技术特征：
技术总结
本发明提供了一种功率二极管的制备方法和功率二极管，其中，制备方法包括：在N型衬底上依次形成N型外延层和N型外延层的预设区域的N型结区；在形成N型结区后，在N型外延层上依次形成场氧化层、多晶硅层和绝缘层掩膜结构，绝缘层掩膜结构与N型结区在垂直方向上对齐；以绝缘层掩膜结构为掩膜，依次对多晶硅层和场氧化层进行各向异性刻蚀，以暴露出用于制作体区的外延层的指定区域；在外延层的指定区域形成P型体区，并在P型体区的边缘形成P‑型区域；在P‑型区域的内侧的外延层中，形成与P‑型区域分离的N+型区域和电极，以完成功率二极管的制作。通过本发明的技术方案，减小了器件的通态压降，进而提升了功率二极管的可靠性。
技术研发人员：李理;赵圣哲;马万里
受保护的技术使用者：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
技术研发日：2016.07.05
技术公布日：2018.01.12