技术总结
本发明的目的在于提供一种介电组合物，在施加至少8V/µm DC偏压时，所述介电组合物具有800或更大的相对高的介电常数，且具有4%或更小的相对低的介电损耗，本发明的目的也在于提供利用所述介电组合物的介电元件、电子组件和层压电子组件。介电组合物具有由(BiaNabSrcBad)(αxTi1‑x)O3表示的主组分，其特征在于α为选自Zr和Sn至少之一；并且a、b、c、d和x满足以下关系：0.140≤a≤0.390，0.140≤b≤0.390，0.200≤c≤0.700，0.020≤d≤0.240，0.020≤x≤0.240，和0.950≤a+b+c+d≤1.050。
技术研发人员：M.广濑;T.井川;G.田内
受保护的技术使用者：埃普科斯股份有限公司
技术研发日：2015.09.08
技术公布日：2019.02.15