技术总结
本发明提供一种III‑V族氮化物生长用复合衬底、器件结构及制备方法，所述III‑V族氮化物生长用复合衬底的制备方法包括以下步骤：1）提供生长衬底；2）在所述生长衬底表面形成氮化物缓冲层；3）在所述氮化物缓冲层表面形成半导体介质层；4）在所述半导体介质层内形成通孔，以将所述半导体介质层分为若干个生长区域。本发明通过在半导体介质层内设置通孔，将所述半导体介质层分为若干个生长区域，在所述III‑V族氮化物生长用复合衬底表面进行外延生长时，由于外延生长具有选择性，可以形成多个与生长区域对应的独立的生长窗口，进而可以减少外延层的应力，提高外延晶体的质量，避免在其上形成芯片结构后划片、裂片工艺对各生长窗口内的外延层的损伤。
技术研发人员：郝茂盛;袁根如;张楠
受保护的技术使用者：上海芯元基半导体科技有限公司
文档号码：201611141047
技术研发日：2016.12.12
技术公布日：2017.05.10