1.一种制造阵列型片式电阻器的方法，所述方法包括：
按照规则的间隔在基板的上表面上形成上电极并在基板的下表面上形成下电极，并且在上电极之间形成电阻器元件；
在没有形成电阻器元件的区域形成穿过基板的多个孔，所述多个孔中的每个孔位于相邻的上电极之间；
利用膏填充所述多个孔；
将基板分离成多个条；
在所述多个条中的每个条的侧表面上未施加膏的区域上形成侧电极。
2.如权利要求1所述的方法，其中，形成侧电极包括：
在所述条的侧表面上形成金属层；
去除所述膏。
3.如权利要求2所述的方法，其中，使用溅射工艺来形成金属层。
4.如权利要求2所述的方法，其中，在形成侧电极的步骤中，通过去除所述膏并且使得金属层仅保持在未施加所述膏的区域上来形成侧电极。
5.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在基板的形成有电阻器元件的上表面上形成保护层。
6.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在侧电极上形成镀层。
7.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括：将形成有侧电极的条分离成片式单元。
8.如权利要求1所述的方法，其中，侧电极由镍铬合金形成。
9.一种阵列型片式电阻器，所述阵列型片式电阻器通过根据权利要求1至8中的任意一项权利要求所述的方法来制造。