技术特征：
技术总结
本发明提供一种提高多晶硅平坦化均匀性的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有隔离区域；在所述半导体衬底上形成栅极结构，并在所述隔离区域的上方形成虚拟栅极结构；形成覆盖多晶硅层，所述覆盖多晶硅层覆盖所述栅极结构及所述虚拟栅极结构，并填满所述栅极结构之间、所述虚拟栅极结构之间及所述栅极结构与所述虚拟栅极结构之间的间隙；对所述覆盖多晶硅层进行平坦化处理。通先在隔离区域的上方形成虚拟栅极结构，而后再形成覆盖多晶硅层，并对覆盖多晶硅层进行平坦化处理，可以有效地提高覆盖多晶硅层的平坦化均匀性。
技术研发人员：李敏
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2016.01.06
技术公布日：2017.07.14