本发明涉及屏幕显示技术领域，尤其涉及一种IGZO薄膜晶体管制备方法。
背景技术：
随着显示技术的发展，液晶显示屏逐渐往大尺寸高分辨率的方向发展。这就代表对像素的充电时间也越来越短。而对于像素充电起至关重要的作用是TFT。而TFT的特性又由有源层很大程度决定。而传统的器件均有AS（a-Si，非晶硅）作为有源层。AS器件由于发展已久，器件特性稳定，但是AS迁移率低下，在高分辨率及高刷新频率下，就逐渐失去了原有的优势。另一种氧化物半导体材料IGZO（Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物）为人们所推崇。IGZO有着比AS更大的迁移率，从而可以有更快的充电速率，而且可以将TFT做得更小，进一步提升像素开口率，降低背光消耗，另一方面，IGZO器件本身漏电流小，对于液晶面板本身的功耗也是一个益处。
IGZO发展之初是参考AS 5mask（光罩）制程制作TFT器件。但是，高品质、低成本一直是显示行业的发展趋势，有必要进一步精简IGZO制程工艺，提升制程时间。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种能精简IGZO制程工艺，提升制程时间的IGZO薄膜晶体管制备方法。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种IGZO薄膜晶体管制备方法，包括：
步骤S1，通过第一道光罩使第一金属层形成栅极，并在所述栅极上依次形成栅极绝缘层、IGZO半导体层和第二金属层；
步骤S2，在所述第二金属层上涂布光阻层，通过第二道光罩对所述光阻层进行曝光显影，再采用双氧水蚀刻液同时蚀刻所述第二金属层和IGZO半导体层，所述第二金属层被蚀刻形成源极和漏极；
步骤S3，在所述源极、漏极上形成钝化层，并通过第三道光罩在所述漏极上方形成接触孔；
步骤S4，通过第四道光罩在所述钝化层上形成像素电极，并将像素电极通过接触孔与漏极连接。
其中，所述步骤S2中，所述第二金属层的蚀刻速率与所述IGZO半导体层的蚀刻速率选择比大于20。
其中，所述步骤S2具体包括：
在所述第二金属层上涂布光阻层；
通过第二道光罩对所述光阻层进行曝光显影，投影于所述栅极的光阻被部分去除，形成第一沟道区；
采用双氧水蚀刻液同时蚀刻位于所述栅极两侧的第二金属层和IGZO半导体层；
将第一沟道区的光阻全部去除，形成第二沟道区；
对位于第二沟道区的第二金属层进行蚀刻，分别形成漏极和源极。
其中，所述第二道光罩为半色调光罩。
其中，所述第一沟道区的光阻具体是用氧等离子灰化全部去除。
其中，所述对位于第二沟道区的第二金属层进行蚀刻时，蚀刻至不覆盖其下方的IGZO半导体层时止。
其中，所述步骤S3中，所述钝化层具体是在所述漏极、源极以及未被所述漏极和源极覆盖的IGZO半导体层上沉积形成。
其中，所述步骤S4具体包括：
在所述钝化层上沉积像素电极层；
通过第四道光罩对所述像素电极层进行曝光显影，形成像素电极；
将所述像素电极通过所述接触孔与所述漏极连接。
其中，所述像素电极层具体为氧化铟锡ITO层。
其中，所述IGZO半导体层采用物理气相沉积方式形成。
本发明实施例的有益效果在于：本发明采用双氧水蚀刻液，既可以蚀刻第二金属层，又可以蚀刻IGZO半导体层，第二金属层的蚀刻速率与IGZO半导体层的蚀刻速率选择比大于20，使得第二金属层和IGZO半导体层可以同时进行湿法蚀刻制程，相对于现有技术需要分别进行湿法蚀刻而言，本发明可以缩短制程时间，提高生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一种IGZO薄膜晶体管制备方法的流程示意图。
图2是本发明实施例中在栅极上依次形成栅极绝缘层、IGZO半导体层和第二金属层的示意图。
图3是本发明实施例中在第二金属层上涂布光阻层的示意图。
图4是本发明实施例中通过第二道光罩对图3中的光阻层进行曝光显影的示意图。
图5是本发明实施例中同时对第二金属层和IGZO半导体层进行蚀刻的示意图。
图6是本发明实施例中去除光阻层的示意图。
图7是本发明实施例中对沟道区烦人第二金属层进行蚀刻的示意图。
图8是本发明实施例中在源极、漏极上形成钝化层的示意图。
图9是本发明实施例中在漏极上方形成接触孔的示意图。
图10是本发明实施例中沉积像素电极层的示意图。
图11是本发明实施例中像素电极通过接触孔与漏极连接的示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附图，用以示例本发明可以用以实施的特定实施例。
请参照图1所示，本发明实施例提供一种IGZO薄膜晶体管制备方法，包括：
通过第一道光罩使第一金属层形成栅极，并在所述栅极上依次形成栅极绝缘层、IGZO半导体层和第二金属层；
在所述第二金属层上涂布光阻层，通过第二道光罩对所述光阻层进行曝光显影，再采用双氧水蚀刻液同时蚀刻所述第二金属层和IGZO半导体层，所述第二金属层被蚀刻形成源极和漏极；
在所述源极、漏极上形成钝化层，并通过第三道光罩在所述漏极上方形成接触孔；
在所述钝化层上形成像素电极层，通过第四道光罩对像素电极层进行曝光显影，形成像素电极，并将像素电极通过接触孔与漏极连接。
具体地，请结合图2至图11所示，分别为本实施例IGZO薄膜晶体管制备方法的各步骤示意图。首先，在基板（未图示）上形成第一金属层（未图示），如图2所示，通过第一道光罩使第一金属层形成栅极1，然后在栅极1上依次沉积形成栅极绝缘层2、IGZO半导体层3和第二金属层4。栅极绝缘层2可以是氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层中的任一种，IGZO半导体层3可以采用物理气相沉积方式形成。
请参照图3所示，在第二金属层4上涂布光阻层5，然后如图4所示，通过第二道光罩对光阻层5进行曝光显影，投影于栅极1的光阻被部分去除，形成第一沟道区51。其中，第二道光罩具体为半色调光罩（Half Tone Mask，HTM）。
再请参照图5所示，采用双氧水（H2O2）蚀刻液同时蚀刻位于栅极1两侧的第二金属层4和IGZO半导体层3，其中第二金属层4的蚀刻速率与IGZO半导体层3的蚀刻速率选择比大于20。再如图6所示，将第一沟道区51的光阻全部去除，形成第二沟道区52，具体地，第一沟道区51的光阻是采用干刻工艺中的用氧等离子灰化全部去除。
然后如图7所示，对去除光阻后位于第二沟道区52的第二金属层4进行蚀刻，分别形成漏极6和源极7。需要说明的是，对位于第二沟道区的第二金属层进行蚀刻时，通过监控蚀刻时间，蚀刻至不覆盖其下方的IGZO半导体层3时止，避免此时对IGZO半导体层3进行蚀刻。
再请参照图8所示，在漏极6和源极7以及未被漏极6和源极7覆盖的IGZO半导体层3上沉积钝化层（Passivation Layer）8，并且如图9所示，通过第三道光罩在漏极6的上方形成接触孔（via hole）80。钝化层8可以是氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层中的任一种。继续参照图10、图11所示，在钝化层8上沉积像素电极层9，优选为氧化铟锡ITO层，通过第四道光罩对像素电极层9进行曝光显影，形成像素电极90，并将像素电极90通过接触孔80与漏极6连接。
通过上述说明可知，本发明实施例的有益效果在于：本发明采用双氧水蚀刻液，既可以蚀刻第二金属层，又可以蚀刻IGZO半导体层，第二金属层的蚀刻速率与IGZO半导体层的蚀刻速率选择比大于20，使得第二金属层和IGZO半导体层可以同时进行湿法蚀刻制程，相对于现有技术需要分别进行湿法蚀刻而言，本发明可以缩短制程时间，提高生产效率。
以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。