技术特征：
技术总结
半导体互连和用于制造半导体互连的方法。一种互连可包括在第一导电互连层与第一中部制程(MOL)互连层之间的第一导电材料的第一通孔。第一MOL互连层在第一级上。第一通孔是用单镶嵌工艺来制造的。该半导体互连还包括在第一导电互连层与第二MOL互连层之间的第二导电材料的第二通孔。第二MOL互连层在第二级上。第二通孔是用双镶嵌工艺来制造的。第一导电材料不同于第二导电材料。
技术研发人员：J·J·朱;J·J·徐;S·S·宋;K·利姆;Z·王
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：2015.04.02
技术公布日：2017.08.01