技术总结
本发明公开一种高可靠性双向电压抑制器件，其P型单晶硅片两侧面四周分别具有第一沟槽、第二沟槽，此第一沟槽位于第一重掺杂N型区四周并延伸至重掺杂P型区的上部，此第二沟槽位于第二重掺杂N型区四周并延伸至重掺杂P型区的下部；重掺杂P型区与第一重掺杂N型区接触的区域且位于边缘的四周区域具有第一轻掺杂N型区，此第一轻掺杂N型区的上表面与第一重掺杂N型区的接触，此第一轻掺杂N型区的外侧面与第一沟槽接触；所述重掺杂P型区与第二重掺杂N型区接触的区域且位于边缘的四周区域具有第二轻掺杂N型区。本发明在低压隧道击穿模式下，降低漏电流中来自表面的漏电流，大大降低整个器件的反向漏电流，从而进一步降低了功耗，避免了器件的局部温升。
技术研发人员：孙玉华
受保护的技术使用者：苏州固锝电子股份有限公司
文档号码：201610789864
技术研发日：2014.04.18
技术公布日：2017.01.04