1.一种集成电路，其特征在于，包括：
第一晶体管，所述第一晶体管包括第一电流电极、第二电流电极和主体联结；
第一导线，所述第一导线耦合在所述第一电流电极与第一电源电压之间；以及
第二导线，所述第二导线耦合到所述第二电流电极，其中所述第二导线的电阻比所述第一导线的电阻至少大5％，其中
所述主体联结耦合到第二电源电压，并且所述第一电源电压不同于所述第二电源电压。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，由于所述第二导线的宽度小于所述第一导线的宽度，因此所述第二导线的所述电阻比所述第一导线的所述电阻至少大5％。
3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，由于耦合到所述第二导线的传导通孔的数目小于耦合到所述第一导线的传导通孔的数目，因此所述第二导线的所述电阻比所述第一导线的所述电阻至少大5％。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一晶体管为N沟道金属氧化物半导体，所述第一电流电极为漏极电极，所述第二电流电极为源极电极，并且所述第一电源电压的幅值大于所述第二电源电压的幅值。
5.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一晶体管为P沟道金属氧化物半导体，所述第一电流电极为源极电极，所述第二电流电极为漏极电极，并且所述第一电源电压的幅值大于所述第二电源电压的幅值。
6.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，另外包括：
第二晶体管，所述第二晶体管包括第一电流电极和第二电流电极；以及
第三导线，所述第三导线耦合在所述第二晶体管的所述第一电流电极与所述第一电源电压之间，其中
所述第一导线另外耦合到所述第二晶体管的所述第二电流电极。
7.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一导线和所述第二导线形成于所述集成电路的强力金属层中。
8.根据权利要求7所述的集成电路，其特征在于，所述第一导线和所述第二导线具有相同厚度。
9.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，另外包括：
衬底；
形成于所述衬底上的有源电子装置结构；以及
耦合到所述有源电子装置结构的一个或多个互连层，其中
所述第一导线和所述第二导线形成于所述一个或多个互连层上方。
10.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，耦合到所述主体联结的导线的宽度小于所述第一导线的宽度和所述第二导线的宽度。
11.一种方法，其特征在于，包括：
在集成电路的有源装置层中形成晶体管，其中所述晶体管包括第一电流电极、第二电流电极和主体联结；
在所述集成电路的互连层中形成互连结构；
在所述集成电路的强力金属层中形成第一导线，其中所述第一导线通过第一组所述互连结构耦合到所述第一电流电极；以及
在所述集成电路的所述强力金属层中形成第二导线，其中所述第二导线通过第二组所述互连结构耦合到所述第二电流电极，其中所述第二导线的电阻大于所述第一导线的电阻以在所述第二电流电极处产生与通过所述第二导线的电流成正比的偏置电压。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第二导线的宽度比所述第一导线的宽度至少小5％。
13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一组所述互连结构中的互连结构的数目大于所述第二组所述互连结构中的互连结构的数目。
14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，另外包括：
在所述有源装置层中形成第二晶体管；以及
在所述集成电路的所述强力金属层中形成第三导线，其中所述第三导线通过第三组所述互连结构耦合到所述第二晶体管的第一电流电极，其中
所述第一导线耦合到所述第二晶体管的第二电流电极。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述形成互连结构包括形成耦合到所述第三导线的第三组互连结构。
16.一种集成电路，其特征在于，包括：
P沟道金属氧化物半导体晶体管，所述晶体管包括源极电极、漏极电极和主体联结；
N沟道金属氧化物半导体晶体管，所述晶体管包括源极电极、漏极电极和主体联结；
耦合到所述PMOS晶体管的所述源极电极的第一导线；
耦合到所述NMOS晶体管的所述源极电极的第二导线；
耦合在所述PMOS晶体管的所述漏极电极与所述NMOS晶体管的所述漏极电极之间的第三导线，其中
所述第一导线和所述第二导线中的一个的电阻比所述第一导线和所述第二导线中的另一个的电阻至少大5％。
17.根据权利要求16所述的集成电路，其特征在于：
所述第一导线和所述第二导线中的所述一个的宽度小于所述第一导线和所述第二导线中的所述另一个的宽度。
18.根据权利要求16所述的集成电路，其特征在于，另外包括：
耦合到所述第一导线和所述第二导线中的所述一个的第一组互连结构；以及
耦合到所述第一导线和所述第二导线中的所述另一个的第二组互连结构，其中
所述第一组中的互连结构的数目小于所述第二组中的互连结构的数目。
19.根据权利要求16所述的集成电路，其特征在于：
耦合到所述第一导线和所述第二导线中的所述一个的所述PMOS晶体管或所述NMOS晶体管的所述源极电极和所述主体联结耦合到第一电源。
20.根据权利要求19所述的集成电路，其特征在于：
耦合到所述第一导线和所述第二导线中的所述另一个的所述PMOS晶体管或所述NMOS晶体管的所述源极电极耦合到第二电源。