一种降噪型非晶合金铁心的装配工艺的制作方法

文档序号:11064172阅读:741来源:国知局
一种降噪型非晶合金铁心的装配工艺的制造方法与工艺

本发明涉及一种干式非晶合金变压器用非晶合金铁心,尤其涉及一种降噪型非晶合金铁心的装配工艺。



背景技术:

2011年南方电网拟将S13型变压器作为主推品种,2012年上半年非晶合金变压器招标比例达到27%,成为其首推品种,彰显了非晶变压器的节能优势。

随着国家节能惠民政策的推广和落实,非晶合金变压器需求将飞速发展,考虑开发了国内第1台10kV干式非晶合金变压器以来,非晶干变逐渐被用户所认可,目前市场需求不断增长。但是非晶干变相对硅钢干变较大的噪音值一直是目前市场推广的一个拦路虎,而非晶合金铁心是噪声的非晶干变本体噪声的主要来源。



技术实现要素:

本发明的目的是克服现有技术的缺陷,提供一种降噪型非晶合金铁心的装配工艺,在较低成本的情况下,降低了干式非晶合金变压器的噪声。

实现上述目的的技术方案是:一种降噪型非晶合金铁心的装配工艺,所述降噪型非晶合金铁心包括非晶合金铁心本体,所述非晶合金铁心本体包括上铁轭、下铁轭以及设置在所述上铁轭和下铁轭之间的心柱,所述装配工艺包括以下步骤:

S1,在所述上铁轭的前侧面和后侧面分别包裹一层上铁轭包装纸,该上铁轭包装纸的形状呈T形,材质为聚酯薄膜聚酯纤维非织布柔软复合箔(DM包装纸);

S2,在所述心柱的外部包裹一层心柱包装纸,该心柱包装纸的形状为矩形,材质为聚酯薄膜聚酯纤维非织布柔软复合箔;

S3,在所述下铁轭的外部包裹一层下铁轭包装纸,该下铁轭包装纸的形状为矩形,材质为聚酯薄膜聚酯纤维非织布柔软复合箔;

S4,在所述上铁轭的上表面和下表面分别包裹一层上铁轭包封包装纸,该上铁轭包封包装纸的形状为矩形,材质为聚酯薄膜聚酯纤维非织布柔软复合箔。

上述的一种降噪型非晶合金铁心的装配工艺,其中,所述的非晶合金铁心本体为四框五柱结构。

本发明的降噪型非晶合金铁心的装配工艺,在上铁轭、下铁轭和心柱的外部分别包裹一层包装纸,包装纸的材质为聚酯薄膜聚酯纤维非织布柔软复合箔,各包装纸将非晶合金铁心本体进行全方位包裹,通过阻断非晶干变噪声的主要来源-非晶合金铁心噪声的向外传播,从而降低非晶干变的整体噪声,在较低成本的情况下,降低了干式非晶合金变压器的噪声。

附图说明

图1为本发明的降噪型非晶合金铁心的结构示意图;

图2为步骤S1的非晶合金铁心的结构图;

图3为图2的A-A向剖视图;

图4为上铁轭包装纸的形状示意图;

图5为步骤S2的非晶合金铁心的结构图;

图6为图5的B-B向剖视图;

图7为心柱包装纸的形状示意图;

图8为步骤S3的非晶合金铁心的结构图;

图9为图8的C-C向剖视图;

图10为下铁轭包装纸的形状示意图

图11为步骤S4的非晶合金铁心的结构图;

图12为上铁轭包封包装纸的形状示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的技术人员能更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图对其具体实施方式进行详细地说明:

请参阅图1,降噪型非晶合金铁心包括非晶合金铁心本体1,非晶合金铁心本体1包括上铁轭11、下铁轭12以及设置在上铁轭11和下铁轭12之间的心柱13,上 铁轭11、下铁轭12和心柱13的外部分别包裹一层包装纸,包装纸的材质为聚酯薄膜聚酯纤维非织布柔软复合箔(DM包装纸)。非晶合金铁心本体1为四框五柱结构。

请参阅图2-图12,本发明的最佳实施例,一种降噪型非晶合金铁心的装配工艺,包括以下步骤:

S1,请参阅图2至图4,在所上铁轭11的前侧面和后侧面分别包裹一层上铁轭包装纸21,该上铁轭包装纸21的形状呈T形,材质为聚酯薄膜聚酯纤维非织布柔软复合箔;

S2,请参阅图5-图7,在心柱13的外部包裹一层心柱包装纸23,该心柱包装纸23的形状为矩形,材质为聚酯薄膜聚酯纤维非织布柔软复合箔;

S3,请参阅图8-图10,在下铁轭12的外部包裹一层下铁轭包装纸22,该下铁轭包装纸22的形状为矩形,材质为聚酯薄膜聚酯纤维非织布柔软复合箔;

S4,请参阅图11-图12,在上铁轭11的上表面和下表面分别包裹一层上铁轭包封包装纸24,该上铁轭包封包装纸24的形状为矩形,材质为聚酯薄膜聚酯纤维非织布柔软复合箔。

非晶干变相对较高的噪声值称为阻碍其推广的重要原因。本发明的降噪型非晶合金铁心的装配工艺,通过在上铁轭11、下铁轭12和心柱13的外部分别包裹一层DM包装纸,各DM包装纸将非晶合金铁心本体进行全方位包裹,阻断非晶干变噪声的主要来源-非晶合金铁心噪声的向外传播,从而降低非晶干变的整体噪声,在较低成本的情况下,降低了干式非晶合金变压器的噪声。

本技术领域中的普通技术人员应当认识到,以上的实施例仅是用来说明本发明,而并非用作为对本发明的限定,只要在本发明的实质精神范围内,对以上所述实施例的变化、变型都将落在本发明的权利要求书范围内。

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