1.一种基于慢波结构的新型均衡器，其特征在于：包括由下及上依次层叠的金属接地层(0)、第一介质层(1)、第二介质层(2)以及金属层(3)，所述第一介质层(1)、第二介质层(2)均设有金属化通孔，所述金属层(3)包括半模基片集成波导表层金属(31)、谐振器表层金属(32)、第一电阻(33)以及第二电阻(34)，所述金属接地层(0)、半模基片集成波导表层金属(31)与金属化通孔构成半模基片集成波导结构，所述金属接地层(0)、谐振器表层金属(32)与金属化通孔构成两个四分之一模基片集成波导谐振器，所述模基片集成波导表层金属(31)、谐振器表层金属(32)通过所述第一电阻(33)、第二电阻(34)连接。
2.根据权利要求1所述的基于慢波结构的新型均衡器，其特征在于：所述第二介质层(2)包括第二介质基片(20)，以及设置于第一介质基板(20)上部呈T型排列的第一金属化通孔阵列(21)、第二金属化通孔阵列(22)、第三金属化通孔阵列(23)，设置于第一介质基板(20)上部的第四金属化通孔阵列(24)，所述第二金属化通孔阵列(22)为T型竖部。
3.根据权利要求2所述的基于慢波结构的新型均衡器，其特征在于：所述第一金属化通孔阵列(21)、第三金属化通孔阵列(23)均包括沿第二介质层(20)上侧呈一排分布的若干个金属化通孔，所述第二金属化通孔阵列(22)包括垂直于第一金属化通孔阵列(21)和第三金属化通孔阵列(23)呈一排分布的若干个金属化通孔，所述第四金属化通孔阵列(24)沿第二介质层(20)下侧呈一排分布的若干个金属化通孔。
4.根据权利要求2所述的基于慢波结构的新型均衡器，其特征在于：所述第一介质层(1)包括第一介质基板(10)，以及设置于第一介质基板(10)上部呈T型排列的第五金属化通孔阵列(15)、第六金属化通孔阵列(16)以及第七金属化通孔阵列(17)，位于T型竖部两侧的第一金属化通孔阵列(11)、第二金属化通孔阵列(12)，以及由上至下依次设置于第一介质基板(10)下部的第三金属化通孔阵列(13)、第四金属化通孔阵列(14)，所述第六金属化通孔阵列(16)为T型竖部。
5.根据权利要求4所述的基于慢波结构的新型均衡器，其特征在于：所述第五金属化通孔阵列(15)、第七金属化通孔阵列(17)均包括沿第一介质层(10)上侧呈一排分布的若干个金属化通孔，所述第六金属化通孔阵列(16)垂直于第五金属化通孔阵列(15)和第七金属化通孔阵列(17)呈一排分布的若干个金属化通孔，所述第四金属化通孔阵列(14)包括沿第一介质层(10)下侧呈一排分布的若干个金属化通孔，所述第三金属化通孔阵列(13)包括呈两排分布的若干个金属化通孔，所述第一金属化通孔阵列(11)、第二金属化通孔阵列(12)均包括呈正方形分布的若干个金属化通孔。
6.根据权利要求4所述的基于慢波结构的新型均衡器，其特征在于：所述半模基片集成波导表层金属(31)与第四金属化通孔阵列(24)、第四金属化通孔阵列(14)、第三金属化通孔阵列(13)以及金属接地层(0)构成半模基片集成波导结构。
7.根据权利要求4所述的基于慢波结构的新型均衡器，其特征在于：所述谐振器表层金属(32)与第一金属化通孔阵列(21)、第二金属化通孔阵列(22)、第一金属化通孔阵列(11)、第五金属化通孔阵列(15)、第六金属化通孔阵列(16)以及金属接地层(0)构成四分之一模基片集成波导谐振器一。
8.根据权利要求4所述的基于慢波结构的新型均衡器，其特征在于：所述谐振器表层金属(32)与第二金属化通孔阵列(22)、第三金属化通孔阵列(23)、第二金属化通孔阵列(12)、第六金属化通孔阵列(16)、第七金属化通孔阵列(17)以及金属接地层(0)构成四分之一模基片集成波导谐振器二。
9.根据权利要求1-8任一所述的基于慢波结构的新型均衡器，其特征在于：所述金属接地层(0)包括虚拟金属板(00)，呈板状。