1.一种在等离子体处理室中使用的具有多个电引线的静电屏，包括：
多个瓣状件组，每一个瓣状件组包括基本平的结构，其中每个瓣状件组与任何其他瓣状件组绝缘，并且其中每个瓣状件组电连接到所述多个电引线中的至少一个，并且其中所述多个瓣状件组形成围绕垂直轴的径向对称；和
每个基本平的结构包括导电环的一部分，和多个导电瓣状件，每个导电瓣状件连接到所述导电环的一部分，并且除了所述导电瓣状件连接到所述导电环的一部分的地方，每个导电瓣状件与其他导电瓣状件绝缘，其中所述至少一个电引线被连接到每个瓣状件组中的基本等电位位置。
2.如权利要求1所述的静电屏，其中每个瓣状件组的导电环的一部分位于所述瓣状件的径向向内的端部。
3.如权利要求1所述的静电屏，其中每个瓣状件组的导电环的一部分位于所述瓣状件的径向向外的端部。
4.如权利要求1所述的静电屏，其中所述瓣状件组是基本共面的。
5.如权利要求1所述的静电屏，其中所述瓣状件通过径向方向上的狭缝形成，所述狭缝内的空间是非导电的，并且其中每个瓣状件组与任何其他瓣状件组绝缘是通过在所述瓣状件组之间提供非导电空间来实现，其中所述瓣状件组之间的非导电空间还包括径向方向上的狭缝。
6.一种在等离子体处理室中使用的射频窗，包括：
介电材料盘；
置于所述介电窗上的如权利要求1所述的静电屏。
7.如权利要求6所述的窗，其中所述盘和所述静电屏通过共烧结整体形成。
8.如权利要求7所述的窗，其中所述静电屏包括钨、钽、铜、银、铝或钼中的一种或多种。
9.一种使用和维持等离子体处理室的方法，包括：
将衬底置于电感耦合的等离子体处理室中；
使处理气体流入所述等离子体处理室；
通过浮动的静电屏蔽件和介电窗提供电感耦合功率到所述等离子体处理室；
停止所述处理气体的流动以及电感耦合功率的提供；
从所述等离子体处理室中去除所述衬底；
使窗口修复气体流入所述等离子体处理室；
通过所述静电屏蔽件和所述介电窗提供电感耦合功率到所述等离子体处理室；
提供RF功率到所述静电屏蔽件；以及
停止所述窗口修复气体的流动和所述电感耦合功率和所述RF功率的提供。
10.如权利要求9所述的方法，其中所述等离子体处理室具有多个电引线，并且其中所述静电屏蔽件包括：
多个瓣状件组，每一个瓣状件组包括基本平的结构，其中每个瓣状件组与任何其他瓣状件组绝缘，并且其中每个瓣状件组电连接到所述多个电引线中的至少一个电引线，并且其中所述多个瓣状件组形成围绕垂直轴的径向对称；和
每个基本平的结构包括导电环的一部分，和多个导电瓣状件，每个导电瓣状件连接到所述导电环的一部分，其中所述至少一个电引线被连接到每个瓣状件组中的基本等电位位置。