一种光发射机中的激光器保护电路的制作方法

文档序号:12475451阅读:322来源:国知局
一种光发射机中的激光器保护电路的制作方法与工艺

本发明涉及光纤通信技术领域,具体地涉及一种光发射机中的激光器保护电路。



背景技术:

在光纤通信系统中,光发射机中激光器是非常重要的器件,在给激光器驱动电路加上电的瞬间,会产生一个较大的冲击电流,瞬间电流的大变化会影响半导体激光器的使用寿命。此外,一般情况下,电源电压都是由交流220V经变压整流提供给驱动电路电压,外部串入的干扰信号也会产生瞬间的大电流,这样,长期工作也会影响半导体激光器的使用寿命。

因此,有必要提出一种可以不受电源电压的干扰,并具有慢启动效果的光发射机中的激光器保护电路。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种可以不受电源电压的干扰,并具有慢启动效果的光发射机中的激光器保护电路。

本发明的技术方案如下:一种光发射机中的激光器保护电路包括用于实现慢启动功能的慢启动电路和用于实现慢关闭功能的慢关闭电路,所述慢启动电路包括相互电连接的达林顿三极管和第一电容组,所述第一电容组接地设置;

所述慢关闭电路包括分别与所述慢启动电路电连接且均接地设置的第一π型RC电路和第二π型RC电路,所述第一π型RC电路和所述第二π型RC电路分别设置在所述慢启动电路两侧,且所述第一π型RC电路、所述达林顿三极管和所述第二π型RC电路依次电连接设置。

优选地,所述第一电容组包括至少一个接地设置的电容器,且每一所述电容器均与所述达林顿三极管电连接设置。

优选地,所述第一π型RC电路和所述第二π型RC电路均包括依次环路电连接设置的电阻、第一电容和第二电容,且所述第一电容和所述第二电容均接地设置。

优选地,在所述第一π型RC电路内,外界电源电接入所述电阻和所述第一电容之间,所述慢启动电路的达林顿三极管电接入所述电阻和所述第二电容之间。

优选地,在所述第二π型RC电路内,所述慢启动电路的达林顿三极管电接入所述电阻和所述第一电容之间,激光器电接入所述电阻和所述第二电容之间。

优选地,在所述慢启动电路内,所述达林顿三极管还并联设置有滑动电阻器,所述滑动电阻器一端电接入所述达林顿三极管和所述慢关闭电路之间,另一端电接入所述达林顿三极管和所述第一电容组之间。

优选地,还包括分别与激光器的激光管并联设置的第三电容和反向二极管。

优选地,还包括与激光器的激光管并联设置的多个前向导通的二极管,多个所述前向导通的二极管依次串联设置。

本发明的有益效果在于:所述光发射机中的激光器保护电路不仅可以在使激光器不会受到每次开启电源或关闭电源时产生的电流冲击,具有慢启动或慢关闭效果,延长了激光器的使用寿命,而且还可以避免外部高频干扰而产生瞬间大电流降低半导体激光器的使用寿命。

附图说明

图1是本发明提供的光发射机中的激光器保护电路的结构示意图;

图2是本发明提供的光发射机中的激光器保护电路中与激光管并联的电路结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

除非上下文另有特定清楚的描述,本发明中的元件和组件,数量既可以单个的形式存在,也可以多个的形式存在,本发明并不对此进行限定。可以理解,本文中所使用的术语“和/或”涉及且涵盖相关联的所列项目中的一者或一者以上的任何和所有可能的组合。

请参阅图1,是本发明提供的光发射机中的激光器保护电路的结构示意图。所述光发射机中的激光器保护电路包括用于实现慢启动功能的慢启动电路10和用于实现慢关闭功能的慢关闭电路20。其中,所述慢启动电路10和所述慢关闭电路20可以在给激光器驱动电路加电或断电的瞬间降低冲击电流,从而使激光器不会受到每次开启电源或关闭电源时产生的电流冲击,具有慢启动或慢关闭效果,延长了激光器的使用寿命。

其中,所述慢启动电路10包括相互电连接的达林顿三极管11和第一电容组12,所述第一电容组12接地设置。在本实施例中,所述第一电容组12包括至少一个接地设置的电容器,且每一所述电容器均与所述达林顿三极管11电连接设置。优选地,所述达林顿三极管11是NPN型三极管。

在所述慢启动电路10中,当电源打开后,所述第一电容组12充电,当所述第一电容组12达到所述达林顿三极管11的开启电压后,所述电源导通,从而实现慢启动功能。

可选择地,在所述慢启动电路10内,所述达林顿三极管11还可以并联设置有滑动电阻器13,所述滑动电阻器13一端电接入所述达林顿三极管11和所述慢关闭电路20之间,另一端电接入所述达林顿三极管11和所述第一电容组12之间。因此,可以通过调节所述滑动电阻器13接入电路的电阻值而调节所述激光器的启动时间。

所述慢关闭电路20包括分别与所述慢启动电路10电连接且均接地设置的第一π型RC电路21和第二π型RC电路22,所述第一π型RC电路21和所述第二π型RC电路22分别设置在所述慢启动电路10两侧。而且,所述第一π型RC电路21、所述达林顿三极管11和所述第二π型RC电路22依次电连接设置。

具体地,所述第一π型RC电路21和所述第二π型RC电路22的结构相同,均包括依次环路电连接设置的电阻201、第一电容202和第二电容203,且所述第一电容202和所述第二电容203均接地设置。

在本实施例中,在所述第一π型RC电路21内,外界电源电接入所述电阻201和所述第一电容202之间,所述慢启动电路10的达林顿三极管11电接入所述电阻201和所述第二电容203之间。

在所述第二π型RC电路22内,所述慢启动电路10的达林顿三极管11电接入所述电阻201和所述第一电容202之间,激光器电接入所述电阻201和所述第二电容203之间。

需要说明的是,在本实施例中,所述慢关闭电路20可以决定光发射机的激光器的关闭时间,而且所述关闭时间可以表示为τ=RC,其中R代表所述电阻的阻值,C代表所述第一电容202和所述第二电容203的电容值。因此,可以通过选择合适的电容值和电阻值来调节所述激光器的关闭时间。

请参阅图2,是本发明提供的光发射机中的激光器保护电路中与激光管并联的电路结构示意图。进一步地,由于外部侵入的干扰信号也会产生瞬间的大电流,会影响半导体激光器的使用寿命,因此,所述光发射机中的激光器保护电路还可以包括分别与激光器的激光管并联设置的第三电容30、反向二极管40和多个依次串联设置的二极管50。

而且,所述第三电容30和所述反向二极管40之间相互配合可以避免所述激光管两端受到过大的反向电压而损坏;所述多个依次串联设置的二极管50均为前向导通设置,从而在很大前向电压发生时,多个所述二极管50导通,从而引导电流从所述二极管50流过,而不从所述激光管通过,避免了所述激光管的损坏。

相较于现有技术,本发明提供的光发射机中的激光器保护电路不仅可以在使激光器不会受到每次开启电源或关闭电源时产生的电流冲击,具有慢启动或慢关闭效果,延长了激光器的使用寿命,而且还可以避免外部高频干扰而产生瞬间大电流降低半导体激光器的使用寿命。

对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

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