本发明涉及半导体
技术领域：
，具体而言涉及一种光阻剂喷涂量的监测方法。
背景技术：
：光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是最为复杂的技术之一。相对于其它单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义。在光刻工艺开始之前，首先需要将图案通过特定设备复制到掩膜版上，然后通过光刻设备产生特定波长的光将掩膜版上的图案结构复制到生产芯片的硅片上。在光刻过程中会利用各种光阻，随着聚酰胺(polymide)的产品越来越多，一些概率性比较低的情况也会随着发生。例如因为机台硬件(hardware)的问题导致喷出来的聚酰胺(polymide)的光阻不够而在晶圆上产生涂覆不够(poorcoating)的情况，最终导致了很多产品的报废。目前当下对于机台分配量(dispensevolume)的检查，都是设备利用量筒或者量杯在机台工程师PM或者停机(down机)的状态下对于设备的一个检查，但是却没有正常的一个监测(monitor)方式。根据之前案件的经验，如果可以简单地对机台的喷涂量做到离线监测(offlinemonitor)，能够大大降低晶圆的报废的概率。因此，有必要提出一种光阻剂喷涂量的监测方法，以解决现有技术中存在的问题。技术实现要素：在
发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的
发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。为了克服目前存在的问题，本发明提供了一种光阻剂喷涂量的监测方法，所述方法包括：提供晶圆；在所述晶圆表面的中心的两侧形成沿第一方向间隔设置的若干第一标记，在所述晶圆表面的中心的两侧形成沿第二方向间隔设置的若干第二标记，所述第一方向与所述第二方向垂直，任一所述第一标记与所述中心之间的距离不等于任一所述第二标记与所述中心之间的距离；对所述晶圆喷涂光阻剂，以覆盖所述晶圆、所述第一标记以及所述第二标记；对所述光阻剂进行成像，并在成像图案中根据所述第一标记和所述第二标记确定所述光阻剂形成的晕环到所述晶圆边缘的距离；根据所述距离与所述光阻剂喷涂量之间的对应关系，确定所述光阻剂的喷涂量。可选地，所述晶圆的直径为200mm，离所述中心最近的所述第一标记与所述中心之间的距离和离所述中心最近的所述第二标记与所述中心之间的距离相差5mm。可选地，所有所述第一标记关于所述中心对称设置，所有所述第二标记关于所述中心对称设置。可选地，相邻的所述第一标记之间的距离相等，相邻的所述第二标记之间的距离相等。可选地，相邻的所述第一标记之间的距离不大于10mm，相邻的所述第二标记之间的距离不大于10mm。可选地，沿所述第一方向在距离所述晶圆中心分别为95mm、85mm、75mm、65mm、55mm、45mm、35mm、25mm和15mm的位置处设置所述第一标记。可选地，沿所述第二方向在距离所述晶圆中心分别为90mm、80mm、70mm、60mm、50mm、40mm、30mm、20mm和10mm的位置处设置所述第二标记。可选地，所述第一标记和/或所述第二标记的制备方法包括：在所述晶圆上形成标记材料层，以覆盖所述晶圆；对所述标记材料层进行蚀刻，以得到所述第一标记和/或所述第二标记。可选地，所述第一标记和/或所述第二标记为方形标记。可选地，确定所述光阻剂形成的晕环到所述晶圆边缘的距离的步骤包括：在所述成像图案中查找所述光阻剂形成的所述晕环，然后确定距离所述晕环最近所述第一标记和所述第二标记；比较距离所述晕环最近的所述第一标记与所述晕环之间的距离和距离所述晕环最近的所述第二标记与所述晕环之间的距离，将距离所述晕环较近的标记作为参照来确定所述晕环到所述晶圆边缘的距离。可选地，所述距离为晕环的最内环到所述晶圆边缘的距离。可选地，所述光阻剂包括聚酰胺。本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种光阻剂喷涂量的监测方法，在所述方法中首先在晶圆的表面形成若干第一标记和第二标记，所述第一标记和第二标记的延伸方向相互垂直，用于确定晕环至晶圆边缘的距离，然后在晶圆上形成光阻剂并对所述光阻剂进行成像，在成像图案中查找光阻剂特有的晕环的位置，根据所述第一标记和所述第二标记确定所述晕环到所述晶圆边缘的距离；根据所述距离与所述光阻剂喷涂量之间的对应关系，确定所述光阻剂的喷涂量。本发明通过利用聚酰胺(polymide)光阻的特性实现利用晶圆监测(wafermonitor)机台光阻喷涂量的方法。本发明所述操作简单，节约机台的时间，提高了机台的效率；有效地解决了喷涂量监测(volumemonitor)的时效性，有效地降低晶圆报废的风险。附图说明本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。附图中：图1是根据本发明的一个实施例的光阻剂喷涂量的监测方法的流程图；图2是根据本发明的一个实施例的晶圆基片内的第一标记和第二标记的结构示意图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。这里参考作为本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发明的实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本发明的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本发明的范围。为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。目前当下对于机台分配量(dispensevolume)的检查，都是设备利用量筒或者量杯在机台工程师PM或者停机(down机)的状态下对于设备的一个检查，但是却没有正常的一个监测(monitor)方式。根据之前案件的经验，如果能够多一个可以简单地对机台的喷涂量做到离线监测(offlinemonitor)能够大大降低晶圆的报废的概率。由于光阻剂，例如聚酰胺(polymide)是一种特厚特粘稠的光阻，喷出来的光阻在晶圆上会很难分散得开来，通过正常机台的观察，对于正常的厚度的监测的晶圆表面很难看的出来有什么特殊的区别。但是光刻机(photo)有一种机台可以将晶圆表面进行拍照。通过表面的照片我们发现，不同的喷涂量晶圆表面的形状是有差异的。通过大量的实验以及总结对比可以很明显地看出，不同的喷涂量拍出来的照片的表面形貌是有差异的，光阻的喷涂量越多，光阻剂表面的晕环越靠外。通过对比可以发现，7ml的内环距离晶圆边缘大概有25mm；6ml的内环距离晶圆边缘大概有31mm；5ml的内环距离晶圆边缘大概有38mm；4ml的内环距离晶圆边缘大概有49mm；3ml的内环距离晶圆边缘大概有56mm。通过上述实验可以发现所述晕环到所述晶圆边缘的距离与所述光阻剂喷涂量之间具有对应关系，在确定所述晕环到所述晶圆边缘的距离之后，根据两者之间的对应关系即可确定所述光阻剂的喷涂量。根据上述实验的方法本发明提供了一种光阻剂喷涂量的监测方法，所述方法包括：提供晶圆，在晶圆中心两侧沿第一方向在所述晶圆上间隔设置若干第一标记，相邻所述第一标记之间的距离不大于10mm，在晶圆中心两侧沿第二方向在所述晶圆上间隔设置若干第二标记，相邻所述第二标记之间的距离不大于10mm，其中所述第一方向与所述第二方向垂直，并且所述第一标记与对应的所述第二标记到圆心的距离不同；对所述晶圆喷涂光阻剂，以覆盖所述晶圆；对所述光阻剂进行成像并在成像图案中查找光阻剂特有的晕环的位置；根据所述第一标记和所述第二标记确定所述晕环到所述晶圆边缘的距离；根据所述距离与所述光阻剂喷涂量之间的对应关系，确定所述光阻剂的喷涂量。可选地，所述第一方向为X轴方向，所述第二方向为Y轴方向，两者相互垂直。所述第一标记设置于X轴方向上，沿所述第一方向在距离所述晶圆中心距离分别为95mm、85mm、75mm、65mm、55mm、45mm、35mm、25mm和15mm位置处设置所述第一标记。例如分别在晶圆的X方向的(-95,0)(-85,0)一直到(85,0)(95,0)的位置每隔10mm曝光一个第一标记，以确定坐标，作为后续步骤中读取晕环位置的坐标。所述第二标记设置于所述Y轴方向上，沿所述第二方向在距离所述晶圆中心距离分别为90mm、80mm、70mm、60mm、50mm、40mm、30mm、20mm和10mm位置处设置所述第二标记。例如在Y方向(0,90)(0,80)一直到(0,-80)(0,-90)的位置同样地每隔10mm曝光一个第二标记，以确定坐标，作为后续步骤中读取晕环位置的坐标。其中，所述第一标记与对应的所述第二标记到圆心的距离不同，例如所述第一标记与对应的所述第二标记到圆心的距离相差5mm。通过X/Y方向的交叉读数这样我们就可以将最后的读数精确到5mm的范围内。其中，所述晕环到所述晶圆边缘的距离是指所述晕环到所述晶圆边缘的距离的垂直距离，即沿所述晶圆的直径方向到所述晶圆边缘的距离。进一步，所述晕环可以包括内外相互嵌套的多个晕环形成的阵列，因此所述距离为晕环的最内环到所述晶圆边缘的距离。所述晕环到所述晶圆边缘的距离与所述光阻剂喷涂量之间的对应关系如下表所示：编号读数喷涂量1<25mm﹥7ml225mm-30mm6ml-7ml330mm-40mm5ml-6ml440mm-50mm4ml-5ml550mm-55mm3ml-4ml6﹥55mm<3ml上表是根据实际的情况得出的读数与喷涂量的对照表，将以上的设计应用于正常的监测当中，得出最后的读数，再利用上表的对应关系。就可以监测出机台当下的光阻的喷涂量多少。节约了时间，提高了机台的效率。需要说明的是上述表格中所述晕环到所述晶圆边缘的距离与所述光阻剂喷涂量之间的对应关系是针对直径为200mm的晶圆，该对应关系与晶圆的大小相关，晶圆大小的不同，所述距离和喷涂量之间的对应关系不同，但是使用本发明所述方法均可以实现所述目的，例如当所述晶圆大小为直径150mm时，只需要重新建立所述距离和喷涂量之间的对应关系即可，然后根据所述对应关系监测出机台当下的光阻的喷涂量多少。本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种光阻剂喷涂量的监测方法，在所述方法中首先在晶圆的表面形成若干第一标记和第二标记，所述第一标记和第二标记的延伸方向相互垂直，用于确定晕环至晶圆边缘的距离，然后在晶圆上形成光阻剂并对所述光阻剂进行成像，在成像图案中查找光阻剂特有的晕环的位置，根据所述第一标记和所述第二标记确定所述晕环到所述晶圆边缘的距离；根据所述距离与所述光阻剂喷涂量之间的对应关系，确定所述光阻剂的喷涂量。通过利用聚酰胺(polymide)光阻的特性实现利用晶圆监测(wafermonitor)机台光阻喷涂量的方法。本发明所述操作简单，节约机台的时间，提高了机台的效率；有效地解决了喷涂量监测(volumemonitor)的时效性，有效地降低晶圆报废的风险。实施例一下面，参照图1以及图2来描述本发明实施例提出的光阻剂喷涂量的监测方法一个示例性方法的详细步骤。其中，图1是根据本发明的一个实施例的光阻剂喷涂量的监测方法的流程图，具体地包括：步骤S1：提供晶圆；步骤S2：在所述晶圆表面的中心的两侧形成沿第一方向间隔设置的若干第一标记，在所述晶圆表面的中心的两侧形成沿第二方向间隔设置的若干第二标记，所述第一方向与所述第二方向垂直，任一所述第一标记与所述中心之间的距离不等于任一所述第二标记与所述中心之间的距离；步骤S3：对所述晶圆喷涂光阻剂，以覆盖所述晶圆、所述第一标记以及所述第二标记；步骤S4：对所述光阻剂进行成像，并在成像图案中根据所述第一标记和所述第二标记确定所述光阻剂形成的晕环到所述晶圆边缘的距离；步骤S5：根据所述距离与所述光阻剂喷涂量之间的对应关系，确定所述光阻剂的喷涂量。下面结合附图对所述方法做进一步的说明。首先，执行步骤一，提供晶圆；在所述晶圆表面的中心的两侧形成沿第一方向间隔设置的若干第一标记201，在所述晶圆表面的中心的两侧形成沿第二方向间隔设置的若干第二标记202，所述第一方向与所述第二方向垂直，任一所述第一标记与所述中心之间的距离不等于任一所述第二标记与所述中心之间的距离。具体地，如图2所示，所述第一方向为X轴方向，所述第二方向为Y轴方向，两者相互垂直。其中，所述晶圆的直径为200mm，离所述中心最近的所述第一标记与所述中心之间的距离和离所述中心最近的所述第二标记与所述中心之间的距离相差5mm。在本发明中所述晕环到所述晶圆边缘的距离和所述光阻剂喷涂量之间的对应关系与晶圆的大小相关，晶圆大小的不同，所述距离和喷涂量之间的对应关系不同，在本发明中以晶圆直径为200mm为例进行说明。进一步，所有所述第一标记关于所述中心对称设置，所有所述第二标记关于所述中心对称设置。其中，所述中心是指所述晶圆的中心，当所述晶圆呈圆形时，所述中心即为所述晶圆的圆心，当所述晶圆为方形时，所述中心是所述方形的两个对称轴的交点。可选地，相邻的所述第一标记之间的距离相等，相邻的所述第二标记之间的距离相等。可选地，相邻的所述第一标记之间的距离不大于10mm，相邻的所述第二标记之间的距离不大于10mm。例如，相邻的所述第一标记之间的距离为10mm，相邻的所述第二标记之间的距离为10mm。在本发明的一个实施例中，所述第一标记201设置于所述X轴方向上，沿所述第一方向在距离所述晶圆中心距离分别为95mm、85mm、75mm、65mm、55mm、45mm、35mm、25mm和15mm位置处设置所述第一标记。例如分别在晶圆的X方向的(-95,0)(-85,0)一直到(85,0)(95,0)的位置每隔10mm曝光一个第一标记201，以确定坐标，作为后续步骤中读取晕环位置的坐标。所述第二标记202设置于所述Y轴方向上，沿所述第二方向在距离所述晶圆中心距离分别为90mm、80mm、70mm、60mm、50mm、40mm、30mm、20mm和10mm位置处设置所述第二标记。例如在Y方向(0,90)(0,80)一直到(0,-80)(0,-90)的位置同样地每隔10mm曝光一个第二标记，以确定坐标，作为后续步骤中读取晕环位置的坐标。其中，所述该坐标的坐标系原点为晶圆表面的中心，在该实施例中所述晶圆呈圆形，所述坐标系原点即为所述晶圆的圆心。其中，所述第一标记与对应的所述第二标记到圆心的距离不同，例如距离圆心最近的所述第一标记与距离圆心最近的的所述第二标记到圆心的距离相差5mm。通过X/Y方向的交叉读数这样我们就可以将最后的读数精确到5mm的范围内。具体地，比较距离所述晕环最近的所述第一标记与所述晕环之间的距离和距离所述晕环最近的所述第二标记与所述晕环之间的距离，将距离所述晕环较近的标记作为参照来确定所述晕环到所述晶圆边缘的距离。例如，当第一标记距离所述晕环的距离更小，那么就以第一标记为参照确定所述晕环到所述晶圆边缘的距离；当第二标记距离所述晕环的距离更小，那么就以第二标记为参照确定所述晕环到所述晶圆边缘的距离；由于所述第一标记和第二标记之间的交错的距离为5mm，那么误差就会控制在5mm之内。其中，所述第一标记的制备方法包括：在所述晶圆上形成标记材料层，以覆盖所述晶圆；对所述标记材料层进行蚀刻，以得到方形的所述第一标记。其中，所述标记材料层包括氧化物，其中，所述氧化物的形成方法可以选用本领域常用的方法，并不局限于某一种。可选地，所述第二标记的制备方法包括：在所述晶圆上形成标记材料层，以覆盖所述晶圆；对所述标记材料层进行蚀刻，以得到方形的所述第二标记。作为优选，所述第一标记和所述第二标记同时形成，以进一步简化工艺步骤。执行步骤二，对所述晶圆喷涂光阻剂，以覆盖所述晶圆。可选地，所述光阻剂可以选用聚酰胺等光阻剂，并不局限于所述示例。其中，所述光阻剂的喷涂方法可以选用本领域常用的喷射、涂覆等方法。执行步骤三，对所述光阻剂进行成像并在成像图案中查找光阻剂特有的晕环的位置。在该步骤中可以选用机台中的拍照功能对涂覆光阻剂厚度晶圆进行拍照，以得到光阻剂表面的成像图案。其中，由于光阻剂例如聚酰胺(polymide)是一种特厚特粘稠的光阻，喷出来的光阻在晶圆上会很难分散得开来，通过正常机台的观察，对于正常的厚度的监测的晶圆表面很难看的出来有什么特殊的区别。但是光刻机(photo)有一种机台可以对晶圆表面进行拍照。通过表面的照片我们发现，不同的喷涂量晶圆表面的形状是有差异的。通过大量的实验以及总结对比可以很明显地看出，不同的喷涂量拍出来的照片的表面形貌是有差异的，光阻的喷涂量越多，光阻剂表面的晕环越靠外。通过对比可以发现，7ml的最内环距离晶圆边缘大概有25mm；6ml的最内环距离晶圆边缘大概有31mm；5ml的最内环距离晶圆边缘大概有38mm；4ml的最内环距离晶圆边缘大概有49mm；3ml的最内环距离晶圆边缘大概有56mm。通过上述实验可以发现所述晕环到所述晶圆边缘的距离与所述光阻剂喷涂量之间具有对应关系，在确定所述晕环到所述晶圆边缘的距离之后，根据两者之间的对应关系即可确定所述光阻剂的喷涂量。执行步骤四，根据所述第一标记和所述第二标记确定所述晕环到所述晶圆边缘的距离。在该步骤中所述晕环可以包括内外相互嵌套的多个晕环形成的阵列，因此所述距离为晕环的最内环到所述晶圆边缘的距离。在确定所述晕环的最内环之后，观察所述最内环距离所述第一标记和所述第二标记的位置，比较距离所述晕环最近的所述第一标记与所述晕环之间的距离和距离所述晕环最近的所述第二标记与所述晕环之间的距离，将距离所述晕环较近的标记作为参照来确定所述晕环到所述晶圆边缘的距离。其中，所述晕环到所述晶圆边缘的距离是指所述晕环到所述晶圆边缘的距离的垂直距离，即沿所述晶圆的直径方向到所述晶圆边缘的距离。执行步骤五，根据所述距离与所述光阻剂喷涂量之间的对应关系，确定所述光阻剂的喷涂量。本发明通过实验可以发现所述晕环到所述晶圆边缘的距离与所述光阻剂喷涂量之间具有相对应关系，在确定所述晕环到所述晶圆边缘的距离之后，根据两者之间的对应关系即可确定所述光阻剂的喷涂量。所述晕环到所述晶圆边缘的距离与所述光阻剂喷涂量之间的对应关系如下表所示：编号读数喷涂量1<25mm﹥7ml225mm-30mm6ml-7ml330mm-40mm5ml-6ml440mm-50mm4ml-5ml550mm-55mm3ml-4ml6﹥55mm<3ml上表是根据实际的情况得出的读数与喷涂量的对照表，将以上的设计应用于正常的监测当中，得出最后的读数，再利用上表的对应关系。就可以监测出机台当下的光阻的喷涂量多少。节约了时间，提高了机台的效率。需要说明的是上述表格中所述晕环到所述晶圆边缘的距离与所述光阻剂喷涂量之间的对应关系是针对直径为200mm的晶圆，该对应关系与晶圆的大小相关，晶圆大小的不同，所述距离和喷涂量之间的对应关系不同，但是使用本发明所述方法均可以实现所述目的，例如当所述晶圆大小为直径150mm时，只需要重新建立所述距离和喷涂量之间的对应关系即可，然后根据所述对应关系监测出机台当下的光阻的喷涂量多少。本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种光阻剂喷涂量的监测方法，在所述方法中首先在晶圆的表面形成若干第一标记和第二标记，所述第一标记和第二标记的延伸方向相互垂直，用于确定晕环至晶圆边缘的距离，然后在晶圆上形成光阻剂并对所述光阻剂进行成像，在成像图案中查找光阻剂特有的晕环的位置，根据所述第一标记和所述第二标记确定所述晕环到所述晶圆边缘的距离；根据所述距离与所述光阻剂喷涂量之间的对应关系，确定所述光阻剂的喷涂量。通过利用聚酰胺(polymide)光阻的特性实现利用晶圆监测(wafermonitor)机台光阻喷涂量的方法。本发明所述操作简单，节约机台的时间，提高了机台的效率；有效地解决了喷涂量监测(volumemonitor)的时效性，有效地降低晶圆报废的风险。本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。当前第1页1 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