技术总结
本发明公开了一种提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法及结构。所述方法包括以下步骤：采用一具有原子台阶的衬底，所述衬底上相邻原子台阶形成的斜切角大于0.2°；在原子台阶面上形成缓冲层；在缓冲层上形成高温n型GaN层；在高温n型GaN层上形成InGaN量子阱。本发明的采用大斜切角衬底提高InGaN量子阱发光效率的方法采用斜切角大于0.2°的衬底生长绿光或更长波长InGaN量子阱有源区，可以实现绿光或更长波长InGaN量子阱的原子台阶流生长，改善其形貌，并提高InGaN量子阱的内量子效率。此外，由上述方法制备得到的InGaN量子阱既可以广泛应用于GaN基绿光或更长波长LED、GaN基绿光或更长波长激光器中，也可以广泛应用于多量子阱太阳能电池中。
技术研发人员：田爱琴;刘建平;张书明;李德尧;张立群;杨辉
受保护的技术使用者：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
文档号码：201611153017
技术研发日：2016.12.14
技术公布日：2017.05.31