1. 一种介电组合物，所述介电组合物具有由(BiaNabSrcBad) (αxTi1-x)O3表示的主组分，
其特征在于α为选自Zr和Sn至少之一；并且
a、b、c、d和x满足以下关系：0.140≤a≤0.390，0.140≤b≤0.390，0.200≤c≤0.700，0.020≤d≤0.240，0.020≤x≤0.240，和0.950≤a+b+c+d≤1.050。
2.权利要求1的介电组合物，其中a、b、c、d和x满足以下关系：0.200≤a≤0.390，0.200≤b≤0.390，0.300≤c≤0.700，0.020≤d≤0.200，0.020≤x≤0.200，和0.950≤a+b+c+d≤1.050。
3.一种介电元件，所述介电元件包括权利要求1或2的介电组合物。
4.一种电子组件，所述电子组件提供有包含权利要求1或2的介电组合物的介电层。
5.一种层压电子组件，所述层压电子组件具有通过交替层压内电极层和包含权利要求1或2的介电组合物的介电层形成的层压部分。