阵列型片式电阻器及制造该阵列型片式电阻器的方法与流程

技术总结
提供一种阵列型片式电阻器及制造该阵列型片式电阻器的方法，所述方法包括：按照规则的间隔分别在基板的上表面和下表面上形成上电极和下电极并且在上电极的部分之间形成电阻器元件；在电阻器元件之间形成穿过基板的多个孔；利用膏填充所述多个孔；将基板分离成多个条；在所述多个条中的每个条的侧表面上未施加膏的区域上形成侧电极。

技术研发人员：金亨珉;尹长锡;韩镇万
受保护的技术使用者：三星电机株式会社
文档号码：201610767454
技术研发日：2016.08.30
技术公布日：2017.06.20