技术特征：
技术总结
本发明提出了一种减少外延衬底缺陷的形成方法，先对原始外延衬底进行沉浸式缺陷去除处理，去除原始外延衬底较多的刮伤和缺陷，接着，进行抛光处理，接着，通过检测收集原始外延衬底表面形貌数据，并对形貌数据进行分析，获得原始外延衬底不同区域的待刻蚀量，并通过待刻蚀量确定不同区域所需的工艺参数，有针对性的刻蚀去除原始外延衬底不同区域的待刻蚀量，从而去除原始外延衬底表面的缺陷及刮伤，形成表面平滑的外延衬底，进而使后续形成的外延层性能得到提高。
技术研发人员：肖德元
受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司
技术研发日：2016.04.01
技术公布日：2017.10.24