技术总结
一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：在栅极结构顶部表面和侧壁表面、以及基底表面形成介质层；刻蚀位于源漏互连区上方的介质层，形成位于源漏互连区上方的第一凹槽，同时刻蚀位于桥连区上方的介质层，形成位于桥连区上方的第二凹槽；形成填充满第一凹槽的第零层导电层，同时形成填充满第二凹槽的桥连导电层，第零层导电层与源漏互连区内的源漏极电连接；刻蚀位于栅极互连区上方的介质层，在介质层内形成位于栅极互连区上方的第三凹槽，第三凹槽暴露出栅极互连区的栅极结构表面；形成填充满所述第三凹槽的第零层栅导电层，且相邻第零层栅导电层与所述桥连导电层侧壁相接触。本发明改善形成的半导体结构的电学性能。
技术研发人员：余云初;沈忆华;潘见;傅丰华
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
文档号码：201510706331
技术研发日：2015.10.27
技术公布日：2017.05.03