1.一种自选择阻变存储器，具有挥发性低阻态，包括底电极、顶电极和位于底电极与顶电极之间的阻变介质层，其特征在于，所述阻变介质层的材料为过渡金属氧化物；顶电极和底电极中一个为活性电极，另一个为惰性电极；在活性电极一侧具有电极引出层；所述活性电极的厚度在5～50nm，其材料能够吸收阻变介质层中的氧元素，使阻变介质层中形成氧空位；所述惰性电极采用惰性材料，不会吸收阻变介质层中的氧元素。
2.如权利要求1所述的自选择阻变存储器，其特征在于，所述活性电极的材料选自下列物质中的一种或多种：Ti、TiN、Hf、Ta和Al。
3.如权利要求1所述的自选择阻变存储器，其特征在于，所述电极引出层和惰性电极的材料选自下列物质中的一种或多种：Pt、Ni、Ir和W。
4.如权利要求1所述的自选择阻变存储器，其特征在于，所述阻变介质层的厚度为20～50nm，其材料可选自下列过渡金属氧化物中的一种或多种：Ta2O5、HfO2、Al2O3和NiO。
5.如权利要求1所述的自选择阻变存储器，其特征在于，所述顶电极和底电极形成十字交叉。
6.权利要求1～5任意一项所述自选择阻变存储器的读写方法，包括：
1)在器件的set/forming过程中，设置限流值≤500μA，从0开始扫描电压，直到电压值足够使得器件发生set转换，器件的阻值从高阻态变为低阻态；撤去电压后，由于器件的低阻态具有挥发性，器件的阻值从低阻态转变到一个接近高阻态的阻值；
2)在器件的reset过程中，从0开始反向扫描电压，在此过程中器件先发生反向set过程，其阻值重新回到低阻态，之后随着电压值的进一步增大，又发生reset过程，阻值恢复到高阻态；
3)将挥发性低阻态形成的高阻态记为状态1，将器件本身的高阻态记为状态0，这两个状态用于存储，则写入1的操作与上述的set/forming过程相同，写入0的操作与上述的reset过程相同；
4)在读操作中，设置读取电压Vread的大小在器件发生反向set和reset过程的电压之间，如果器件处于状态1，那么其会发生反向set；如果器件处于状态0，那么其仍会保持在该状态。
7.如权利要求6所述的读写方法，其特征在于，所述自选择阻变存储器应用于十字交叉阵列中，使1/2Vread的值小于发生反向set电压的值。