1.一种同轴金属柱，其特征是，包括轴心金属柱、介电层和外层金属层，轴心金属柱设置于封装基材的上层金属垫的上表面；介电层包覆于轴心金属柱的外侧表面；外层金属层包覆于介电层的外侧表面。
2.如权利要求1所述的同轴金属柱，其特征是，轴心金属柱底部电性耦合于金属垫的上表面。
3.如权利要求1所述的同轴金属柱，其特征是，金属垫为封装基材的电路系统的表面链接端点。
4.如权利要求3所述的同轴金属柱，其特征是，电路系统进一步包括第一底部电路重新分配层、上层金属垫、第二底部电路重新分配层和下层金属垫，第一底部电路重新分配层设置于同轴金属柱的底部，埋设于第一介电层中；上层金属垫设置于第一底部电路重新分配层的上方，具有第一密度，适合将封装基材电性耦合至外部的系统电路板；第二底部电路重新分配层设置于第一底部电路重新分配层的下方，埋入至第二介电层中；下层金属垫设置于第二底部电路重新分配层下方，具有第二密度；第二密度高于第一密度，适合于芯片安置用。
5.如权利要求4所述的同轴金属柱，其特征是，外部的系统电路板包括轴心金属垫和环形金属垫，轴心金属垫设置于外部的系统电路板上；环形金属垫环绕于轴心金属垫的外围，电性独立于轴心金属垫；当封装基材与外部的系统电路板连接时，轴心金属垫对应连接同轴金属柱的轴心金属柱，环形金属垫对应连接同轴金属柱的外层金属层。
6.一种同轴金属柱的制作方法，其特征是，包括如下工艺步骤：
准备基材，表面具有上层介电层；多个上层金属垫裸露于上方，具有一个密度适于将基材电性耦合至外部的系统电路板；具有下层介电层，多个下层金属垫裸露于下方，适于芯片安置用；
涂布种子层，于上金属垫的上表面与上层介电层的上表面；
涂布第一光阻层，于种子层的上表面；
图案化第一光阻层，制作多个第一沟槽；
电镀金属于第一沟槽内，制作多个金属柱；
移除第一光阻层；
移除金属柱与金属柱之间的种子层；
涂布第二光阻层，于介电层的上表面与金属柱的上表面；
图案化第二光阻层，制作多个第二沟槽，第二沟槽环绕特定的金属柱；
填充介电材料于第二沟槽内，包覆裸露的金属柱；
移除顶部多余材料，使第二光阻层、介电材料以及金属柱具有相同的高度；
移除第二光阻层；
涂布第三光阻层；
图案化第三光阻层，制作多个第三沟槽，第三沟槽环绕已被介电材料包覆之特定的金属柱；
无电电镀金属材料层，包覆于介电材料的裸露表面与轴心金属柱的上表面；
移除第三光阻层；
移除覆盖于介电材料上表面与轴心金属柱上表面的金属材料层。
7.如权利要求6所述的同轴金属柱的制作方法，其特征是，进一步包括如下工艺步骤：
至少一片芯片，电性耦合至下层金属垫；
底部填充材料，填充于芯片与基材之间的空间；
切割得到多个芯片封装单元。