有以下有益效果：第一、避免盲目开启快抽阀，对TC腔室中的晶片起到了保护的作用；第二、提示设备管理人员抽真空装置可能出现了故障。

步骤S206：半导体设备开启快抽阀。

本发明实施例中，需要实现TC腔室中压力的动态平衡，而该动态平衡 需要同时具备以下两个条件：第一、向TC腔室中充入气体；第二、开启快抽阀通过干泵对TC腔室进行抽气。而实现TC腔室的动态平衡，打开快抽阀是首要条件。

步骤S207：半导体设备获取TC腔室的压力值，并判断获取的TC腔室压力值是否小于第一设定压力值；若小于第一设定压力值，则执行步骤S208，若不小于第一设定压力值，则执行步骤S209。

本步骤中，对TC腔室的压力值是否小于第一设定压力值进行判断，目的为确定TC腔室是否处于压力恢复阶段，当小于第一设定压力值即可确定处于压力恢复阶段，因此，可以控制MFC以大流量向TC腔室充入气体。

步骤S208：半导体设备在确定控制真空传输腔室压力的快抽阀开启、且真空传输腔室压力小于第一设定压力值时，控制MFC以第一设定流量值向TC腔室充入气体；然后执行步骤S211。

经历上述步骤后，快抽阀已开启、且TC腔室压力已小于第一设定压力值，此时，控制MFC以第一设定流量值向TC腔室充入气体，以使TC腔室中的压力能尽快恢复。

步骤S209：若获取TC腔室的压力值大于或等于第一设定压力值，半导体判断快抽阀的开启时间是否超出第二设定时间，若未超出第二设定时间，则返回执行步骤S207，若超出第二设定时间，则执行步骤S210。

其中，第二设定时间可以设置成3秒、5秒、6秒等值。在具体实现过程中可以由本领域技术人员根据实际需求进行设置，本实施例对此不做具体限制。

步骤S210：若快抽阀的开启时间超出第二设定时间，半导体设备显示用于指示TC腔室的当前状态未达到小于第一设定压力值的告警信息，控压流程终止。

在对TC腔室中的气体进行抽气的过程中，边抽气边判断TC腔室中的压力值是否大于或等于第一设定压力值，同时，还会设置等待时间即第二设定时间，若超出了等待时间、但依然未大于或等于第一设定压力值，则说明半导体设备的抽真空装置、或快抽阀出现了问题，此时，则需要设备 管理人员排查设备故障，控压流程将终止。

在步骤S209与步骤S210中，在TC腔室的压力值大于或等于第一设定压力值的情况下，对快抽阀的开启时间进行是否超时的判断，以及在判断快抽阀开启超时后，给出告警信息，具有以下有益效果：提示设备管理人员抽真空装置、或快抽阀可能出现了故障，避免长时间等待TC腔室中的压力依然无法小于第一设定压力值，占用设备资源。

步骤S211：半导体设备获取TC腔室的压力值，判断获取的压力值是否大于第二设定压力值；若大于第二设定压力值，则执行步骤S212，若小于，则执行步骤S213。

其中，第二设定压力值略大于PM腔室的压力值。其中，第一设定流量值远远大于第二设定流量值。例如：第二设定流量值为21sccm，第一设定流量值为80sccm，其中，sccm体积流量单位，意义为标况毫升每分。21sccm的意义即为：在标准状况下，以每分钟21毫升的速度充入气体。

需要说明的是，第一设定压力值与第二设定压力值可以相同也可以不同，第二设定压力值可以是一个具体的值，也可以是一个包含设定值、以及在设定值容差范围内的整个值域。本申请对此不作具体限制。优选地，将第一设定压力值与第二设定压力值设置成相同的值。

步骤S212：当获取的压力值大于第二设定压力值时，半导体设备控制MFC以第二设定流量值向TC腔室充入气体。

其中，第二流量值是可以维持TC腔室在第二设定压力值下、维持动态平衡的气体流量值。

第二设定流量值与TC腔室稳定状态的压力值是对应的，也就是说，在具体实施过程中，第二设定流量值需要随着TC腔室动态平衡状态的压力值的变化而变化，第二设定流量值的具体值可以由本领域技术人员根据TC腔室所需要动态平衡状态下的压力值通过实验确定。例如：将TC腔的压力需要控制在50mTorr，则需要将MFC的第二设定流量值设置为7.6sccm；将TC腔的压力需要控制在90mTorr，则需要将MFC的第二设定流量值设置为21sccm；将TC腔的压力需要控制在100mTorr，则需要将MFC的第二设定 流量值设置为25.5sccm。

步骤S213：当获取的压力值小于或等于第二设定压力值时，半导体设备判断向TC腔室充入气体的时间是否超出第一设定时间；若未超出第一设定时间，则返回执行步骤S211，若超出第一设定时间，则执行设定操作。

设定操作可以为抛出告警信息，终止控压流程。如超出第一设定时间、但依然未达到第二设定压力值，则可能充气装置出现了问题，或者是气体不足，此时，会抛出报警信息，以提示设备管理人员对充气装置、气体源进行故障排查。其中，抛出的报警可以为“未达到大于第二设定压力值”。

本步骤中设置在判断充气时间大于第一设定时间时抛出告警信息具有以下有益效果：发出告警信息以提示设备管理人员充气出现了问题，那么，设备管理人员即可进一步地对造成充气出现问题的因素进行排查，例如：判断充气管道是否漏气、气体是否不足等。其中，第一设定时间可以设置成3秒、5秒、6秒等值。在具体实现过程中可以由本领域技术人员根据实际需求进行设置，本实施例对此不做具体限

通过本实施例提供的上述控压方法，在PM腔室的压力分别为50mTorr、70mTorr以及80mTorr情况下，TC腔室的压力恢复时间非别为6s、4s和2s。相较于背景技术部分中的控压方法需要花费一分钟以上的时间来恢复TC腔室中的压力动态平衡，大大的缩减了压力恢复时间。

通过本实施例提供的控压方法，在起初向TC腔室中充入气体时，先控制MFC以大流量充入气体，待达到第二设定压力值即略大于PM腔室的压力值时，再控制MFC以第二设定流量充入气体，使TC腔室的压力能够达到动态平衡。本发明提供的通过先大流量充入气体、再将充气流量调节成能够使TC腔室的压力达到动态平衡的第二流量充入气体，相较于一直以第二流量充入气体的方法，能够有效地缩短TC腔室压力恢复时间，从而提高TC腔室与PM腔室之间传输晶片的效率。

实施例三

参照图5，示出了本发明实施例三的一种控压装置的结构框图。

本实施例的控压装置设置于半导体设置上，具体包括：第一控制模块501，用于确定控制真空传输腔室压力的抽气阀开启、且所述真空传输腔室压力小于第一设定压力值时，控制质量流量控制器以第一设定流量值向所述真空传输腔室充入气体；获取模块502，用于获取所述真空传输腔室的压力值；第二控制模块503，用于当获取模块获取的所述压力值大于第二设定压力值时，控制所述质量流量控制器以第二设定流量值向所述真空传输腔室充入气体，其中，所述第一设定流量值大于所述第二设定流量值。

本发明实施例提供的控压装置，在起初向TC腔室中充入气体时，先控制质量流量控制器以大流量充入气体，待达到第二设定压力值即略大于PM腔室的压力值时，再控制质量流量控制器以第二流量充入气体，使TC腔室的压力能够达到动态平衡。本发明提供的通过先大流量充入气体、再将充气流量调节成能够使TC腔室的压力达到动态平衡的第二流量充入气体，相较于一直以第二流量充入气体的方案，能够有效地缩短TC腔室压力恢复时间，从而提高TC腔室与PM腔室之间传输晶片的效率。

实施例四

参照图6，示出了本发明实施例四的一种控压装置的结构框图。

本实施例的控压装置设置于半导体设置上，具体包括：第一控制模块601，用于确定控制真空传输腔室压力的抽气阀开启、且真空传输腔室压力小于第一设定压力值时，控制质量流量控制器以第一设定流量值向所述真空传输腔室充入气体；获取模块602，用于获取真空传输腔室的压力值；第二控制模块603，用于当获取模块获取的压力值大于第二设定压力值时，控制质量流量控制器以第二设定流量值向真空传输腔室充入气体，其中，第一设定流量值大于第二设定流量值。

优选地，本实施例提供的控压装置还包括：第一时间判断模块604，用于当所述获取模块602的获取的所述压力值小于或等于第二设定压力值时，判断向真空传输腔室充入气体的时间是否超出第一设定时间；若未超出第 一设定时间，则返回所述获取模块602。

优选地，本实施例的第一控制模块601包括：阀门控制子模块6011，用于关闭控制真空传输腔室压力的慢抽阀，并开启快抽阀；获取子模块6012，用于获取真空传输腔室的压力值；执行子模块6013，用于当获取子模块6012获取的压力值大于或等于第一设定压力值，则判断快抽阀的开启时间是否超出第二设定时间；若未超出第二设定时间，则调用获取子模块6012。

优选地，本实施例提供的控压装置还包括：第二阀门控制模块609，用于在阀门控制子模块6011关闭控制真空传输腔室压力的慢抽阀之前，开启慢抽阀；第三判断模块610，用于待慢抽阀开启超出第三设定时间后，获取真空传输腔室的压力值，并判断获取的真空传输腔室压力值是否小于或等于第三设定压力值；第三执行模块611，用于若第三判断模块610的判断结果为小于或等于第三设定压力值，则调用阀门控制子模块；第四执行模块612，用于若第三判断模块610的判断结果为大于第三设定压力值，则显示用于指示真空传输腔室的当前状态未达到开启快抽阀条件的告警信息。

优选地，本实施例的控压装置还包括：第四判断模块613，用于在第二阀门控制模块609开启慢抽阀之前，获取真空传输腔室的压力值，并判断获取的真空传输腔室压力值是否小于或等于第三设定压力值；第五执行模块614，用于若第四判断模块613的判断结果为大于第三设定压力值，则调用第二阀门控制模块609；第六执行模块615，用于若第四判断模块613的判断结果小于或等于第三设定压力值，则直接调用阀门控制子模块6011。

本实施例的控压装置用于实现前述实施例一、实施例二中相应的控压方法，并且具有相应的方法实施例的有益效果，在此不再赘述。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于系统实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描 述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

以上对本发明所提供的一种控压方法和装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。