一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池，其中，所述太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层位于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其特征在于，所述钝化隧穿层为氧化硅/氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅/氮化硅梯度叠层、氧化硅/氮氧化硅/氮化硅梯度叠层中的一种；所述氮氧化硅为掺杂氮的氧化硅或掺杂氧的氮化硅；所述氧化硅/氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅/氮化硅梯度叠层、氧化硅/氮氧化硅/氮化硅梯度叠层的氮浓度从远离硅片的一侧向邻近硅片的一侧梯度降低。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于所述钝化隧穿层的厚度为0.5～5nm。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于所述钝化隧穿层中氮的扩散深度为0.1～5nm。4.根据权利要求1至3任一项所述的太阳能电池，其特征在于所述氧化硅/氮氧化硅梯度叠层远离所述硅片的一侧0.2nm深度范围内氮的原子浓度不低于20at.％，所述氧化硅/氮氧化硅梯度叠层邻近所述硅片的一侧0.2nm深度范围内氮的原子浓度不高于5at.％。5.根据权利要求1至3任一项所述的太阳能电池，其特征在于所述氮氧化硅/氮化硅梯度叠层的远离所述硅片的一侧0.2nm深度范围内氮的原子浓度为30～57.1at.％，所述氮氧化硅/氮化硅梯度叠层邻近所述硅片的一侧0.2nm深度范围内氮的原子浓度为5～30at.％，氧的原子浓度为10～40at.％。6.根据权利要求1至3任一项所述的太阳能电池，其特征在于所述氧化硅/氮氧化硅/氮化硅梯度叠层远离所述硅片的一侧0.2nm深度范围内氮的原子浓度为30～57.1at.％，所述氧化硅/氮氧化硅/氮化硅梯度叠层邻近所述硅片的一侧0.2nm深度范围内氮的原子浓度不高于5at.％。7.一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池制备方法，所述太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层位于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其特征在于，所述钝化隧穿层的制备方法包括以下步骤：在所述硅片表面生成氧化硅层，然后在所述氧化硅层表面生成氮氧化硅层或氮化硅层，之后将得到的产品进行退火处理；或者在所述硅片表面生成氮氧化硅层，然后在所述氮氧化硅表面生成氮化硅层，之后将得到的产品进行退火处理；或者在所述硅片表面生成氧化硅层，然后在所述氧化硅层表面生成氮氧化硅层，然后再在所述氮氧化硅层表面生成氮化硅层，之后将得到的产品进行退火处理。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于所述在所述硅片表面生成氧化硅层、在所述氧化硅层表面生成氮氧化硅层或氮化硅层、在所述硅片表面生成氮氧化硅层、在所述氮氧化硅表面生成氮化硅层的制备方法包括原子层沉积制备法、化学气相沉积法、反应溅射法、直接氮化法、离子植入法，所述化学气相沉积法包括等离子增强化学气相沉积法、微波等离子增强化学气相沉积、射频等离子增强法、热丝等离子体气相沉积、低压化学气相沉积法、中压化学气相沉积法、射频辉光放电等离子增强化学气相沉积法、电感耦合等离子增强化学气相沉积法、光化学气相沉积法、热化学气相沉积法。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于所述化学气相沉积法的反应气体包括SiH4、N2、NH3、N2O、O2中的一种或几种。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于所述反应气体的流量比是SiH4:NH3＝1:0.1～1:100或SiH4:N2＝1:0.1～1:200或SiH4:N2O＝1:0.1～1:100或SiH4:O2＝1:0.1～1:100或SiH4:N2：O2＝1:0.1:0.1～1:100:100。