屏蔽栅沟槽型MOSFET工艺方法与流程

技术特征：

1.一种屏蔽栅沟槽型MOSFET工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：

第1步，在硅片上刻蚀沟槽，淀积一层氧化膜，然后填充多晶硅并回刻；

第2步，再淀积一层氧化膜并进行化学机械研磨；

第3步，进行氧化硅刻蚀，将硅片表面的氧化硅去除；

第4步，光刻胶定义出图形，进行有源区沟槽的氧化硅刻蚀；

第5步，剥离光刻胶，生长栅氧化膜，淀积多晶硅并回刻。

2.如权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型MOSFET工艺方法，其特征在于：所述第1步中，对有源区沟槽进行多晶硅回刻，保留有源区沟槽内下部的多晶硅以形成屏蔽栅。

3.如权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型MOSFET工艺方法，其特征在于：所述第2步中，淀积的氧化膜作为层间氧化膜，化学机械研磨后残留的氧化膜厚度不大于

4.如权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型MOSFET工艺方法，其特征在于：所述第3步中，所述的氧化硅刻蚀采用湿法刻蚀。

5.如权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型MOSFET工艺方法，其特征在于：所述第4步中，对有源区沟槽的氧化硅进行刻蚀，形成有源区沟槽内多晶硅栅极与屏蔽栅之间的隔离介质层。

6.如权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型MOSFET工艺方法，其特征在于：所述第5步中，淀积多晶硅并回刻至硅片表面，沟槽内填充的多晶硅与硅片表面平齐，形成多晶硅栅极。