提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法及结构与流程

技术特征：

1.一种提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法，其特征在于，包括：

采用一具有原子台阶的衬底，所述衬底上相邻原子台阶形成的斜切角大于0.2°；

在所述原子台阶面上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成高温n型GaN层；

在所述高温n型GaN层上形成InGaN量子阱。

2.根据权利要求1所述的提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法，其特征在于，每相邻两个原子台阶形成的斜切角相等；和/或所述衬底上相邻原子台阶形成的斜切角为0.2°～15°。

3.根据权利要求1所述的提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法，其特征在于，所述缓冲层为低温不掺杂GaN层，所述低温不掺杂GaN层的厚度为10nm～30nm。

4.根据权利要求1所述的提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法，其特征在于，所述高温n型GaN层的厚度小于5000nm。

5.根据权利要求1所述的提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法，其特征在于，所述高温n型GaN层的电子浓度在10¹⁷cm^-3到10¹⁹cm^-3之间。

6.根据权利要求1所述的提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法，其特征在于，所述InGaN量子阱为不掺杂的In_xGa_1-xN量子阱。

7.根据权利要求7所述的提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法，其特征在于，所述In_xGa_1-xN量子阱的厚度为1nm～5nm，且所述In_xGa_1-xN量子阱的In组分随InGaN量子阱发光波长的增加而增大。

8.根据权利要求1至7任一项所述的提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法，其特征在于，每一级原子台阶上形成的InGaN量子阱呈原子台阶流形貌。

9.根据权利要求1至7任一项所述的提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法，其特征在于，所述InGaN量子阱的高度与相邻高一级原子台阶的高度相等。

10.一种利用权利要求1至9任一项所述的方法来提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的结构，其特征在于，包括：

衬底，具有原子台阶，且相邻原子台阶形成的斜切角大于0.2°；

缓冲层，形成在所述原子台阶面上；

高温n型GaN层，形成在所述缓冲层上；

InGaN量子阱，形成在所述高温n型GaN层上。