阵列型片式电阻器及制造该阵列型片式电阻器的方法与流程

技术领域

本发明构思涉及一种阵列型片式电阻器及制造该阵列型片式电阻器的方法。

背景技术：

片式电阻器可适合于实现精密电阻器，因此，其需求已经延伸到各种电子组件的领域。通常，执行阻抗匹配的存储器模块的电阻器可被设置为阵列型片式电阻器的形式，并且可安装在模块基板的外部连接端子旁边。

作为形成阵列型片式电阻器的侧电极的方法，可使用通孔印刷法和涂覆印刷法等，并且，为了形成突出的侧电极，通常可使用涂覆印刷法。

然而，涂覆印刷法具有诸如材料成本增大以及在确保抗硫性能方面较弱的限制，并且需要重复的涂覆和干燥过程。

(专利文献1)日本专利第2008-103462号特许公开公布

技术实现要素：

提供该发明内容以简化形式来介绍选择的构思，以下在具体实施方式中进一步描述该构思。本发明内容无意限定所要求保护的主题的主要特征或必要特征，也无意用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

本发明构思的一方面提供了一种阵列型片式电阻器及制造该阵列型片式电阻器的方法，以允许减小制造成本并且提高生产效率。

根据一个总的方面，一种制造阵列型片式电阻器的方法可包括：按照规则的间隔分别在基板的上表面和下表面上形成上电极和下电极，并且在上电极之间形成电阻器元件；在没有形成电阻器元件的区域形成穿过基板的多个孔，所述多个孔中的每个孔位于相邻的上电极之间；利用膏填充所述多个孔；将基板分离成多个条；在所述多个条中的每个条的侧表面上未施加膏的区域上形成侧电极。

根据另一总的方面，一种阵列型片式电阻器可通过如下制造方法制造，所述制造方法包括：按照规则的间隔分别在基板的上表面和下表面上形成上电极和下电极，并且在上电极之间形成电阻器元件；在没有形成电阻器元件的区域形成穿过基板的多个孔，所述多个孔中的每个孔位于相邻的上电极之间；利用膏填充所述多个孔；将基板分离成多个条；在所述多个条中的每个条的侧表面上的未施加膏的区域上形成侧电极。

附图说明

图1是示出制造阵列型片式电阻器的方法的示例的示意性流程图；

图2是示出形成有上电极、下电极和电阻器元件的基板的示例的示意性透视图；

图3是示出在形成于基板中的多个孔中印刷有膏的基板的示例的示意性透视图；

图4是示出将基板分离成多个条的工艺的示例的示图；

图5A至图5D是示出形成侧电极的工艺的示例的示图。

在整个附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明和便利起见，可夸大附图中元件的相对尺寸、比例和描绘。

具体实施方式

提供以下的具体实施方式，以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、变型以及等同物对于本领域的普通技术人员来说将是明显的。在此描述的操作的顺序仅仅是示例，不限于在此所阐述的操作的顺序，而是除了必须以特定顺序进行的操作之外，可如对本领域的普通技术人员来说将是明显的那样进行改变。此外，为了更加清楚和简洁，可省略本领域的普通技术人员公知的功能和结构的描述。

在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且不应该被解释为局限于在此所描述的示例。更确切地说，提供在此描述的示例，以使本公开将是彻底的和完整的，并将本公开的全部范围传达给本领域的普通技术人员。

在整个说明书中，将理解的是，当诸如层、区域或晶圆(基板)的元件被称作“在”另一元件“上”、“连接到”或者“结合到”另一元件时，所述元件可直接“在”另一元件“上”、“连接到”或者“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的其它元件。相比之下，当元件被称作“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或者“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的元件或层。同样的标号始终表示同样的元件。如在此用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关联的列举的项中的任何以及全部组合。

将明显的是，虽然可在此使用“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种构件、组件、区域、层和/或部分，但是这些构件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，以下论述的第一构件、组件、区域、层或部分在不脱离实施例的教导的情况下可被称作第二构件、组件、区域、层或部分。

为了描述的方便，可在此使用与空间相关的术语(例如，“在……之上”、“上方”、“在……之下”以及“下方”等)，以描述如图中示出的一个元件与另一个元件的关系。将理解的是，除了附图中示出的方位之外，与空间相关的术语意在包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为“在”另一元件或特征“之上”或“上方”的元件可被定向为“在”另一元件或特征“之下”或“下方”。因此，基于附图的特定方向，术语“在……之上”可包含“在……之上”和“在……之下”的两种方位。装置可被另外定位(旋转90度或处于其它方位)，并可对在此使用的空间关系描述符进行相应地解释。

在此使用的术语仅用于描述特定实施例，并且不意在限制本公开。除非上下文另外明确地指明，否则如在此使用的单数形式也意在包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，指示存在所述的特征、整数、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或增加一个或更多个其它特征、整数、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组合。

在下文中，将参照示意图来描述实施例。在附图中，例如，由于制造技术和/或公差，可估计所示出的形状的修改。因此，实施例不应被解释为局限于在此示出的区域的特定形状，例如，并不限于包括制造中导致的形状方面的改变。下面的实施例还可由一个或它们的组合而构成。

下面描述的本发明构思的内容可具有多种构造，并且在此仅提出需要的构造，但不限于此。

图1是示出制造阵列型片式电阻器的方法的示例的示意性流程图。

参照图1，制造阵列型片式电阻器的方法包括：按照规则的间隔分别在基板的上表面和下表面上形成上电极和下电极，并且在上电极的部分之间形成电阻器元件(S110)；在电阻器元件之间形成穿过基板的多个孔(S120)；利用膏填充多个孔(S130)；将基板分离成多个条(S140)；在所述多个条中的每个条的侧表面上的未施加膏的区域上形成侧电极(S150)。

图2至图4是根据图1的流程图顺序地示出制造阵列型片式电阻器的方法的示图。

在下文中，参照图1，将按照图2至图4中示出的顺序来详细地描述制造阵列型片式电阻器的方法。

此外，虽然图2至图5示出了基板100包括四个片式主体的情况，每个片式主体包括四对上电极110和下电极(也就是说，阵列型片式电阻器包括四个电阻器元件130)，但是，这样的限定仅仅为了描述而设置，还可改变片式主体中所包括的电阻器元件的数量以及基板中所包括的片式主体的数量。

图2是示出形成有上电极110、下电极和电阻器元件130的基板的示例的示意性透视图。参照图2，可以确认的是，上电极110按照规则的间隔形成在具有上表面101和下表面102的基板100的上表面上。

基板100可被构造为呈矩形平行六面体形状的薄板的形式，并且可由其表面已经经过阳极氧化处理并且具有绝缘性的铝材料形成。

可当在上电极110的上部上形成上掩膜层之后，通过使用用于形成电极的导电膏的印刷法来形成上电极110，或者，可通过诸如浸渍法、印刷法或溅射法等方法来形成上电极110。

此外，在基板100的下表面102上形成以预定的间隔设置的多个下电极(未示出)。

可在基板100的与上电极110背对的下表面102上形成下电极。

与上电极110相似，可当在下电极的上部上形成上掩膜层之后，通过使用导电膏的印刷法来形成下电极，或者，可通过诸如浸渍法、印刷法或溅射法等方法来形成下电极。

可在上电极110的相邻的部分之间形成电阻器元件130。例如，电阻器元件130可主要由作为主要成分的氧化钌(RuO)形成。在这种情况下，电阻器元件130和设置在电阻器元件130的外部的上电极110可彼此电连接。

同时，在形成电阻器元件130之后，可在基板100的形成有电阻器元件130的上表面101上形成保护层(未示出)。保护层可由诸如硅(SiO₂)或玻璃的材料形成，并且可在包括将基板分离成多个条的随后的工艺中用来保护电阻器元件。保护层可形成在电阻器元件130的整个暴露表面上，但是同时还可部分地覆盖设置在电阻器元件130的外部的上电极110的内部部分，以完全密封电阻器元件130。

此外，电阻器元件130可具有阻碍电流流过阵列型片式电阻器的预定的电阻特性。为此，电阻器元件130可通过使用激光束的修整工艺(trimming process)而具有合适的电阻值。

图3是示出在形成在基板中的多个孔中印刷有膏的基板的示例的示意性透视图。参照图3，可在基板100中形成多个孔140并且利用膏150填充多个孔140。

详细地讲，可在没有形成电阻器元件130的区域形成穿过基板100的多个孔140，所述多个中140中的每个位于相邻的上电极110之间，可在包括多个孔140的基板100的预定的区域中印刷膏150，从而可使多个孔140填充有膏150。

这里，可在基板100的上表面101和下表面102这二者上按照在多个孔140的内部中形成膏150的均匀层这样的方式来执行膏150的印刷，并且可在每个表面上执行一次或更多次。此外，膏150可选自于有助于其附着和清洗操作的化学掩膜材料或物理掩膜材料。例如，膏150可包含乙基纤维素和添加剂(玻璃料、陶瓷粉末)。

图4是示出将基板分离成多个条的工艺的示例的示图。

参照图4，基板100可通过切割工艺而分离成多个条100'。此外，多个条100'可装载在用于形成侧电极的夹具装置上。其后，可在多个条100'中的每个条的侧表面上的未施加膏150的区域上形成侧电极。

然后，其上形成有侧电极的条100'可通过切割工艺来分离成片式单元的片式电阻器100”。

图5是示出形成侧电极的工艺的示例的示图。

图5示出了在条100'上的单个片式电阻器100”(图4中示出)的区域上形成侧电极的工艺。

此外，如上所述，片式电阻器100”可包括覆盖电阻器元件的整个暴露的表面并且同时部分地覆盖上电极110的内部部分的保护层(未示出)，以保护电阻器元件。

参照图5A，可确认在形成侧电极之前已经在多个孔140(图2)的内部中印刷了膏150的条100'。

如图5B所示，可在条100'的侧表面上形成金属层170。例如，可通过溅射工艺形成金属层170。例如，金属层170可由镍铬合金(NiCr)形成。在金属层170由镍铬合金(NiCr)形成的情况下，可改善侧电极的抗硫性能。

接下来，如图5C所示，可清洗条100'以从中去除膏150。例如，膏150可在水(H₂O)、NaOH、C₂H₅OH等中被清洗，从而被从条100'中去除。

然后，如图5D所示，可在金属层170上形成镀层180。

同时，可在形成镀层180之后执行的清洗工艺中去除膏150。

也就是说，在形成侧电极时，可通过去除膏150并且使得金属层170仅保持在未施加膏150的区域上来形成侧电极。

镀层180可在镀覆工艺中形成在侧电极上。镀层180可包括镍(Ni)、锡(Sn)中的至少一种。并且镀层180还可包括铜(Cu)。例如，镀层180可包括具有Ni镀层和Sn镀层的多个层(以及附加的Cu镀层)。Ni镀层可在片式电阻器的安装工艺中防止金属层170的材料浸出到焊料中，Sn镀层可设置为在片式电阻器的安装工艺中便于使片式电阻器结合到焊料。

如上所述，制造阵列型片式电阻器的方法可提高形成侧电极的工艺的效率，并且可减少形成侧电极的工艺中的缺陷。

此外，阵列型片式电阻器可在侧电极的抗硫性能方面有所改善，并且在阵列型片式电阻器的精密度方面有所改善。

虽然上面已经示出并且描述了示例性实施例，但对本领域的技术人员将明显的是，在不脱离由权利要求限定的本发明的范围的情况下，可做出修改和变化。