半导体装置的制作方法

本发明实施例是涉及一种半导体装置。

背景技术：

一般来说，诸如无线电子装置等动力装置需要有线充电器与电源，其通常为交流电(alternatingcurrent，ac)电源插座。已发展在发送器与接收器(其耦合至待供电电子装置)之间使用辐射(over-the-air)或无线电力传输的方法。通常而言，发送器使用天线或耦合装置以通过电磁场和/或电磁波(诸如电场、磁场、无线电波、微波或红外或可见光波)无线传输能量。接收器使用另一天线或耦合装置以无线地收集由发送器所提供的能量。

根据发送器与接收器之间的距离(此距离为接收器仍可有效地收集来自发送器的无线能量的距离)，无线电力传输系统(诸如发送器与接收器)主要可分为两类：近场无线电力传输系统与远场无线电力传输系统。近场无线电力传输系统通常需要接收器(发送器)相当靠近或接近发送器(接收器)；相较于近场系统，远场无线电力传输系统通常使接收器(发送器)远离发送器(接收器)。由于近场与远场无线电力传输系统中的无线传输电力技术基本上不同，因此各系统相较于另一个分别具有其优点/缺点。

技术实现要素：

根据本发明的一些实施例，一种半导体装置包括第一模塑层；第二模塑层，形成于所述第一模塑层上；第一导电线圈，包括连续形成于所述第一模塑层中的第一部分与连续形成于所述第二模塑层中的第二部分，其中所述第一部分与所述第二部分彼此横向移置(laterallydisplace)；以及第二导电线圈，形成于所述第二模塑层中。所述第二导电线圈与位于所述第二模塑层中的所述第一导电线圈的所述第二部分交织(interweave)在一起。

附图说明

图1为根据各种实施例示出的无线电力传送系统的例示性方框图。

图2为根据各种实施例示出的图1的无线电力传送系统的接收器的耦合装置的例示性方框图。

图3为根据各种实施例示出的制造图2的耦合装置的流程图。

图4a、图4b、图4c、图4d、图4e、图4f、图4g、图4h、图4i、图4j以及图4k为根据本发明一些实施例示出的在各种制造阶段的图2的耦合装置的剖面图。

图5为根据各种实施例示出的图2的耦合装置的例示性布局设计的上视图。

图6为根据各种实施例示出的包括图2的耦合装置的集成扇出(integratedfan-out，info)结构的例示性布局设计的剖面图。

具体实施方式

以下发明内容提供用于实施所提供的目标的不同特征的许多不同实施例或实例。以下所描述的构件及配置的具体实例是为了以简化的方式传达本发明为目的。当然，这些仅仅为实例而非用以限制。举例来说，于以下描述中，在第一特征上方或在第一特征上形成第二特征可包括第二特征与第一特征形成为直接接触的实施例，且也可包括第二特征与第一特征之间可形成有额外特征使得第二特征与第一特征可不直接接触的实施例。此外，本发明在各种实例中可使用相同的组件符号和/或字母来指代相同或类似的部件。组件符号的重复使用是为了简单及清楚起见，且并不表示所欲讨论的各个实施例和/或配置本身之间的关系。

另外，为了易于描述附图中所示出的一个构件或特征与另一组件或特征的关系，本文中可使用例如”在...下”、”在...下方”、”下部”、”在…上”、”在…上方”、”上部”及类似术语的空间相对术语。除了附图中所示出的定向之外，所述空间相对术语意欲涵盖组件在使用或操作时的不同定向。设备可被另外定向(旋转90度或在其他定向)，而本文所用的空间相对术语相应地作出解释。

本文所用的名词“无线电力”用以表示与电场、磁场、电磁场、电磁辐射或不须使用物理性电磁传导物而由发送器发送至接收器的其他方式有关的任何形式的能量。一般来说，无线能量传送的根本原理的一个包括使用诸如低于30mhz的频率的磁耦合共振(magneticcoupledresonance，诸如共振感应或磁共振(magneticresonance，mr))。磁共振使用磁耦合电磁场，以传送无线电力以及使得发送器可越过短范围距离(诸如约数公分至数公尺)或高达中范围距离(诸如约数公尺至1公尺)无线传送电力至接收器。因此，使用磁共振以无线发送和/或接收电力的系统通常被分类成近场无线电力传送系统。

无线能量传送的另一原理包括使用电磁辐射。可通过反射和/或折射来将电磁辐射形成为束。如此一来，使用电磁辐射的无线电力传送系统的发送器/接收器可通过个别天线发送/收集无线电力，以越过较远(诸如长范围)距离(诸如大于1公尺)无线传送电力。因此，使用电磁辐射以无线发送/接收电力的系统通常被分类成远场无线电力传送系统。

本发明实施例提供可用于近场与远场应用两者的无线电力传送系统的各种实施例，以及制造此无线电力传送系统的方法的一些实施例。此外，在一些实施例中，无线电力传送系统的一个或多个结构可通过使用现存的cmos制造技术形成。因此，在一些实施例中，制造可用于近场与远场能量传送两者中的无线电力传送系统可无缝地整合至现存的cmos制造步骤中。再者，在一些实施例中，无线电力传送系统的一个或多个结构可形成于集成扇出(info)结构中，使得将这样一个或多个结构与诸如能量获取器等其他有源/无源装置构件整合具有较大弹性，其将于后文中详细描述。在一些实施例中，提供双模式造成型无线充电装置。

图1为根据一些实施例示出的无线电力传送系统100的例示性方框图。如示出，系统100包括发送器102以及接收器122，其中无线电力103由发送器102越过距离107发送至接收器122。发送器102包括输入电路101，其配置成由外部电源(诸如交流(alternativecurrent，ac)电源)接收电力且接着提供发送至接收器122的无线电力103。通过接收无线电力103，接收器122可使用无线电力103将输出电力105提供至用于储存和/或消耗的耦合装置(诸如电池、包括接收器122的便携装置、能量捕获设备等)。

请继续参照图1，在一些实施例中，发送器102包括处理单元104以及与处理单元104耦合的耦合装置106。接收器122包括耦合单元124以及与耦合单元124耦合的转换单元125。根据一些实施例，处理单元104可包括各种电路/构件的至少一个，其中所述电路/构件配置成由外部电源接收电力且接着处理(诸如放大、滤波等)输入电力以驱动耦合装置106。举例来说，各种电路可包括：振荡电路、电力放大器、电压转换器或其组合。就发送器102的耦合装置106来说，其可包括电容耦合电极、电感耦合线圈、共振电感线圈、天线或其组合。一般来说，使用电容耦合电极、电感耦合线圈和/或共振电感线圈来感应将发送于近场应用中的无线电力103，同时通常使用天线来感应将发送于远场应用中的无线电力103。在一些实施例中，耦合装置106被处理单元104驱动且使用上述至少一种理论(诸如电磁场、电磁辐射等)将电力103无线发送至接收器122。

接收器122的耦合装置124配置成(诸如通过电磁场和/或电磁辐射)与发送器102的耦合装置106耦合，因而使得接收器122的耦合装置124发送且接收电力103。在一实施例中，耦合装置106包括共振电感线圈，且耦合装置124也包括共振电感线圈，因此可通过使用耦合装置106与耦合装置124之间的耦合感应共振将电力103越过距离107无线发送至耦合装置124。在另一实施例中，耦合装置106包括用以形成辐射束(诸如电磁辐射)的天线，且除了包括共振电感线圈以外，耦合装置124也包括天线，因此可通过辐射束发送电力103且通过耦合装置124的天线收集(诸如接收)电力103。响应于通过耦合装置124接收的电力103，转换单元125将电力103转换成输出电力105。在一些实施例中，转换单元125可包括电压转换器，诸如交流至直流(ac-dc(directcurrent))转换器。因此，在一些实施例中，输出电力105可为直流电力信号。

图2为根据一些实施例示出的耦合装置124的例示性方框图。在图2示出的实施例中，耦合装置124包括共振电感(ri)单元126与天线单元128。在一些实施例中，共振电感单元126与天线单元128可彼此物理性远离但彼此(电性和/或磁性)耦合，但在一些其他实施例中，共振电感单元126与天线单元128可彼此物理性重叠。在一些实施例中，共振电感单元126配置成用于近场应用中，以及天线单元128配置成用于远场应用中。也就是说，如上文所述，共振电感单元126可使用共振电感线圈来接收无线电力，而天线单元128可使用天线以接收无线电力。将于下文中更详细描述共振电感单元126与天线单元128。

请参照图3，其为根据本发明实施例的一些态样示出的制造耦合装置124(诸如共振电感单元126与天线单元128)的方法300的流程图。方法300仅是实例，并非用以限制本发明实施例。根据方法的其他实施例，可在方法300之前、期间以及之后提供额外操作，可以置换或省略一些所述操作或变化一些所述操作的顺序。

以下将结合图4a、图4b、图4c、图4d、图4e、图4f、图4g、图4h、图4i、图4j以及图4k描述方法300，其示出在各种制造阶段的耦合装置124的部分的剖面图。耦合装置可为在处理和/或封装集成电路期间制造的中间装置或其一部分，其可包括静态随机存取内存(staticrandomaccessmemories，sram)和/或其他逻辑电路、诸如电阻器、电容器以及电感器等无源组件以及诸如p型场效晶体管(pfet)、n型场效晶体管(nfet)、鳍状场效晶体管(finfet)、金氧半导体场效晶体管(mosfet)、互补金氧半导体(cmos)晶体管、双极晶体管、高压晶体管、高频晶体管、其他记忆单元和/或其组合。

现请参照图3与图4a，方法300开始于提供衬底300的操作302，接着进行至于衬底400上形成底层402的操作304。

在一些实施例中，衬底400可实现为封装衬底或装置衬底。在衬底400实现为封装衬底的实例中，可以各种方式实现封装衬底400，其中所述各种方式为可经操作以于其上提供作为构件的实际对象的方式。举例来说，封装衬底400可包括晶粒导线架、印刷电路板、多芯片封装衬底或其他种类衬底。当以装置衬底来实现衬底400时，装置衬底400可包括一个或多个微电子/纳米电子装置，诸如晶体管、电性可程序只读存储器(erasableprogrammablerom，eprom)单元、电性可抹除可程序只读存储器单元、静态随机存取内存单元、动态随机存取内存单元以及其他微电子装置，其可内连以形成一个或多个集成电路。可考虑装置衬底400为其中或其上可形成有现有或未来将发展的一个或多个微电子/纳米电子装置的一个或多个衬底。衬底400(封装衬底或装置衬底)的块体可为绝缘层上半导体(silicononisolator，soi)衬底和/或可包括硅、砷化镓、应力硅、硅化锗、碳化物、钻石以及其他材料。

请继续参照图4a，在一些实施例中，底层402包括模塑材料。可通过旋转涂布方法、沉积方法(诸如原子层沉积、化学气相沉积、物理气相沉积)等将此模塑材料形成于衬底400上。在一些实施例中，底层402的模塑材料可选自：环氧模塑化合物(epoxymoldingcompound，emc)材料、模塑底胶(moldedunderfill，muf)材料、氟化氢铵(ammoniumbiflouride，abf)材料、基于氟化氢铵的材料、树脂材料或其组合。在一些实施例中，底层402可具有约50微米至200微米的厚度，但在其他实施例中底层402也可以具有任何所需厚度。

请回参照图3，方法300继续进行至于底层402中形成高阻抗拟层404(图4b)以及(实质上)于底层402中形成多个第一通孔406(图4c)的操作306。请先参照图4b，根据一些实施例，高阻抗拟层404可由高阻抗硅或多晶硅形成。在一些实施例中，高阻抗拟层404可通过使用以下工艺步骤中至少一个形成：于底层402上形成第一图案化掩膜层；使用第一图案化掩膜层以选择性地蚀刻底层402，藉此于底层402中形成凹槽；通过使用化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积、电化学沉积、分子束磊晶或其相似方法将高阻抗硅填入凹槽；移除第一图案化掩膜层；以及清洁。

现请参照图4c，在一些实施例中(在形成高阻抗拟层404之后)，形成通孔406(仍属于图3的操作306)。此通孔406可由导电材料形成，诸如铜(cu)、镍(ni)、铂(pt)、铝(al)、无铅锡料(诸如snag、sncu、snagcu)或其组合。在一些实施例中，通孔406的高度实质上相似于底层402的厚度，举例来说，约50微米至200微米。实质上，多个第一通孔406可通过使用以下工艺步骤中至少一个形成：于定义尺寸(诸如通孔406的宽度)的底层402与通孔406(诸如高阻抗拟层404旁边)的位置上形成第二图案化掩膜层；使用第二图案化掩膜层以选择性地蚀刻底层402，藉此于底层402中形成多个第一开口；通过使用物理气相沉积、化学气相沉积、电化学沉积、分子束磊晶、原子层沉积或其相似方法将上述的导电材料填入多个第一开口中；移除第二图案化掩膜层；于底层402的上表面上研磨掉过多的导电材料；以及清洁。

请回参照图3，方法300继续进行至于底层402上形成第一介电层408(图4d)的操作308。在一些实施例中，第一介电层408由形成选自以下的材料形成：聚酰亚胺、聚苯并恶唑、基于聚苯并恶唑的介电材料、苯并环丁烯、基于苯并环丁烯的介电材料或其组合。在一些实施例中，第一介电层408的厚度可为约4微米至7微米，但在其他实施例中第一介电层408可具有任何所需厚度。在一些实施例中，可通过使用物理气相沉积、化学气相沉积、电化学沉积、分子束磊晶、原子层沉积或其相似方法形成第一介电层408。

请再参照图3，方法300继续进行至于第一介电层408中形成多个第二通孔410(图4e)的操作310。在一些实施例中，通孔410可由导电材料形成，诸如铜(cu)、镍(ni)、铂(pt)、铝(al)、无铅锡料(诸如snag、sncu、snagcu)或其组合。在一些实施例中，如图4e示出的实施例中所示，各通孔410形成为与多个第一通孔406中的一个对准。在一些实施例中，通孔410可通过使用以下工艺步骤中至少一个形成：于定义尺寸(诸如通孔410的宽度)的第一介电层408与通孔410(诸如与通孔406对准)的位置上形成第三图案化掩膜层；使用第三图案化掩膜层以选择性地蚀刻第一介电层408，藉此于第一介电层408中形成多个第二开口；通过使用物理气相沉积、化学气相沉积、电化学沉积、分子束磊晶、原子层沉积或其相似方法将上述的导电材料填入多个第二开口中；移除第三图案化掩膜层；于第一介电层408的上表面上研磨掉过多的导电材料；以及清洁。

现请同时参照图3与图4f，方法300继续进行至于第一介电层408上形成重布线路结构412的操作312。在一些实施例中，形成重布线路结构412以使得重布线路结构412的一端(诸如端412a)对准第一介电层408的通孔410以及重布线路结构412的另一端(诸如端412b)对准实质上形成的通孔416。

请继续参照图4f，重布线路结构412可由导电材料形成，诸如铜(cu)、镍(ni)、铂(pt)、铝(al)、无铅锡料(诸如snag、sncu、snagcu)或其组合。在一些实施例中，重布线路结构412的宽度可为约50微米至1000微米。在一些实施例中，重布线路结构412可通过使用以下工艺步骤中至少一个形成：于第一介电层408上形成拟介电层；于定义尺寸(诸如重布线路结构412的宽度)的拟介电层与重布线路结构412(诸如使端412a对准通孔406)的位置上形成第四图案化掩膜层；使用第四图案化掩膜层以选择性地蚀刻拟介电层，藉此于拟介电层中形成多个第三开口；通过使用物理气相沉积、化学气相沉积、电化学沉积、分子束磊晶、原子层沉积或其相似方法将上述的导电材料填入多个第三开口中；移除第四图案化掩膜层与拟介电层；以及清洁。

请回参照图3，方法300继续进行至于第一介电层408与重布线路结构412上形成第二介电层414(图4g)的操作314。第二介电层414形成于第一介电层408上。在一些实施例中，第二介电层414由形成选自以下的材料形成：聚酰亚胺、聚苯并恶唑、基于聚苯并恶唑的介电材料、苯并环丁烯、基于苯并环丁烯的介电材料或其组合。也就是说，在一些实施例中，第二介电层414可包括实质上相似于第一介电层408的材料。在一些实施例中，第二介电层414的厚度可为约4微米至7微米，但在其他实施例中第二介电层414可具有任何所需厚度。在一些实施例中，可通过使用物理气相沉积、化学气相沉积、电化学沉积、分子束磊晶、原子层沉积或其相似方法形成第二介电层414。

在图3中，方法300继续进行至于第二介电层414中形成多个第三通孔416(图4h)的操作316。在一些实施例中，如上文所述，如图4h所示，通孔416可形成为对准于重布线路结构412的一端(诸如端412b)，且此端与对准于通孔410的其他端相对。通孔416可由导电材料形成，诸如铜(cu)、镍(ni)、铂(pt)、铝(al)、无铅锡料(诸如snag、sncu、snagcu)或其组合。在一些实施例中，通孔416可通过使用以下工艺步骤中至少一个形成：于定义尺寸(诸如通孔416的宽度)的第二介电层414与通孔416(诸如在端412b处与重布线路结构412对准)的位置上形成第五图案化掩膜层；使用第五图案化掩膜层以选择性地蚀刻第二介电层414，藉此于第二介电层414中形成多个第四开口；通过使用物理气相沉积、化学气相沉积、电化学沉积、分子束磊晶、原子层沉积或其相似方法将上述的导电材料填入多个第四开口中；移除第五图案化掩膜层；于第二介电层414的上表面上研磨掉过多的导电材料；以及清洁。

请回参照图3，方法300继续进行至于第二介电层414上形成顶层418(图4i)的操作318。在一些实施例中，顶层418包括上述的模塑材料(诸如环氧化合物模塑化合物(epoxymoldingcompound，emc)材料、模塑底胶(moldedunderfill，muf)材料、氟化氢铵(ammoniumbiflouride，abf)材料、基于氟化氢铵的材料、树脂材料或其组合)。在一些实施例中，可通过旋转涂布方法、沉积方法(诸如原子层沉积、化学气相沉积、物理气相沉积)等将此模塑材料(诸如顶层418)形成于第二介电层414上。

如分别于图4j与图4k所示，方法300继续进行至于顶层418中形成多个第四通孔420与多个第五通孔422的操作320。通孔420、422可由导电材料形成，诸如铜(cu)、镍(ni)、铂(pt)、铝(al)、无铅锡料(诸如snag、sncu、snagcu)或其组合。在一些实施例中，通孔420形成为对准通孔416(图4j)，而通孔422形成为与通孔420分隔一距离423(图4k)。距离423可为约50微米至500微米。通孔422可在形成通孔420之前、期间以及之后形成。在通孔420与通孔422同时形成的实例中，通孔420与通孔422可通过使用以下工艺步骤中至少一个形成：于定义个别尺寸(诸如通孔420的宽度与通孔422的宽度)的顶层418以及通孔420与通孔422的个别位置上形成第六图案化掩膜层；使用第六图案化掩膜层以选择性地蚀刻顶层418，藉此于顶层418中形成多个第五开口；通过使用物理气相沉积、化学气相沉积、电化学沉积、分子束磊晶、原子层沉积或其相似方法将上述的导电材料填入多个第五开口中；移除第六图案化掩膜层；于顶层418的上表面上研磨掉过多的导电材料；以及清洁。

在一些实施例中，现请参照图4k，各通孔420配置成与第二介电层414中的通孔416与重布线路结构412、第一介电层408中的通孔410以及进一步与底层402中的通孔406电性耦合。再者，根据各种实施例，如图4k中所示，由于第一介电层408中的通孔410以及第二介电层414中的重布线路结构412与通孔416形成“阶梯”，因此电性耦合的通孔420、通孔416、重布线路结构412、通孔410以及通孔406可形成为阶梯状结构。具体来说，在一些实施例中，通孔422可配置于两相邻通孔420之间，且与相邻通孔420之间分隔约为50微米至500微米的距离423。

图5为根据一实施例示出的耦合装置的多个通孔420与通孔422的例示性布局设计500的上视图。具体来说，图4k的耦合装置124是沿图5的线a-a的布局设计500的剖面图。如图5中所示，由上视图来看，多个通孔420形成第一线圈502且多个通孔422形成第二线圈504。也就是说，如图5所示，图4k所示的多个通孔420、422的每一个可彼此耦合以分别在具有如线圈502与线圈504等导电圈的一个或多个循环(或线圈)中形成导电绕线(routingconductiveline)。即使图5所示的实施例中显示线圈502、504分别形成基于矩形的形状，但在一些其他实施例中，线圈502、504可分别形成诸如螺旋循环等各种形状中的任何一种，且螺旋循环以外的形状也落入本发明实施例的范围中。

请继续参照图5，由上视图可知，线圈502与线圈504彼此重叠以形成共享管腔区域(commonlumenarea)506。在一些实施例中，线圈502可与线圈504交织在一起。具体来说，在图5示出的实施例中，由上视图来看，线圈502包括连续形成且彼此耦合的多个导电循环(导电循环502-1、502-2)。也就是说，如图5示出，多个通孔420连续形成导电循环502-1与导电循环502-2(诸如线圈502)。相似地，线圈504包括连续形成且彼此耦合的多个导电循环(导电循环504-1、504-2)。相似地，如图5示出，多个通孔422连续形成导电循环504-1与导电循环504-2(诸如线圈504)。举例来说，第一导电循环502-1起始于点512，并沿着方向513至点514，以及第二导电循环502-2再继续并起始于点514，而沿着方向515至点516。在一些实施例中，线圈的循环数目对应于线圈的圈数。因此，图5示出的实施例中的线圈502具有2圈，但在一些其他实施例中也可使用任何所需圈数。由于线圈502与线圈504交织形成，因此线圈504的导电循环504-1可起始于其本身的点554，然后沿着相似方向515，以及结束于点556以形成循环且可配置于线圈502的循环502-1与循环502-2之间的线圈504的循环504-1。

请同时参照图4k与图5，由于顶层418处的各通孔420与其相应通孔416、410、406以及重布线路结构412电性耦合，因此除了顶层418处的通孔420以外，线圈502可包括电性耦合的通孔416、410、406以及重布线路结构412。在一些实施例中，线圈502可定义电感器(此处为“电感器(线圈502)”)。相似地，形成线圈504的通孔422可定义另一个电感器(此处为“电感器(线圈504)”)。在一些实施例中，电感器(线圈502)可作为耦合装置124的共振电感(ri)单元126，以与发送器102的耦合装置106磁共振(图1)。也就是说，电感器(线圈502)可配置成用于无线电力传送系统100的近场应用中。另一方面，由于电感器(线圈502)与电感器(线圈504)彼此共振，且与线圈502的通孔(诸如通孔420)与线圈504的通孔(诸如通孔422)之间有效感应的电容器600(如图4k与图5中示出)一起共振，因此可形成天线循环。此天线循环可包括lc共振网络(lcresonantnetwork)。在一些实施例中，天线循环可作为耦合装置124的天线单元128以利用电磁辐射耦合至发送器102的耦合装置106(图1)。换句话说，电感器(线圈502)、电感器(线圈504)与电容器600(诸如所形成的天线循环)可配置成用于无线电力传送系统100的远场应用中。如此一来，通过制造根据图3所揭示实施例的耦合装置124，耦合装置124可同时用于近场与远场应用中。

如上文所述，在一些实施例中，无线电力传送系统100(图1)可形成于info结构中。图6示出包括电力传送系统100的耦合装置的例示性info结构700。在图6的示出实施例中，除了图4k中示出的耦合装置以外，info结构700包括配置于管腔区域506周围的集成电路(ic)芯片450。尽管在info结构700的示出实施例中仅示出1个ic芯片，但info结构700可包括配置于管腔区域506中的任何所需数目的ic芯片，而这些其余数目都落入本发明实施例的范围中。此ic芯片(诸如ic芯片450)可包括微控制器、充电装置、能量获取器或其组合。此外，info结构700还包括介电层452、配置于介电层452中的多个通孔454、配置于介电层452上的重布线路结构456以及配置于介电层452上的另一介电层458。在一些实施例中，如图6中所示，ic芯片450通过ic芯片450的电性接触窗451(电性)耦合一个通孔454，通孔454(电性)耦合重布线路结构456，重布线路结构456(电性)耦合通孔422。如此一来，ic芯片450电性耦合通孔422。如同上述，尽管在图6示出的实施例中是以1个ic芯片450耦合通孔422为例，但ic芯片450电性耦合线圈504(由于多个通孔422彼此电性耦合如同线圈504)。再者，即使耦合装置124在远场应用中使用天线单元128(诸如由线圈502、线圈504以及电容器600形成的天线循环)，ic芯片450也可以电性耦合天线循环。在ic芯片450实现为能量获取器的实例中，在一些实施例中，天线单元128可使用所形成的天线循环以收集耦合装置124附近的各种周遭能量，诸如太阳能电力、热能、微波等，且将所收集的能量传送至所耦合的ic芯片450(能量获取器)以储存和/或使用。

在一些实施例中，介电层452、458可分别由选自以下的材料形成：聚酰亚胺、聚苯并恶唑、基于聚苯并恶唑的介电材料、苯并环丁烯、基于苯并环丁烯的介电材料或其组合。通孔454与重布线路结构456可分别由导电材料形成，诸如铜(cu)、镍(ni)、铂(pt)、铝(al)、无铅锡料(诸如snag、sncu、snagcu)或其组合。在一些实施例中，在于介电层414上形成顶层418之前(诸如图3的操作318之前)，ic芯片450可通过黏着层449(诸如芯片贴附膜(dieattachfilm，daf))配置于(贴附至)介电层414上。在形成顶层418(诸如图3的操作318)与于其中形成通孔420及通孔422(诸如图3的操作320)之后，可使用相似于操作308与操作314中所描述的工艺于顶层418上形成介电层452，接着可使用相似于操作310与操作320中所描述的工艺于介电层452中形成通孔454，可使用相似于操作312中所描述的工艺形成重布线路结构456以(电性)耦合通孔454，以及可使用相似于操作308与操作314中所描述的工艺于介电层452上形成介电层458。

根据本发明的一些实施例，揭示一种半导体装置。半导体装置包括第一模塑层；第二模塑层，形成于所述第一模塑层上；第一导电线圈，包括连续形成于所述第一模塑层中的第一部分与连续形成于所述第二模塑层中的第二部分，其中所述第一部分与所述第二部分彼此横向移置；以及第二导电线圈，形成于所述第二模塑层中。所述第二导电线圈与位于所述第二模塑层中的所述第一导电线圈的所述第二部分交织在一起。

根据本发明的一些实施例，半导体包括第一模塑层；第二模塑层，形成于所述第一模塑层上；第一导电线圈，包括连续形成于所述第一模塑层中的第一部分与连续形成于所述第二模塑层中的第二部分，其中所述第一部分与所述第二部分彼此横向移置且通过导线彼此电性耦合，所述导线横向配置于所述第一模塑层与所述第二模塑层之间；以及第二导电线圈，形成于所述第二模塑层中。其中，所述第二导电线圈与位于所述第二模塑层中的所述第一导电线圈的所述第二部分交织在一起。

根据本发明的一些实施例，制造半导体装置的方法包括于第一模塑层中形成第一通孔；于第一模塑层上形成导线，其中所述导线横向配置于所述第一模塑层上且所述导线的第一端对准所述第一通孔；以及于所述导线与所述第一模塑层上的第二模塑层中形成第三通孔与第四通孔，其中所述第三通孔对准所述导线的第二端，其中所述第三通孔与所述第四通孔分隔开，且其中所述第三通孔、所述导线以及所述第一通孔彼此电性耦合。

根据本发明的一些实施例，所述第一导电线圈的所述第一部分包括延伸穿过第一介电层的至少一第一通孔。

根据本发明的一些实施例，所述第一导电线圈的所述第二部分包括延伸穿过第二介电层的至少二倍数个通孔。

根据本发明的一些实施例，所述二倍数个通孔与所述第一通孔彼此横向移置，且所述二倍数个通孔中的一个通过横向配置于所述第一模塑层与所述第二模塑层之间的重布线路结构与所述第一通孔电性耦合。

根据本发明的一些实施例，所述第二导电线圈包括至少一第二通孔，其配置于所述第二介电层中的所述第一导电线圈的所述二倍数个通孔之间。

根据本发明的一些实施例，所述第二导电线圈的所述第二通孔与所述第一导电线圈的所述二倍数个通孔彼此分隔开。

根据本发明的一些实施例，所述第二导电线圈的所述第二通孔与所述第一导电线圈的所述二倍数个通孔的至少一个电性形成电容器。

根据本发明的一些实施例，第一电感器由所述第一导电线圈定义，以及第二电感器由所述第二导电线圈定义。

根据本发明的一些实施例，所述第一电感器、所述第二电感器以及所述电容器形成所述装置的循环天线，且所述第一电感器、所述第二电感器以及所述电容器分别在共振频率下操作。

根据本发明的一些实施例，所述共振频率由所述第一电感器与所述第二电感器的电感值以及所述电容器的电容值定义。

根据本发明的一些实施例，所述第一导电线圈的所述第二部分包括延伸穿过第二介电层的至少一第二通孔。

根据本发明的一些实施例，所述第二导电线圈包括至少一第三通孔，其实质上邻近配置于所述第二介电层中的所述第一导电线圈的所述第二通孔。

根据本发明的一些实施例，所述第二导电线圈的所述第三通孔与所述第一导电线圈的所述第二通孔通过配置于两者之间的所述第二模塑层彼此分隔开，因而形成电容器。

根据本发明的一些实施例，所述第二导电线圈的至少一所述第三通孔、所述第一导电线圈的所述第二通孔以及所述电容器形成所述装置的循环天线。

根据本发明的一些实施例，所述第一导电线圈形成所述装置的磁共振电感器。

根据本发明的一些实施例，所述导线包括重布线路结构。

根据本发明的一些实施例，所述导线的所述第一端与所述第二端彼此相对。

以上概述了数个实施例的特征，使本领域具普通技术人员可更佳了解本发明的态样。本领域普通技术人员应理解，其可轻易地使用本发明作为设计或修改其他工艺与结构的依据，以实行本文所介绍的实施例的相同目的和/或达到相同优点。本领域普通技术人员还应理解，这种等效的配置并不悖离本发明的精神与范畴，且本领域普通技术人员在不悖离本发明的精神与范畴的情况下可对本文做出各种改变、置换以及变更。

虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的改动与润饰，均在本发明范围内。