技术总结
提供了半导体装置和制造半导体装置的方法，制造半导体装置的方法包括：在基底上顺序地堆叠硬掩模层、第一牺牲层和第二牺牲层；通过蚀刻第二牺牲层在第一牺牲层上形成第一芯轴；在第一芯轴的侧壁上形成第一间隔件；形成在已经去除第一芯轴的区域之外设置的光致抗蚀剂图案；通过使用第一间隔件和光致抗蚀剂图案作为各自的蚀刻掩模蚀刻第一牺牲层来形成第二芯轴和第三芯轴；在第二芯轴和第三芯轴的侧壁上形成第二间隔件和第三间隔件；通过蚀刻硬掩模层和基底的至少一部分来形成具有第一节距的第一有源图案和具有第二节距的第二有源图案；以及形成装置隔离层以使第一有源图案和第二有源图案的上部分突出。
技术研发人员：朴善钦;金成玟
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2016.01.20
技术公布日：2019.01.25