1.一种圆柱状形成物，其特征在于，
以Cu为主成分，
该圆柱状形成物是直径为50～100μm的圆柱形状，该圆柱的高度/直径比为2.0以上，
作为半导体连接用的Cu柱使用。
2.一种圆柱状形成物，其特征在于，
以Cu为主成分，
该圆柱状形成物是直径为100～400μm的圆柱形状，
作为半导体连接用的Cu柱使用。
3.根据权利要求2所述的圆柱状形成物，其特征在于，圆柱的高度为200～800μm。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的圆柱状形成物，其特征在于，还以总计为5.0质量％以下的范围含有Pd、Pt、Au、Ni中的一种或两种以上。
5.根据权利要求1～4的任一项所述的圆柱状形成物，其特征在于，还含有15质量ppm以下的Ti。
6.根据权利要求1～5的任一项所述的圆柱状形成物，其特征在于，还含有150质量ppm以下的P。
7.根据权利要求1～6的任一项所述的圆柱状形成物，其特征在于，作为杂质而含有的S含量和Cl含量的总计为1质量ppm以下。