一种温度控制开关的有机异质结光敏场效应晶体管及其制备方法与流程_2

1.一种温度控制开关的有机异质结光敏场效应晶体管，其特征在于，包括衬底( 1 )、开关电极( 2 )、栅电极( 3 )、绝缘层( 4 )、光敏有机半导体层( 5 )、电子传输层( 6 )、第一缓冲层( 701 )、第二缓冲层( 702 )、源电极( 801 )、漏电极( 802 )、第一封装层( 9 )、第二封装层( 10 )；其中：

开关电极位于衬底之上，由具有相变性质的二氧化钒薄膜构成；栅电极位于开关电极之上，绝缘层位于栅电极之上，光敏有机半导体层位于绝缘层之上，电子传输层位于光敏有机半导体层之上，光敏有机半导体层和电子传输层形成体异质结；第一缓冲层、第二缓冲层分别位于光敏有机半导体上方两侧，中间未覆盖第一缓冲层、第二缓冲层的部分形成沟道；源电极、漏电极分别位于第一缓冲层、第二缓冲层之上，源电极、漏电极的宽度分别与第一缓冲层、第二缓冲层相等；第一封装层、第二封装层依此叠加在制备好第一缓冲层、第二缓冲层、源电极和漏电极的光敏有机半导体层之上；

所述的开关电极的相变温度在35-78摄氏度；关电极相变前后电阻率相差10⁴倍以上。

2.根据权利要求1所述的一种温度控制开关的有机异质结光敏场效应晶体管，其特征在于，构成绝缘层的材料为聚乙烯醇或聚甲基丙烯酸甲酯。

3.根据权利要求1所述的一种温度控制开关的有机异质结光敏场效应晶体管，其特征在于，构成光敏有机半导体层的材料为酞箐铜。

4.根据权利要求1所述的一种温度控制开关的有机异质结光敏场效应晶体管，其特征在于，构成电子传输层的材料为C60。

5.根据权利要求1所述的一种温度控制开关的有机异质结光敏场效应晶体管，其特征在于，构成第一缓冲层和第二缓冲层的材料为Bphen。

6.制备权利要求1所述的一种温度控制开关的有机异质结光敏场效应晶体管的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1 )在衬底上制备开关电极；

2 )在所述步骤1 )得到的开关电极之上制备栅电极；

3 )在所述步骤2 )得到的栅电极之上制备绝缘层，并对其进行退火处理；

4 )在所述步骤3 )得到的绝缘层上制备光敏有机半导体层；

5 )在所述步骤4 )得到的光敏有机半导体层上制备电子传输层；

6 )在所述步骤5 )得到的电子传输层上，通过光刻的方式在电子传输层两侧分别制备第一 缓冲层和第二缓冲层；

7 )在所述步骤6 )得到的第一缓冲层和第二缓冲层上分别制备源电极和漏电极；

8 )在所述步骤1 ) -7 )得到的器件上制备第一封装层和第二封装层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述的步骤1 )中，制备开关电极的方法为溶胶-凝胶法，将五氧化二钒加热到860度形成熔融状并倒入蒸馏水，配成浓度为6％溶胶，通过旋涂的方式制备薄膜，旋涂速度为450转/分，旋涂时间为30秒，并将旋涂好五氧化二钒薄膜的衬底在480度下退火两小时形成二氧化钒薄膜。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤2 ) 3 ) 4 ) 5 ) 6 ) 7 ) 8 )制备栅电极、绝缘层、光敏有机半导体层、电子传输层、第一缓冲层、第二缓冲层、源电极、漏电极、第一封装层、第二封装层的方法为真空热蒸镀、旋涂、化学气相沉积中的一种或多种。