层叠型电子部件的制作方法

本发明涉及包含巴伦(Balun，平衡-不平衡转换器)的层叠型电子部件。

背景技术：

作为可以被使用于便携式电话机、无线LAN通信设备等无线通信设备的收发电路的电子部件之一有进行不平衡信号与平衡信号之间的转换的巴伦。巴伦要求在宽的频带上振幅平衡特性和相位平衡特性良好。所谓振幅平衡特性良好是指构成从巴伦输出的平衡信号的2个平衡要素信号的振幅之差接近于0。所谓相位平衡特性良好是指2个平衡要素信号的相位差接近于180度。

作为在宽带能够使用的巴伦，已知例如在日本国专利申请公开2004-56799号公报和日本国专利申请公开2006-270444号公报中记载的那样的马钱德巴伦(Marchand Balun)。

近年来，LTE(Long Term Evolution)规格的移动体通信系统被实用化，并且LTE规格的发展规格即LET-Advanced规格的移动体通信系统的实用化正在研讨中。LTE-Advanced规格中的主要技术之一有载波聚合(Carrier Aggregation，以下记作为CA)。CA是一种被称之为分量载波(component carrier，组成载波)的同时使用多个载波能够进行宽带传输的技术。

在对应于CA的移动通信设备中，多个频带被同时使用。

因此，就对应于CA的移动通信设备而言要求比现有的更加能够在宽带上进行使用的巴伦。

另外，特别是移动通信设备要求被用于其中的巴伦等电子部件的小型化。

在日本国专利申请公开2004-56799号公报中记载有为了谋求巴伦的宽带化而将包括第1耦合线路和第2耦合线路构成的马钱德巴伦、 与包括第3藕合线路和第4耦合线路的马钱德巴伦并联连接来构成1个巴伦的技术。另外，在日本国专利申请公开2004-56799号公报中记载有为了谋求巴伦的更宽带化而由多线条耦合线路来构成各个第1～第4耦合线路的技术，其中所述多线条耦合线路包括至少1个第1线路和在该第1线路两侧至少各配置有一个的第2线路。

但是，日本国专利申请公开2004-56799号公报中记载的巴伦存在有如以下所述的问题。即，在日本国专利申请公开2004-56799号公报中记载的巴伦中，所有第1～第4耦合线路是配置于半导体基板的同一面上。因此，该巴伦所占有的面积变大，小型化困难。另外，该巴伦当想要进行小型化时，不该耦合的多个线路会互相接近，在这些线路之间发生不需要的耦合，从而有可能得不到期望的特性。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种包含在宽的频带上振幅平衡特性和相位平衡特性良好的巴伦并且能够小型化的电子部件。

本发明的层叠型电子部件包括层叠体和使用层叠体构成的巴伦。层叠体包括层叠的多个电介质层和多个导体层。巴伦包含不平衡端口、第1平衡端口、第2平衡端口、不平衡传输线路、第1～第4平衡传输线路。不平衡传输线路包含串联连接的第1线路部分和第2线路部分。第1平衡传输线路和第2平衡传输线路与第1线路部分进行电磁耦合。第3平衡传输线路和第4平衡传输线路与第2线路部分进行电磁耦合。

第1和第2线路部分和第1～第4平衡传输线路各自具有彼此位于相反侧的第1端部和第2端部。第1线路部分的第1端部与不平衡端口连接。第1线路部分的第2端部与第2线路部分的第2端部连接。第1平衡传输线路的第1端部和第2平衡传输线路的第1端部与第1平衡端口连接。第3平衡传输线路的第1端部和第4平衡传输线路的第1端部与第2平衡端口连接。第1和第2线路部分和第1～第4平衡传输线路各自使用多个导体层中的至少1个导体层构成。

在本发明的层叠型电子部件中，第1线路部分、第1平衡传输线路和第2平衡传输线路，配置于多个电介质层的层叠方向上的互相不同的位置，第1线路部分介于第1平衡传输线路与第2平衡传输线路 之间。同样，第2线路部分、第3平衡传输线路和第4平衡传输线路，配置于多个电介质层的层叠方向上的互相不同的位置，第2线路部分介于第3平衡传输线路与第4平衡传输线路之间。在此情况下，第1和第2线路部分和第1～第4平衡传输线路各自也可以包含线圈。

另外，在本发明的层叠型电子部件中，也可以第1线路部分、第1平衡传输线路和第2平衡传输线路，配置于层叠体内的第1区域，第2线路部分、第3平衡传输线路和第4平衡传输线路配置于层叠体内的第2区域。第1区域和第2区域在多个电介质层的层叠方向上分开。

本发明的层叠型电子部件也可以还包括使用层叠体构成并且与巴伦连接的解复用电路。解复用电路也可以包含与不平衡端口连接的第1滤波器和第2滤波器。第1滤波器有选择地使第1频带内的频率的第1信号通过。第2滤波器有选择地使作为高于第1频带的频带的第2频带内的频率的第2信号通过。

在本发明的层叠型电子部件中，巴伦包含与不平衡传输线路的第1线路部分进行电磁耦合的第1和第2平衡传输线路、和与不平衡传输线路的第2线路部分进行电磁耦合的第3和第4平衡传输线路。由此，能够实现在宽的频带上振幅平衡特性和相位平衡特性良好的巴伦。另外，本发明中，巴伦使用层叠体构成。由此，能够实现包含巴伦的层叠型电子部件的小型化。如上所述，根据本发明，能够实现包含在宽的频带上振幅平衡特性和相位平衡特性良好的巴伦并且能够小型化的层叠型电子部件。

本发明的其他目的、特征和利益根据以下说明能够充分明了。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式的层叠型电子部件中包含的巴伦的电路结构的电路图。

图2是表示本发明的一个实施方式的层叠型电子部件中包含的电路整体结构的电路图。

图3是本发明的一个实施方式的层叠型电子部件的立体图。

图4是表示图3所示的层叠型电子部件的层叠体内部的立体图。

图5是图3所示的层叠型电子部件的层叠体的截面图。

图6A～图6C是分别表示图3所示的层叠型电子部件的层叠体的第1层～第3层的电介质层的上表面的说明图。

图7A～图7C是分别表示图3所示的层叠型电子部件的层叠体的第4层～第6层的电介质层的上表面的说明图。

图8A～图8C是分别表示图3所示的层叠型电子部件的层叠体的第7层～第9层的电介质层的上表面的说明图。

图9A～图9C是分别表示图3所示的层叠型电子部件的层叠体的第10层～第12层的电介质层的上表面的说明图。

图10A～图10C是分别表示图3所示的层叠型电子部件的层叠体的第13层～第15层的电介质层的上表面的说明图。

图11A～图11C是分别表示图3所示的层叠型电子部件的层叠体的第16层～第18层的电介质层的上表面的说明图。

图12A～图12C是分别表示图3所示的层叠型电子部件的层叠体的第19层～第21层的电介质层的上表面的说明图。

图13A～图13C是分别表示图3所示的层叠型电子部件的层叠体的第22层～第24层的电介质层的上表面的说明图。

图14A～图14C是分别表示图3所示的层叠型电子部件的层叠体的第25层～第27层的电介质层的上表面的说明图。

图15是表示图3所示的层叠型电子部件的层叠体的第27层的电介质层的下表面的说明图。

图16是表示比较例的巴伦的电路结构的电路图。

图17是表示比较例的巴伦的振幅平衡特性的一个例子的特性图。

图18是表示比较例的巴伦的相位平衡特性的一个例子的特性图。

图19是表示本发明的一个实施方式的巴伦的振幅平衡特性的一个例子的特性图。

图20是表示本发明的一个实施方式的巴伦的相位平衡特性的一个例子的特性图。

图21是表示比较例的层叠型电子部件的低频带的振幅平衡特性的特性图。

图22是表示比较例的层叠型电子部件的低频带的相位平衡特性的特性图。

图23是表示比较例的层叠型电子部件的高频带的振幅平衡特性的特性图。

图24是表示比较例的层叠型电子部件的高频带的相位平衡特性的特性图。

图25是表示实施例的层叠型电子部件的低频带的振幅平衡特性的特性图。

图26是表示实施例的层叠型电子部件的低频带的相位平衡特性的特性图。

图27是表示实施例的层叠型电子部件的高频带的振幅平衡特性的特性图。

图28是表示实施例的层叠型电子部件的高频带的相位平衡特性的特性图。

具体实施方式

以下是参照附图对本发明的一个实施方式进行详细说明。图3是本发明的一个实施方式的层叠型电子部件1的立体图。如图3所示，本实施方式的层叠型电子部件1包括层叠体50。后面将会有详细的说明，层叠体50包含层叠的多个电介质层和多个导体层。

层叠体50被做成具有外周部的长方体形状。层叠体50的外周部包含上表面50A、底面50B、和4个侧面50C～50F。

上表面50A和底面50B彼此朝向相反侧，侧面50C、50D也彼此朝向相反侧，侧面50E、50F也彼此朝向相反侧。侧面50C～50F与上表面50A和底面50B垂直。在层叠体50上，垂直于上表面50A和底面50B的方向为多个电介质层的层叠方向。在图3中，以标注了记号T的箭头来表示该层叠方向。

如图3所示，层叠型电子部件1包括第1信号端子11、第2信号端子12、第1平衡端子13A、第2平衡端子13B、和2个接地端子14、15。接地端子14、15与地连接。端子11、12、13A、13B、14、15配置于层叠体50的底面50B。

层叠型电子部件1还包括用层叠体50构成的巴伦2。图1是表示巴伦2的电路结构的电路图。如图1所示，巴伦2包含不平衡端口20、 第1平衡端口23A、第2平衡端口23B、不平衡传输线路24、第1平衡传输线路25A、第2平衡传输线路26A、第3平衡传输线路25B、和第4平衡传输线路26B。

不平衡传输线路24包含串联连接的第1线路部分24A和第2线路部分24B。第1平衡传输线路25A和第2平衡传输线路26A与第1线路部分24A进行电磁耦合。第3平衡传输线路25B和第4平衡传输线路26B与第2线路部分24B进行电磁耦合。

第1线路部分24A具有彼此位于相反侧的第1端部24A1和第2端部24A2。第2线路部分24B具有彼此位于相反侧的第1端部24B1和第2端部24B2。第1线路部分24A的第1端部24A1与不平衡端口20连接。第1线路部分24A的第2端部24A2与第2线路部分24B的第2端部24B2连接。

第1平衡传输线路25A具有彼此位于相反侧的第1端部25A1和第2端部25A2。第2平衡传输线路26A具有彼此位于相反侧的第1端部26A1和第2端部26A2。第3平衡传输线路25B具有彼此位于相反侧的第1端部25B1和第2端部25B2。第4平衡传输线路26B具有彼此位于相反侧的第1端部26B1和第2端部26B2。

第1平衡传输线路25A的第1端部25A1和第2平衡传输线路26A的第1端部26A1与第1平衡端口23A连接。第3平衡传输线路25B的第1端部25B1和第4平衡传输线路26B的第1端部26B1与第2平衡端口23B连接。

图3所示的第1平衡端子13A与第1平衡端口23A对应。

图3所示的第2平衡端子13B与第2平衡端口23B对应。第1～第4平衡传输线路25A、26A、25B、26B各自的第2端部25A2、26A2、25B2、26B2与图3所示的接地端子14、15连接。

第1和第2平衡传输线路25A、26A并联连接。第3和第4平衡传输线路25B、26B也并联连接。

本实施方式的巴伦2属于马钱德巴伦的范畴。第1和第2线路部分24A、24B和第1～第4平衡传输线路25A、26A、25B、26B各自为具有与对应于巴伦2的使用频带内的规定频率的波长的1/4相当的长度的1/4波长线路。

第1和第2线路部分24A、24B和第1～第4平衡传输线路25A、26A、25B、26B各自的第1端部24A1、24B1、25A1、26A1、25B1、26B1为开路端。第1～第4平衡传输线路25A、26A、25B、26B各自的第2端部25A2、26A2、25B2、26B2为短路端。

第1平衡传输线路25A在第1端部25A1与第1线路部分24A的第2端部24A2接近并且第2端部25A2与第1线路部分24A的第1端部24A1接近的状态下与第1线路部分24A相对。同样，第2平衡传输线路26A在第1端部26A1与第1线路部分24A的第2端部24A2接近并且第2端部26A2与第1线路部分24A的第1端部24A1接近的状态下与第1线路部分24A相对。

第3平衡传输线路25B在第1端部25B1与第2线路部分24B的第2端部24B2接近并且第2端部25B2与第2线路部分24B的第1端部24B1接近的状态下与第2线路部分24B相对。同样，第4平衡传输线路26B在第1端部26B1与第2线路部分24B的第2端部24B2接近并且第2端部26B2与第2线路部分24B的第1端部24B1接近的状态下与第2线路部分24B相对。

后面将会有详细的说明，第1和第2线路部分24A、24B和第1～第4平衡传输线路25A、26A、25B、26B各自使用层叠体50中包含的多个导体层当中至少1层导体层构成。

图2是表示层叠型电子部件1中包含的电路整体结构的电路图。如图2所示，层叠型电子部件1包括与巴伦2连接的解复用电路3。该解复用电路3与巴伦2同样使用层叠体50构成。

解复用电路3包含与巴伦2连接的不平衡端口20的第1滤波器30和第2滤波器40。第1滤波器30有选择地使第1频带内的频率的第1信号通过。第2滤波器40有选择地使作为高于第1频带的频带的第2频带内的频率的第2信号通过。例如，滤波器30、40都是带通滤波器。在图2中表示了滤波器30、40的结构的一个例子。

以下是就该滤波器30、40的结构的一个例子作如下说明。

在图2中，符号4表示第1滤波器30与第2滤波器40的连接点。该连接点4与巴伦2连接的不平衡端口20连接。

第1滤波器30在连接点4与第1信号端子11之间具有从连接点4 侧起按顺序串联设置的电感器31、32。第1滤波器30还具有电容器33、34、35。电容器33与电感器32并联设置。电容器34设置于电感器31、32的连接点与接地之间。电容器35设置于第1信号端子11与接地之间。

第2滤波器40在连接点4与第2信号端子12之间具有从连接点4侧起按顺序串联设置的电容器41、42、43。第2滤波器40还具有设置于电容器42、43的连接点与连接点4之间的电容器44。第2滤波器40还具有电感器45、46。电感器45被设置于电容器41、42的连接点与接地之间。电感器46与电容器43并联设置。

在图2所示的例子中，层叠型电子部件1还包括电容器29、49。电容器29设置于第2平衡端子13B(第2平衡端口23B)与接地之间。电容器49设置于第2线路部分24B的第1端部24B1与连接点4之间。

接着，对层叠体50进行详细说明。层叠体50具有层叠的27个电介质层。以下将该27个电介质层从上往下按顺序称之为第1层～第27层电介质层。图4是表示层叠体50内部的立体图。

图5是层叠体50的截面图。图6A～图6C分别表示第1层～第3层电介质层的上表面。图7A～图7C分别表示第4层～第6层电介质层的上表面。图8A～图8C分别表示第7层～第9层电介质层的上表面。图9A～图9C分别表示第10层～第12层电介质层的上表面。图10A～图10C分别表示第13层～第15层电介质层的上表面。图11A～图11C分别表示第16层～第18层电介质层的上表面。图12A～图12C分别表示第19层～第21层电介质层的上表面。图13A～图13C分别表示第22层～第24层电介质层的上表面。图14A～图14C分别表示第25层～第27层电介质层的上表面。图15表示第27层电介质层的下表面。在图15中，以从上往下看的状态表示第27层电介质层的下表面和配置于其的导体层。

如图6A所示，在第1层电介质层51的上表面形成有用作标记的导体层511。如图6B所示，在第2层电介质层52的上表面形成为有用于构成第3平衡传输线路25B的导体层521。导体层521构成线圈。导体层521具有彼此位于相反侧的第1端和第2端。另外，在电介质层52形成有通孔52T5、52T7。通孔52T5与导体层521的第1端的附 近部分连接。通孔52T7与导体层521的第2端的附近部分连接。

如图6C所示，在第3层电介质层53的上表面形成有用于构成电容器31的导体层532、用于构成电感器45的导体层533、和用于构成电容器49的导体层534。导体层532和导体层534彼此连接。

在图6C中，用虚线表示导体层532与导体层534的边界。导体层533具有彼此位于相反侧的第1端和第2端。

另外，在电介质层53形成有通孔53T5、53T7、53T9、53T10、53T13。通孔53T5与导体层533的第1端的附近部分和图6B所示的通孔52T5连接。通孔53T7与图6B所示的通孔52T7连接。通孔53T9与导体层532的与导体层534的边界的附近部分连接。通孔53T10与位于跟导体层532的与导体层534的边界相反侧的端部的附近部分连接。通孔53T13与导体层533的第2端的附近部分连接。

如图7A所示，在第4层电介质层54的上表面形成有用于构成不平衡传输线路24的第2线路部分24B的导体层541、用于构成电感器31的导体层542、用于构成电感器45的导体层543、和用于构成电容器49的导体层544。导体层541和导体层544互相连接。在图7A中，用虚线表示导体层541与导体层544的边界。导体层541构成线圈。导体层542、543各自具有彼此位于相反侧的第1端和第2端。

另外，在电介质层54形成有通孔54T5、54T6、54T7、54T9、54T10、54T13。通孔54T5、54T7、54T9分别与图6C所示的通孔53T5、53T7、53T9连接。通孔54T6与位于跟导体层541的与导体层544的边界相反侧的端部的附近部分连接。通孔54T10与导体层542的第1端的附近部分连接。通孔54T13与导体层543的第1端的附近部分连接。图6C所示的通孔53T10与导体层542的第2端的附近部分连接。图6C所示的通孔53T13与导体层543的第2端的附近部分连接。

如图7B所示，在第5层电介质层55的上表面形成有用于构成电感器31的导体层552、用于构成电感器45的导体层553、和用于构成电容器49的导体层554。导体层552、553各自具有彼此位于相反侧的第1端和第2端。

另外，在电介质层55形成有通孔55T5、55T6、55T7、55T9、55T10、55T13。通孔55T5、55T6、55T7分别与图7A所示的通孔54T5、54T6、 54T7连接。通孔55T9与导体层554和图7A所示的通孔54T9连接。通孔55T10与导体层552的第1端的附近部分连接。通孔55T13与导体层553的第1端的附近部分连接。图7A所示的通孔54T10与导体层552的第2端的附近部分连接。图7A所示的通孔54T13与导体层553的第2端的附近部分连接。

如图7C所示，在第6层电介质层56的上表面形成有用于构成第4平衡传输线路26B的导体层561、用于构成电感器31的导体层562、和用于构成电感器45的导体层563。导体层561构成线圈。导体层561、562、563各自具有彼此位于相反侧的第1端和第2端。

另外，在电介质层56形成有通孔56T3B、56T5、56T6、56T7、56T9、56T10、56T13。通孔56T3B与导体层561的第1端的附近部分连接。通孔56T5与导体层561的第2端的附近部分和图7B所示的通孔55T5连接。通孔56T6、56T7、56T9分别与图7B所示的通孔55T6、55T7、55T9连接。通孔56T10与导体层562的第1端的附近部分连接。通孔56T13与导体层563的第1端的附近部分连接。图7B所示的通孔55T10与导体层562的第2端的附近部分连接。图7B所示的通孔55T13与导体层563的第2端的附近部分连接。

如图8A所示，在第7层电介质层57的上表面形成有导体层571、572。导体层571、572各自具有彼此位于相反侧的第1端和第2端。另外，在电介质层57形成有通孔57T3B、57T5、57T6、57T7、57T9、57T10、57T13。通孔57T3B与导体层571的第1端的附近部分连接。通孔57T5、57T6、57T7、57T9、57T10各自与图7C所示的通孔56T5、56T6、56T7、56T9、56T10连接。通孔57T13与导体层572的第1端的附近部分连接。图7C所示的通孔56T3B与导体层571的第2端的附近部分连接。图7C所示的通孔56T13与导体层572的第2端的附近部分连接。

如图8B所示，在第8层电介质层58的上表面形成有导体层581、582。导体层581具有彼此位于相反侧的第1端和第2端。另外，在电介质层58形成有通孔58T3B、58T5、58T6、58T7、58T9、58T10、58T13。通孔58T3B、58T5、58T9、58T10、58T13各自与图8A所示的通孔57T3B、57T5、57T9、57T10、57T13连接。通孔58T6与导体层581的第1端 的附近部分连接。通孔58T7与导体层582连接。图8A所示的通孔57T6与导体层581的第2端的附近部分连接。图8A所示的通孔57T7与导体层582连接。

如图8C所示，在第9层电介质层59的上表面形成有用于构成电感器32的导体层592。导体层592具有彼此位于相反侧的第1端和第2端。另外，在电介质层59形成有通孔59T1、59T3B、59T5、59T6、59T7、59T9、59T10、59T11、59T13。通孔59T1与导体层592的第1端的附近部分连接。通孔59T3B、59T5、59T6、59T7、59T9、59T10、59T13各自与图8B所示的通孔58T3B、58T5、58T6、58T7、58T9、58T10、58T13连接。通孔59T11与导体层592的第2端的附近部分连接。

如图9A所表示，在第10层电介质层60的上表面形成有导体层601。导体层601具有彼此位于相反侧的第1端和第2端。另外，在电介质层60形成有通孔60T1、60T3B、60T5、60T6、60T9、60T10、60T11、60T13。通孔60T1、60T5、60T6、60T9、60T10、60T11、60T13各自与图8C所示的通孔69T1、59T5、59T6、59T9、59T10、59T11、59T13连接。通孔60T3B与导体层601的第1端的附近部分和图8C所示的通孔59T3B连接。图8C所示的通孔59T7与导体层601的第2端的附近部分连接。

如图9B所示，在第11层电介质层61的上表面形成有导体层611、用于构成电感器32的导体层612、和用于构成电感器46的导体层613。导体层611、612、613各自具有彼此位于相反侧的第1端和第2端。另外，在电介质层61形成有通孔61T1、61T2、61T3A、61T3B、61T5、61T6、61T8、61T9、61T10、61T11、61T12、61T13。通孔61T1、61T3B、61T5、61T6、61T9、61T10、61T13分别与图9A所示的通孔60T1、60T3B、60T5、60T6、60T9、60T10、60T13连接。通孔61T2与导体层613的第1端的附近部分连接。通孔61T3A与导体层611的第1端的附近部分连接。通孔61T8与导体层611的第2端的附近部分连接。通孔61T11与导体层612的第1端的附近部分连接。通孔61T12与导体层613的第2端的附近部分连接。图9A所示的通孔60T11与导体层612的第2端的附近部分连接。

如图9C所示，在第12层电介质层62的上表面形成有用于构成电感器46的导体层623。导体层623具有彼此位于相反侧的第1端和第2端。另外，在电介质层62形成有通孔62T1、62T2、62T3A、62T3B、62T5、62T6、62T8、62T9、62T10、62T11、62T12、62T13。通孔62T1、62T2、62T3A、62T3B、62T5、62T6、62T8、62T9、62T10、62T11、62T13分别与图9B所示的通孔61T1、61T2、61T3A、61T3B、61T5、61T6、61T8、61T9、61T10、61T11、61T13连接。通孔62T12与导体层623的第1端的附近部分连接。图9B所示的通孔61T12与导体层623的第2端的附近部分连接。

如图10A所示，在第13层电介质层63的上表面形成有导体层631、用于构成电感器32的导体层632、用于构成电感器46的导体层633、和导体层634。

导体层631、632、633各自具有彼此位于相反侧的第1端和第2端。另外，在电介质层63形成有通孔63T1、63T2、63T3A、63T3B、63T5、63T6、63T8、63T9、63T10、63T11、63T12、63T13。通孔63T1、63T2、63T3A、63T3B、63T5、63T9、63T10、63T13分别与图9C所示的通孔62T1、62T2、62T3A、62T3B、62T5、62T9、62T10、62T13连接。通孔63T6与导体层631的第1端的附近部分连接。通孔63T8与导体层634连接。通孔63T11与导体层632的第1端的附近部分连接。通孔63T12与导体层633的第1端的附近部分连接。图9C所示的通孔62T6与导体层631的第2端的附近部分连接。图9C所示的通孔62T8与导体层634连接。图9C所示的通孔62T11与导体层632的第2端的附近部分连接。图9C所示的通孔62T12与导体层633的第2端的附近部分连接。

如图10B所示，在第14层电介质层64的上表面形成有导体层641。导体层641具有彼此位于相反侧的第1端和第2端。另外，在电介质层64形成有通孔64T1、64T2、64T3A、64T3B、64T5、64T6、64T7、64T8、64T9、64T10、64T11、64T12、64T13。通孔64T1、64T2、64T3B、64T5、64T6、64T8、64T9、64T10、64T11、64T12、64T13分别与图10A所示的通孔63T1、63T2、63T3B、63T5、63T6、63T8、63T9、63T10、63T11、63T12、63T13连接。通孔64T3A与导体层641的第1端的附 近部分和图10A所示的通孔63T3A连接。通孔64T7与导体层641的第2端的附近部分连接。

如图10C所示，在第15层电介质层65的上表面形成有用于构成第1平衡传输线路25A的导体层651、和导体层652。导体层651构成线圈。导体层651具有彼此位于相反侧的第1端和第2端。另外，在电介质层65形成有通孔65T1、65T2、65T3A、65T3B、65T5、65T6、65T8、65T9、65T10、65T11、65T12、65T13。通孔65T1、65T2、65T3A、65T3B、65T6、65T8、65T9、65T10、65T11、65T13分别与图10B所示的通孔64T1、64T2、64T3A、64T3B、64T6、64T8、64T9、64T10、64T11、64T13连接。通孔65T5与导体层651的第1端的附近部分和图10B所示的通孔64T5连接。通孔65T12与导体层652连接。图10B所示的通孔64T7与导体层651的第2端的附近部分连接。图10B所示的通孔64T12与导体层652连接。

如图11A所示，在第16层电介质层66形成有通孔66T1、66T2、66T3A、66T3B、66T5、66T6、66T8、66T9、66T10、66T11、66T12、66T13。通孔66T1、66T2、66T3A、66T3B、66T5、66T6、66T8、66T9、66T10、66T11、66T12、66T13分别与图10C所示的通孔65T1、65T2、65T3A、65T3B、65T5、65T6、65T8、65T9、65T10、65T11、65T12、65T13连接。

如图11B所示，在第17层电介质层67的上表面形成有用于构成不平衡传输线路24的第1线路部分24A的导体层671。导体层671具有构成线圈的主要部分和与主要部分连接的分支部。主要部分具有彼此位于相反侧的第1端和第2端。分支部与主要部分的第1端的附近部分连接。

另外，在电介质层67形成有通孔67T1、67T2、67T3A、67T3B、67T5、67T8、67T9、67T10、67T11、67T12、67T13。通孔67T1、67T2、67T3A、67T3B、67T5、67T8、67T10、67T11、67T12、67T13分别与图11A所示的通孔66T1、66T2、66T3A、66T3B、66T5、66T8、66T10、66T11、66T12、66T13连接。通孔67T9与导体层671的分支部和图11A所示的通孔66T9连接。图11A所示的通孔66T6与导体层671的主要部分的第2端的附近部分连接。

如图11C所示，在第18层电介质层68的上表面形成有用于构成电容器41的导体层683、和导体层684。

另外，在电介质层68形成有通孔68T1、68T2、68T3A、68T3B、68T5、68T8、68T9、68T10、68T11、68T12、68T13。通孔68T1、68T2、68T3A、68T3B、68T5、68T8、68T11、68T12、68T13分别与图11B所示的通孔67T1、67T2、67T3A、67T3B、67T5、67T8、67T11、67T12、67T13连接。通孔68T9、68T10分别与导体层683、684连接。图11B所示的通孔67T9、67T10分别与导体层683、684连接。

如图12A所示，在第19层电介质层69的上表面形成有用于构成第2平衡传输线路26A的导体层691、用于构成电容器33的导体层692、用于构成电容器41的导体层693、和导体层694。导体层691构成线圈。导体层691、694各自具有彼此位于相反侧的第1端和第2端。

另外，在电介质层69形成有通孔69T1、69T2、69T3A、69T3B、69T5、69T9、69T10、69T12、69T13。通孔69T1与导体层692和图11C所示的通孔68T1连接。通孔69T2、69T3A、69T3B、69T9、69T12分别与图11C所示的通孔68T2、68T3A、68T3B、68T9、68T12连接。通孔69T5与导体层691的第1端的附近部分和图11C所示的通孔68T5连接。通孔69T10与导体层694的第1端与第2端的中间位置的附近部分连接。通孔69T13与导体层693和图11C所示的通孔68T13连接。图11C所示的通孔68T8与导体层691的第2端的附近部分连接。图11C所示的通孔68T10与导体层694的第1端的附近部分连接。图11C所示的通孔68T11与导体层694的第2端的附近部分连接。

如图12B所示，在第20层电介质层70的上表面形成有用于构成电容器33、34的导体层702、和用于构成电容器41的导体层703。另外，在电介质层70形成有通孔70T1、70T2、70T3A、70T3B、70T5、70T9、70T10、70T12、70T13。通孔70T1、70T2、70T3A、70T3B、70T5、70T12、70T13分别与图12A所示的通孔69T1、69T2、69T3A、69T3B、69T5、69T12、69T13连接。通孔70T9与导体层703、图12A所示的通孔69T9连接。通孔70T10与导体层702连接。图12A所示的通孔69T10与导体层702连接。

如图12C所示，在第21层电介质层71的上表面形成有用于构成 电容器34的导体层712、用于构成电容器41、42的导体层713、和导体层714。另外，在电介质层71形成有通孔71T1、71T2、71T3A、71T3B、71T4、71T5、71T9、71T10、71T12、71T13。通孔71T1、71T2、71T3A、71T3B、71T5、71T9、71T12分别与图12B所示的通孔70T1、70T2、70T3A、70T3B、70T5、70T9、70T12连接。通孔71T4与导体层712连接。通孔71T10与导体层714连接。通孔71T13与导体层713和图12B所示的通孔70T13连接。图12B表示的通孔70T10与导体层714连接。

如图13A所示，在第22层电介质层72的上表面形成有用于构成电容器34的导体层722、和用于构成电容器42的导体层723。另外，在电介质层72形成有通孔72T1、72T2、72T3A、72T3B、72T4、72T5、72T9、72T10、72T12、72T13。通孔72T1、72T2、72T3A、72T3B、72T4、72T5、72T9、72T13分别与图12C所示的通孔71T1、71T2、71T3A、71T3B、71T4、71T5、71T9、71T13连接。通孔72T10与导体层722、图12C所示的通孔71T10连接。通孔72T12与导体层723和图12C所示的通孔71T12连接。

如图13B所示，在第23层电介质层73的上表面形成有用于构成电容器34的导体层732、和用于构成电容器42的导体层733。另外，在电介质层73形成有通孔73T1、73T2、73T3A、73T3B、73T4、73T5、73T9、73T10、73T12。通孔73T1、73T2、73T3A、73T3B、73T5、73T9、73T10、73T12分别与图13A所示的通孔72T1、72T2、72T3A、72T3B、72T5、72T9、72T10、72T12连接。通孔73T4与导体层732和图13A所示的通孔72T4连接。图13A所示的通孔72T13与导体层733连接。

如图13C所示，在第24层电介质层74的上表面形成有用于构成电容器29的导体层741、用于构成电容器34的导体层742、和用于构成电容器42、43、44的导体层743。另外，在电介质层74形成有通孔74T1、74T2、74T3A、74T3B、74T4、74T5、74T9。通孔74T1、74T2、74T3A、74T4、74T5、74T9分别与图13B所示的通孔73T1、73T2、73T3A、73T4、73T5、73T9连接。通孔74T3B与导体层741、图13B所示的通孔73T3B连接。图13B所示的通孔73T10、73T12分别与导体层742、743连接。

如图14A所示，在第25层电介质层75的上表面形成有用于构成电容器29的导体层751、用于构成电容器34、35的导体层752、用于构成电容器43的导体层753、和用于构成电容器44的导体层754。另外，在电介质层75形成有通孔75T1、75T2、75T3A、75T3B、75T4、75T5。通孔75T1、75T3A、75T3B分别与图13C所示的通孔74T1、74T3A、74T3B连接。通孔75T2与导体层753连接。通孔75T4与导体层752和图13C所示的通孔74T4连接。通孔75T5与导体层751和图13C所示的通孔74T5连接。图13C所示的通孔74T2、74T9分别与导体层753、754连接。

如图14B所示，在第26层电介质层76的上表面形成有用于构成电容器35的导体层762、和导体层763、764、765、766。导体层766具有彼此位于相反侧的第1端和第2端。另外，在电介质层76形成有通孔76T1、76T2、76T3A、76T3B、76T4、76T5。通孔76T1、76T2、76T3A、76T3B分别与导体层762、763、764、765连接。通孔76T4与导体层766的第1端的附近部分连接。通孔76T5与导体层766的第2端的附近部分和图14A所示的通孔75T5连接。图14A所示的通孔75T1、75T2、75T3A、75T3B分别与导体层762、763、764、765连接。图14A所示的通孔75T4与导体层766的第1端的附近部分连接。

如图14C所示，在第27层电介质层77形成有通孔77T1、77T2、77T3A、77T3B、77T4、77T5。

通孔77T1、77T2、77T3A、77T3B、77T4、77T5分别与图14B所示的通孔76T1、76T2、76T3A、76T3B、76T4、76T5连接。

在图15所示的第27层电介质层77的下表面即层叠体50的底面50B形成有第1信号端子11、第2信号端子12、第1平衡端子13A、第2平衡端子13B和2个接地端子14、15。

图14C所示的通孔77T1、77T2、77T3A、77T3B、77T4、77T5分别与端子11、12、13A、13B、14、15连接。

图3所示的层叠体50通过层叠第1层～第27层电介质层51～77构成。而且，在该层叠体50的底面50B上形成端子11、12、13A、13B、14、15，从而完成图3所示的层叠型电子部件1。还有，在图3中省略了导体层511。

作为电介质层51～77的材料能够使用树脂、陶瓷、或者这两者的复合材料等各种各样的材料。作为层叠体50特别是以陶瓷为电介质层51～77的材料通过低温同时烧制法来进行制作的层叠体因为在高频特性方面表现优异所以优选。

图4表示层叠体50的内部。图5表示从侧面50C侧看的层叠体50的截面。

以下对图2所示的层叠型电子部件1的电路的构成要素与图6A～图14C所示的层叠体50的内部的构成要素的对应关系进行说明。不平衡传输线路24的第1线路部分24A由图11B所示的导体层671构成。第1平衡传输线路25A由图10C所示的导体层651构成。第2平衡传输线路26A由图12A所示的导体层691构成。第1线路部分24A(导体层671)、第1平衡传输线路25A(导体层651)和第2平衡传输线路26A(导体层691)，配置于多个电介质层的层叠方向T上的互相不同的位置。第1线路部分24A(导体层671)介于第1平衡传输线路25A(导体层651)与第2平衡传输线路26A(导体层691)之间。第1平衡传输线路25A(导体层651)隔着电介质层65、66与第1线路部分24A(导体层671)相对。第2平衡传输线路26A(导体层691)隔着电介质层67、68与第1线路部分24A(导体层671)相对。

不平衡传输线路24的第2线路部分24B由图7A所示的导体层541构成。第3平衡传输线路25B由图6B所示的导体层521构成。第4平衡传输线路26B由图7C所示的导体层561构成。第2线路部分24B(导体层541)、第3平衡传输线路25B(导体层521)和第4平衡传输线路26B(导体层561)，配置于多个电介质层的层叠方向T上的互相不同的位置。第2线路部分24B(导体层541)介于第3平衡传输线路25B(导体层521)与第4平衡传输线路26B(导体层561)之间。第3平衡传输线路25B(导体层521)隔着电介质层52、53与第2线路部分24B(导体层541)相对。第4平衡传输线路26B(导体层561)隔着电介质层54、55与第2线路部分24B(导体层541)相对。

在此，如图5所示定义层叠体50内的第1区域R1和第2区域R2。第1区域R1是从层叠体50内的电介质层64至电介质层69的区域。第2区域R2是从层叠体50内的电介质层51至电介质层56的区域。 第1区域R1和第2区域R2在多个电介质层的层叠方向T上分开。第1线路部分24A(导体层671)、第1平衡传输线路25A(导体层651)和第2平衡传输线路26A(导体层691)，配置于第1区域R1。第2线路部分24B(导体层541)、第3平衡传输线路25B(导体层521)和第4平衡传输线路26B(导体层561)，配置于第2区域R2。

第1滤波器30的电感器31以如下方式构成。图6C～图7C所示的导体层532、542、552、562通过通孔53T10、54T10、55T10串联连接。电感器31由这些导体层532、542、552、562和通孔53T10、54T10、55T10构成。图11B所示的通孔67T9与导体层671的分支部的交点与图2所示的连接点4对应。导体层532经由通孔53T9～66T9与上述交点连接。

第1滤波器30的电感器32以如下方式构成。图8C、图9B和图10A所示的导体层592、612、632通过通孔59T11、60T11、61T11、62T12串联连接。电感器32由这些导体层592、612、632和通孔59T11、60T11、61T11、62T12构成。导体层632经由通孔63T11～68T11、导体层694、通孔68T10、导体层684和通孔56T10～67T10与构成电感器31的导体层562连接。导体层592经由通孔59T1～75T1、导体层762和通孔76T1、77T1与第1信号端子11连接。

第1滤波器30的电容器33由图12A和图12B所示的导体层692、702和电介质层69构成。导体层692的下表面隔着电介质层69与导体层702的上表面相对。导体层692经由通孔59T1～68T1与构成电感器32的导体层592连接。导体层702经由通孔69T10、导体层694和通孔63T11～68T11与构成电感器32的导体层632连接。

第1滤波器30的电容器34由图12B～图14A所示的导体层702、712、722、732、742、752、和电介质层70、71、72、73、74构成。导体层712的上表面隔着电介质层70与导体层702的下表面相对。导体层712的下表面隔着电介质层71与导体层722的上表面相对。导体层732的上表面隔着电介质层72与导体层722的下表面相对。导体层732的下表面隔着电介质层73与导体层742的上表面相对。导体层752的上表面隔着电介质层74与导体层742的下表面相对。

图12A所示的导体层694与电感器31、32的连接点对应。

导体层702、722、742经由通孔69T10、70T10、导体层714和通孔71T10～73T10与导体层694连接。导体层712、732、752经由通孔71T4～75T4、导体层766和通孔76T4、77T4与接地端子14连接。

第1滤波器30的电容器35由图14A和图14B所示的导体层752、762和电介质层75构成。导体层752的下表面隔着电介质层75与导体层762的上表面相对。导体层762经由通孔76T1、77T1与第1信号端子11连接。导体层752经由通孔75T4、导体层766和通孔76T4、77T4与接地端子14连接。

第2滤波器40的电容器41由图11C～图12C所示的导体层683、693、703、713、电介质层68、69、70构成。导体层693的上表面隔着电介质层68与导体层683的下表面相对。导体层693的下表面隔着电介质层69与导体层703的上表面相对。导体层713的上表面隔着电介质层70与导体层703的下表面相对。导体层683、703经由通孔67T9～69T9与图11B所示的通孔67T9与导体层671的分支部的交点(连接点4)连接。

第2滤波器40的电容器42由图12C～图13C所示的导体层713、723、733、743、和电介质层71、72、73构成。导体层723的上表面隔着电介质层71与导体层713的下表面相对。导体层723的下表面隔着电介质层72与导体层733的上表面相对。导体层743的上表面隔着电介质层73与导体层733的下表面相对。电容器41、42通过导体层713互相连接。

第2滤波器40的电容器43由图13C和图14A所示的导体层743、753和电介质层74构成。导体层743的下表面的一部分隔着电介质层74与导体层753的上表面相对。电容器42、43通过导体层743互相连接。导体层753经由通孔75T2、导体层763和通孔76T2、77T2与第2信号端子12连接。

第2滤波器40的电容器44由图13C和图14A所示的导体层743、754、和电介质层74构成。导体层743的下表面的另一部分隔着电介质层74与导体层754的上表面相对。

电容器42、43、44通过导体层743互相连接。

导体层754经由通孔68T9～74T9、导体层683和通孔67T9连接于 通孔67T9与导体层671的分支部的交点(连接点4)。

第2滤波器40的电感器45以如下方式构成。图6C～图7C所示的导体层533、543、553、563通过通孔53T13、54T13、55T13串联连接。电感器45由这些导体层533、543、553、563和通孔53T13、54T13、55T13构成。导体层563经由通孔56T13、导体层572和通孔57T13～70T13与导体层713即电容器41、42的连接点连接。导体层533经由通孔53T5～77T5与接地端子15连接。

第2滤波器40的电感器46以如下方式构成。

图9B～图10A所示的导体层613、623、633通过通孔61T12、62T12串联连接。电感器46由这些导体层613、623、633和通孔61T12、62T12构成。导体层613经由通孔61T2～74T2与构成电容器43的导体层753连接。导体层633经由通孔63T12、64T12、导体层652、通孔65T12～73T12与构成电容器43的导体层743连接。

电容器29由图13C和图14A所示的导体层741、751和电介质层74构成。导体层741的下表面隔着电介质层74与导体层751的上表面相对。导体层741经由通孔74T3B、75T3B、导体层765和通孔76T3B、77T3B与第2平衡端子13B连接。导体层751经由通孔75T5～77T5与接地端子15连接。

电容器49由图6C～图7B所示的导体层534、544、554和电介质层53、54构成。导体层544的上表面隔着电介质层53与导体层534的下表面相对。导体层544的下表面隔着电介质层54与导体层554的上表面相对。导体层544与构成第2线路部分24B的导体层541连接。导体层534、554经由通孔53T9～66T9连接于通孔67T9与导体层671的分支部的交点(连接点4)。

接着，对本实施方式的层叠型电子部件1中的巴伦2的作用进行说明。在巴伦2中，在不平衡端口20输入输出不平衡信号，在第1平衡端口23A输入输出第1平衡要素信号，在第2平衡端口23B输入输出第2平衡要素信号。第1平衡要素信号和第2平衡要素信号构成平衡信号。巴伦2进行不平衡信号与平衡信号之间的转换。

接着，对本实施方式的层叠型电子部件1中的解复用电路3的作用进行说明。从巴伦2的不平衡端口20输出的信号被给予第1滤波器 30与第2滤波器40的连接点4。第1滤波器30有选择地使第1频带内的频率的第1信号通过。第2滤波器40有选择地使作为高于第1频带的频带的第2频带内的频率的第2信号通过。因此，被给予连接点4的第1信号从第1信号端子11被输出，被给予连接点4的第2信号从第2信号端子12被输出。像这样，解复用电路3将第1频带内的频率的第1信号与第2频带内的频率的第2信号互相分离。输入到第1信号端子11的第1信号和输入到第2信号端子12的第2信号都经由连接点4被给予巴伦2的不平衡端口20。

以下对本实施方式的层叠型电子部件1的效果进行说明。在本实施方式的层叠型电子部件1中，巴伦2包括：与不平衡传输线路24的第1线路部分24A进行电磁耦合的第1和第2平衡传输线路25A、26A；和与不平衡传输线路24的第2线路部分24B进行电磁耦合的第3和第4平衡传输线路25B、26B。由此，能够在宽的频带上实现振幅平衡特性和相位平衡特性良好的巴伦2。

以下对比较例的巴伦202和本实施方式的巴伦2就通过模拟求得振幅平衡特性和相位平衡特性的结果进行说明。图16是表示比较例的巴伦202的电路结构的电路图。如图16所示，比较例的巴伦202的结构是从本实施方式的巴伦2除去了第2平衡传输线路26A和第4平衡传输线路26B的结构。

在此，以如下方式定义与比较例的巴伦202和本实施方式的巴伦2的特性相关联的振幅差和相位差。振幅差是在将不平衡信号输入到不平衡端口20的时候从第1平衡端口23A输出的第1平衡要素信号与从第2平衡端口23B输出的第2平衡要素信号的振幅之差。振幅差在第1平衡要素信号的振幅大于第2平衡要素信号的振幅的情况下以正值表示，在第1平衡要素信号的振幅小于第2平衡要素信号的振幅的情况下以负值表示。

相位差是在将不平衡信号输入到不平衡端口20时从第1平衡端口23A输出的第1平衡要素信号与从第2平衡端口23B输出的第2平衡要素信号的相位之差。具体地来说相位差是表示第1平衡要素信号的相位相对于第2平衡要素信号的相位前进的大小。

振幅平衡特性为振幅差的频率特性。在巴伦的使用频带，振幅差 作为被纳入±M[dB](M为正值)的范围内而可以说M的值越小则振幅平衡特性越好。M的值优选为1.5以下，更加优选为1.0以下。

相位平衡特性为相位差的频率特性。在巴伦的使用频带，相位差作为被纳入180±P[deg(度)](P为正值)的范围内而可以说P的值越小则相位平衡特性越好。P的值优选为15以下，更加优选为6以下。

图17是表示比较例的巴伦202的振幅平衡特性的一个例子的特性图。图18是表示比较例的巴伦202的相位平衡特性的一个例子的特性图。图19是表示本实施方式的巴伦2的振幅平衡特性的一个例子的特性图。图20是表示本实施方式的巴伦2的相位平衡特性的一个例子的特性图。在图17～图20中横轴为频率。

在图17和图19中纵轴为振幅差。在图18和图20中纵轴为相位差。图17～图20所示的特性是通过模拟来求得的特性。在该模拟中，分别使用以使用频带成为0.7～2.7GHz的方式设计的巴伦202的模型和巴伦2的模型。

图17所示的比较例的巴伦202的振幅平衡特性和图19所示的本实施方式的巴伦2的振幅平衡特性都是使用频带内的振幅差收纳于±1[dB]的范围内。在此，关于超过2.7GHz的频带，对图17和图19进行比较。在图17中，当频率为约3GHz以上时，振幅差从±1[dB]的范围偏离。相对于此，在图19中，直至频率到达约3.3GHz为止振幅差收纳于±1[dB]的范围内。因此，本实施方式的巴伦2的振幅平衡特性与比较例的巴伦202的振幅平衡特性相比可以说直至更高的频率仍为良好。

图18所示的比较例的巴伦202的相位平衡特性和图20所示的本实施方式的巴伦2的相位平衡特性都是使用频带内的相位差收纳于180±15[deg]的范围内。

在此，关于超过2.7GHz的频带，对图18和图20进行比较。

在图18中，当频率为约3.1GHz以上时，相位差从180±15[deg]的范围偏离。相对于此，在图20中，直至频率到达约3.35GHz为止相位差收纳于180±15[deg]的范围内。因此，本实施方式的巴伦2的相位平衡特性与比较例的巴伦202的相位平衡特性相比可以说直至更高的频率仍为良好。

根据图17～图20所示的模拟结果可知，依照本实施方式的巴伦2，与比较例的巴伦202相比，能够实现在更加宽的频带仍为良好的振幅平衡特性和相位平衡特性。

在此，对本实施方式的巴伦2与比较例的巴伦202相比能够实现在更加宽的频带仍为良好的振幅平衡特性和相位平衡特性的理由进行考察。

以下将进行电磁耦合的1/4波长线的对称之为耦合2线。关于该耦合2线已知，当增大进行耦合的2个1/4波长线之间的电容(以下称之为线间电容)时，耦合2线的奇模阻抗变小，其结果耦合2线的分数频带(相对频带)变大。在日本国专利申请公开2004-56799号公报中记载有与此相同的内容。

在比较例的巴伦202中，第1线路部分24A与第1平衡传输线路25A的组、和第2线路部分24B与第3平衡传输线路25B的组，分别相当于耦合2线。

在本实施方式的巴伦2中，第1和第2平衡传输线路25A、26A与第1线路部分24A进行电磁耦合。在此，如果将并联连接的第1和第2平衡传输线路25A、26A看作为1个1/4波长线，则第1线路部分24A与第1和第2平衡传输线路25A、26A的组相当于耦合2线。同样，第2线路部分24B与第3和第4平衡传输线路25B、26B的组也相当于耦合2线。

本实施方式的巴伦2与比较例的巴伦202相比，线路间电容变大。由此，可以认为本实施方式的巴伦2与比较例的巴伦202相比，耦合2线的奇模阻抗变小且耦合2线的分数频带(相对频带)变大。这可以认为是本实施方式的巴伦2与比较例的巴伦202相比能够实现在更加宽的频带仍为良好的振幅平衡特性和相位平衡特性的理由所在。

如以上所说明的那样，根据本实施方式的层叠型电子部件1，能够实现振幅平衡特性和相位平衡特性在宽的频带上良好的巴伦2。

另外，在本实施方式中，巴伦2使用层叠体50构成。由此，能够减小巴伦2的占有面积，其结果是，能够实现包含巴伦2的层叠型电子部件1的小型化。根据以上所述如果，根据本实施方式，能够实现包含振幅平衡特性和相位平衡特性在宽的频带上良好的巴伦2并且能 够小型化的层叠型电子部件1。

另外，在本实施方式中，第1线路部分24A与第1和第2平衡传输线路25A、26A配置于在层叠方向T上的互相不同的位置，第1线路部分24A介于第1平衡传输线路25A与第2平衡传输线路26A之间。根据这样的配置，跟第1线路部分24A与第1和第2平衡传输线路25A、26A配置于同一平面的情况相比，能够容易地增大线路间电容。

同样，第2线路部分24B与第3和第4平衡传输线路25B、26B配置于在层叠方向T上的互相不同的位置，第2线路部分24B介于第3平衡传输线路25B与第4平衡传输线路26B之间。

根据这样的配置，跟第2线路部分24B与第3和第4平衡传输线路25B、26B配置于同一平面的情况相比，能够容易地增大线路间电容。

因此，根据本实施方式，能够容易实现在宽的频带上具有良好的振幅平衡特性和相位平衡特性的巴伦2。

另外，在本实施方式中，第1和第2线路部分24A、24B以及第1～第4平衡传输线路25A、26A、25B、26B各自包含由漩涡状地卷绕的导体构成的线圈。由此，根据本实施方式，能够进一步减小巴伦2的占有面积。此外，线圈的圈数只要为1以上即可。

另外，在本实施方式中，第1线路部分24A与第1和第2平衡传输线路25A、26A配置于从电介质层64至电介质层69的层叠体50内的第1区域R1。第2线路部分24B与第3和第4平衡传输线路25B、26B配置于从电介质层51至电介质层56的层叠体50内的第2区域R2。第1区域R1和第2区域R2在层叠方向T上分开。由此，根据本实施方式，能够防止在第1线路部分24A和第1和第2平衡传输线路25A、26A的组、与第2线路部分24B和第3和第4平衡传输线路25B、26B的组之间发生不需要的耦合，能够防止巴伦2的特性因不需要的耦合而发生劣化。

另外，本实施方式的层叠型电子部件1包括与巴伦2连接的解复用电路3。解复用电路3处理多个频带。本实施方式的巴伦2在宽的频带上振幅平衡特性和相位平衡特性良好。因此，根据本实施方式，不需要按解复用电路3进行处理的多个频带的每个频带准备适合于这些频带的巴伦，能够将1个巴伦2用于解复用电路3进行处理的多个频 带。由此，根据本实施方式，能够实现包含巴伦2和解复用电路3的层叠型电子部件1的小型化。

接着，对确认本实施方式的巴伦2在与解复用电路3一起设置于层叠体50内的状态下也在宽的频带上具有良好的振幅平衡特性和相位平衡特性的实验结果进行说明。在实验中，实际制作比较例的层叠型电子部件和本实施方式的层叠型电子部件1，就此来测定振幅平衡特性和相位平衡特性。以下将实际制作的本实施方式的层叠型电子部件1称为实施例的层叠型电子部件1。比较例的层叠型电子部件的结构是从实施例的层叠型电子部件1除去了巴伦2的第2和第4平衡传输线路26A、26B的结构。即，比较例的层叠型电子部件替代巴伦2而具有比较例的巴伦202。

在比较例的层叠型电子部件和实施例的层叠型电子部件1中，将巴伦202、2的使用频带设定为0.7～2.7GHz，将第1滤波器30的通频带即第1频带设定为0.7～0.96Ghz，将第2滤波器40的通频带即第2频带设定为1.71～2.7Ghz。

对于振幅平衡特性和相位平衡特性，分为低频带和高频带来进行测定。在此，低频带是指包含第1频带的0.5～1.25GHz频带。另外，高频带是指包含第2频带的1.5～3GHz频带。

在测定低频带的振幅平衡特性和低频带的相位平衡特性时，将不平衡信号输入到第1信号端子11。在测定高频带的振幅平衡特性和高频带的相位平衡特性时，将不平衡信号输入到第2信号端子12。

图21是表示比较例的层叠型电子部件的低频带的振幅平衡特性的特性图。图22是表示比较例的层叠型电子部件的低频带的相位平衡特性的特性图。图23是表示比较例的层叠型电子部件的高频带的振幅平衡特性的特性图。图24是表示比较例的层叠型电子部件的高频带的相位平衡特性的特性图。

图25是表示实施例的层叠型电子部件1的低频带的振幅平衡特性的特性图。图26是表示实施例的层叠型电子部件1的低频带的相位平衡特性的特性图。图27是表示实施例的层叠型电子部件1的高频带的振幅平衡特性的特性图。图28是表示实施例的层叠型电子部件1的高频带的相位平衡特性的特性图。

在图21～图28中横轴表示频率。在图21、图23、图25和图27中纵轴表示振幅差。在图22、图24、图26和图28中纵轴表示相位差。

如图21、图23、图25和图27所示，比较例的层叠型电子部件和实施例的层叠型电子部件1都是第1频带内的振幅差和第2频带内的振幅差收纳于±1.5[dB]的范围内。

如图22和图24所示，比较例的层叠型电子部件中，第1频带内的相位差和第2频带内的相位差收纳于180±15[deg]的范围内，但是没有收纳于180±6[deg]的范围内。相对于此，如图26和图28所示，实施例的层叠型电子部件1中，第1频带内的相位差和第2频带内的相位差收纳于180±6[deg]的范围内。

因此，实施例的层叠型电子部件1与比较例的层叠型电子部件相比，第1和第2频带上的相位平衡特性优异。

根据以上实验结果，能够确认到本实施方式的巴伦2在与解复用电路3一起设置于层叠体50内的状态下也在宽的频带上具有良好的振幅平衡特性和相位平衡特性。

此外，本发明并不限定于以上所述实施方式，能够进行各种变更。例如，在本发明中第1和第2线路部分和第1～第4平衡传输线路中至少1个可以用层叠体50中包含的多个导体层中的2个以上的导体层构成。

另外，本发明的巴伦作为与不平衡传输线路的第1线路部分进行电磁耦合的平衡传输线路，除了第1和第2平衡传输线路之外也可以包含与第1和第2平衡传输线路并联连接的1个以上的平衡传输线路。

同样，本发明的巴伦作为与不平衡传输线路的第2线路部分进行电磁耦合的平衡传输线路，除了第3和第4平衡传输线路之外也可以包含与第3和第4平衡传输线路并联连接的1个以上的平衡传输线路。

另外，本发明的巴伦也可以包含并联连接的多个不平衡传输线路。多个不平衡传输线路各自包含第1线路部分和第2线路部分。在此情况下，多个不平衡传输线路中的至少1个只要满足权利要求范围规定的不平衡传输线路的特征即可。

另外，本发明的层叠型电子部件只要至少包含巴伦即可，也可以不包含解复用电路。在本发明的层叠型电子部件包含解复用电路的情 况下，解复用电路也可以是分离频率互相不同的3个以上信号的解复用电路。

另外，本发明的层叠型电子部件也可以包含滤波器、匹配电路等解复用电路以外的电路。

基于以上说明，很明显能够实施本发明的各种各样的方式或变形例。因此，在权利要求范围的均等范围内以上述的最佳方式以外的方式也能够实施本发明。