高电流注入机台监控方法与流程

技术特征：

1.一种高电流注入机台监控方法，其特征在于包括：

在裸晶上形成一层氧化层；

量测氧化层的膜厚；

判断膜厚的均匀性是否满足预定要求；

如果膜厚的均匀性满足预定要求，则利用高电流注入机台对裸晶执行高电流注入工艺；

在高电流注入工艺完成之后对裸晶进行N2退火；

测量裸晶的方块电阻值；

根据方块电阻值来判断高电流注入机台的状态；

氧化层的厚度介于和之间。

2.根据权利要求1所述的高电流注入机台监控方法，其特征在于，氧化层的厚度介于和之间。

3.根据权利要求1所述的高电流注入机台监控方法，其特征在于，氧化层的厚度为

4.根据权利要求1所述的高电流注入机台监控方法，其特征在于，在退火时不使用O2。

5.根据权利要求1所述的高电流注入机台监控方法，其特征在于，所述高电流注入机台监控方法被用于控制结深的工艺。

6.根据权利要求1所述的高电流注入机台监控方法，其特征在于，所述高电流注入机台监控方法被用于推阱工艺。