适用于印刷工艺制备显示器的像素Bank结构及其制备方法与流程

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种适用于印刷工艺制备显示器的像素bank结构及其制备方法。

背景技术：

采用溶液加工制作OLED(有机发光二极管)以及QLED(量子点发光二极管)显示器，由于其低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点，是未来显示技术发展的重要方向。其中，印刷技术被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。

但作为一个新兴技术，采用溶液法印刷技术和印刷工艺制备的OLED或QLED，存在显示效果不佳的问题。虽然研究者们从材料及喷印设备的方向对其进行了改进，但是印刷设备的稳定性以及薄膜厚度的均匀性等印刷难题一直未能达到预期结果。

在常规印刷AM-QDLED(有源矩阵量子点发光二极管)或AMOLED(有源矩阵有机发光二极管)器件中，为限制墨水在印刷时向四周溢出，像素界定层(PDL或Bank)设置成上窄下宽、且顶部平坦的结构，如图1所示(1’基板，2’像素电极，3’像素Bank)。这种像素结构中，打印过程中当墨水轨迹发生偏移或者当喷出墨滴产生彗星点等状况时，滴落在像素Bank顶部的墨水会遗留在Bank顶部，从而导致像素Bank内部的墨水量减小，进而造成干燥后各像素区域发光元件功能层的薄膜厚度不均匀，最终影响显示效果。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种适用于印刷工艺制备显示器的像素Bank结构及其制备方法，旨在解决现有技术采用印刷工艺制备显示器时，墨水遗留在Bank顶部、导致显示器显示效果不佳的问题。

本发明是这样实现的，一种适用于印刷工艺制备显示器的像素Bank结构，包括基板、图案化像素电极和像素Bank层，所述像素Bank层包括设置在所述基板上的第一像素Bank和设置在所述第一像素Bank上表面的第二像素Bank，其中，所述第一像素Bank为上窄下宽的Bank结构，且所述第一像素Bank由亲液性材料制成；所述第二像素Bank包括一对相互抵靠的导墨斜坡，所述导墨斜坡的高度沿着所述相互抵靠的导墨斜坡相互靠近的方向渐增设置，且所述第二像素Bank由疏液性材料制成。

以及，一种适用于印刷工艺制备显示器的像素Bank结构的制备方法，包括以下步骤：

提供一基板，在所述基板上制备图案化像素电极；

在所述基板上沉积亲液性Bank膜层，在所述亲液性Bank膜层上沉积疏液性Bank膜层；

对所述亲液性Bank膜层、疏液性Bank膜层进行曝光显影处理，得到上窄下宽的第一像素Bank和中间高度最高、向两侧方向高度逐渐变小的所述第二像素Bank。

本发明提供的适用于印刷工艺制备显示器的像素Bank结构，用亲液性材料制作第一像素Bank，并于其顶部引入包括一对相互抵靠的导墨斜坡的疏液性第二像素Bank，所述导墨斜坡的高度沿着所述相互抵靠的导墨斜坡相互靠近的方向渐增设置，因此所述第二像素Bank具有倾斜角度。采用印刷工艺制备显示器时，沉积墨水时，由于疏液性第二像素Bank的设置，墨水的三相线固定于亲液的第一像素bank与疏液的第二像素bank的接触线位置，不会沿着第二像素bank铺展爬出像素bank；同时，当有墨滴滴落在第二像素Bank顶部后，导墨斜坡的设置使得墨滴在第二像素Bank上具有较大的接触角，在重力的作用下，墨滴发生滚动，沿着导墨斜坡爬回像素槽内，从而有效防止墨水轨迹发生偏移或者墨滴产生彗星点，进而解决印刷工艺制备显示器时膜厚不均匀的问题，提高整个印刷工艺的薄膜均匀性。

本发明提供的适用于印刷工艺制备显示器的像素Bank结构的制备方法，只需在现有的第一像素Bank上制备一层具有倾斜角度的疏液性第二像素Bank即可，方法简单易行，可实现产业化生产。

附图说明

图1是现有技术提供的刷工艺制备显示器的像素Bank结构的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的适用于印刷工艺制备显示器的像素Bank结构的效果示意图；

图3是本发明实施例提供的在基板上制备图案化像素电极后的结构示意图；

图4是本发明实施例提供的沉积完亲液性Bank膜层、疏液性Bank膜层后的结构示意图；

图5是本发明实施例提供的适用于印刷工艺制备显示器的像素Bank结构的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

结合图2，本发明实施例提供了一种适用于印刷工艺制备显示器的像素Bank结构，包括基板1、图案化像素电极2和像素Bank层3，所述像素Bank层3包括设置在所述基板1上的第一像素Bank 31和设置在所述第一像素Bank31上表面的第二像素Bank 32，其中，所述第一像素Bank 31为上窄下宽的Bank结构，且所述第一像素Bank 31由亲液性材料制成；所述第二像素Bank 32包括一对相互抵靠的导墨斜坡，所述导墨斜坡的高度沿着所述相互抵靠的导墨斜坡相互靠近的方向渐增设置，且所述第二像素Bank 32由疏液性材料制成。

具体的，所述基板1可选用本领域常规的基板1，包括但不限于TFT基板1。所述图案化像素电极2可采用本领域常规像素电极材料制成。

本发明实施例中，所述像素Bank层3包括设置在所述基板1上的第一像素Bank 31和设置在所述第一像素Bank 31上表面的第二像素Bank 32。其中，所述第一像素Bank 31由亲液性材料制成；所述第二像素Bank 32由疏液性材料制成。所述第一像素Bank 31与常规的bank结构一样，设置成上窄下宽的结构，以限制墨水在印刷时向四周溢出；且亲液性的所述第一像素Bank 31设置在疏液性的所述第二像素Bank 32底部，保证了沉积墨水时墨水良好的铺展性，从而有利于形成平整的薄膜形貌。优选的，所述第一像素Bank 31的厚度为0.2-0.6μm。该优选的厚度，可以保证在像素bank限定的像素槽(发光像素区域)中沉积的发光单元各功能层满足合适的厚度。

所述第二像素Bank 32设置在所述第一像素Bank 31的顶部，具体的，所述第二像素Bank 32包括一对相互抵靠的导墨斜坡，所述导墨斜坡的高度沿着所述相互抵靠的导墨斜坡相互靠近的方向渐增设置。由此，所述第二像素Bank32形成具有一定倾斜角度的bank结构。

优选的，所述导墨斜坡的斜坡面为平面或外侧凸设的弧面。即所述第二像素Bank 32的表面呈角形或弧形，从而有利于低落在所述第二像素Bank 32的墨滴回流至像素槽中。

进一步的，所述斜坡面为平面时，所述平面延伸与所述基板1相交形成的夹角为20-45°；或所述斜坡面为弧面时，所述斜坡面与所述第一像素Bank 31的交点的切线延伸，与所述基板1相交形成的夹角为20-45°。若所述夹角太小，不利于所述第二像素Bank 32上墨滴的流动；若所述夹角太大，后期蒸镀阴极时会引起倾斜面阴极厚度与发光像素区域内阴极厚度差别较大，影响显示器件性能。

优选的，所述第二像素Bank 32的最高点高度为0.5-1.0μm。若所述第二像素Bank 32的最高点高度过低，不利于所述第二像素Bank 32上墨滴的流动；若所述第二像素Bank 32的最高点高度过高，后期蒸镀阴极时会引起倾斜面阴极厚度与发光像素区域内阴极厚度差别较大，影响显示器件性能。

进一步优选的，所述相互抵靠的导墨斜坡以所述第一像素Bank 31的中线为对称轴对称设置。本发明实施例所述第一像素Bank 31的中线，是指垂直于所述基板1的所述第一像素Bank 31的纵向切面的中线(图2中虚线所示)。即所述疏液像素bank的最高点位于相连像素像个区域的中间，即在相连像素中间位置疏液像素bank最高，向着像素槽位置高度依次减小，形成倾斜角度。

本发明实施例提供的适用于印刷工艺制备显示器的像素Bank结构，用亲液性材料制作第一像素Bank，并于其顶部引入包括一对相互抵靠的导墨斜坡的疏液性第二像素Bank，所述导墨斜坡的高度沿着所述相互抵靠的导墨斜坡相互靠近的方向渐增设置，因此所述第二像素Bank具有倾斜角度。采用印刷工艺制备显示器时，沉积墨水时，由于疏液性第二像素Bank的设置，墨水的三相线固定于亲液的第一像素Bank与疏液的第二像素Bank的接触线位置，不会沿着第二像素Bank铺展爬出像素bank；同时，当有墨滴滴落在第二像素Bank顶部后，导墨斜坡的设置使得墨滴在第二像素Bank上具有较大的接触角，在重力的作用下，墨滴发生滚动，沿着导墨斜坡爬回像素槽内，从而有效防止墨水轨迹发生偏移或者墨滴产生彗星点，进而解决印刷工艺制备显示器时膜厚不均匀的问题，提高整个印刷工艺的薄膜均匀性。

本发明实施例所述适用于印刷工艺制备显示器的像素Bank结构，可以通过下述方法制备获得。

以及，结合图3-5，本发明实施了还提供了一种适用于印刷工艺制备显示器的像素Bank结构的制备方法，包括以下步骤：

S01.提供一基板1，在所述基板1上制备图案化像素电极2；

S02.在所述基板1上沉积亲液性Bank膜层31’，在所述亲液性Bank膜层31’上沉积疏液性Bank膜层32’；

S03.对所述亲液性Bank膜层31’、疏液性Bank膜层32’进行曝光显影处理，得到上窄下宽的第一像素Bank 31和中间高度最高、向两侧方向高度逐渐变小的所述第二像素Bank 32。

具体的，上述步骤S01中，所述基板1的类型如上文所述，在所述基板1上制备图案化像素电极2的方法可采用本领域常规的方法实现。在所述基板1上制备图案化像素电极2后的结构如图3所示。

上述步骤S02中，在所述基板1上依次沉积亲液性Bank膜层31’、疏液性Bank膜层32’，所述亲液性Bank膜层31’、所述疏液性Bank膜层32’为同种性质的光阻材料制成，即所述亲液性Bank膜层31’、所述疏液性Bank膜层32’同为正性光阻膜层；或所述亲液性Bank膜层31’、所述疏液性Bank膜层32’同为负性光阻膜层。沉积完亲液性Bank膜层31’、疏液性Bank膜层32’后的结构如图4所示。

上述步骤S03中，对所述亲液性Bank膜层31’、疏液性Bank膜层32’进行曝光显影处理，得到适用于印刷工艺制备显示器的像素Bank结构。适用于印刷工艺制备显示器的像素Bank结构的一种情形如图5所示。

优选的，所述曝光显影处理的方法为：

当所述亲液性Bank膜层31’、疏液性Bank膜层32’为正性光阻膜层时，像素发光区域全曝光处理，像素Bank区域的曝光量从一个像素发光区域到另一个相邻像素发光区域的中间区逐渐减小，然后显影；

当所述亲液性Bank膜层31’、疏液性Bank膜层32’为负性光阻膜层时，采用半曝光处理，像素发光区域不曝光，像素Bank区域的曝光量从一个像素发光区域到另一个相邻像素发光区域的中间区逐渐增大，然后显影。

本发明实施例提供的适用于印刷工艺制备显示器的像素Bank结构的制备方法，只需在现有的第一像素Bank上制备一层具有倾斜角度的疏液性第二像素Bank即可，方法简单易行，可实现产业化生产。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。