技术总结
在所述示例中，半导体器件(100)具有通过以高剂量和低能量将锑和/或砷注入到p型第一外延层(104)中，并且以低剂量和高能量注入磷形成的n型埋层(108)。热驱动过程扩散和激活重掺杂剂和磷二者。锑和砷不显著扩散，保持用于埋层(108)的主层(114)的窄分布。磷扩散以提供在主层(114)下方的几微米厚的轻掺杂层(120)。外延p型层(106)在埋层(108)上方生长。
技术研发人员：S·P·彭哈卡;B·胡;H·L·爱德华兹
受保护的技术使用者：德克萨斯仪器股份有限公司
文档号码：201580020171
技术研发日：2015.04.27
技术公布日：2016.12.14