一种磷化铟背孔的制作方法与流程

本发明涉及的是一种磷化铟背孔的制作方法，属于半导体集成电路技术领域。

背景技术：

磷化铟（InP）器件具有超高速、低功耗等优越特性，在制造高速毫米波单片集成电路（MMIC）和亚毫米波单片集成电路（SMMIC）方面具有很大潜力，它们是宽带无线通讯系统和太赫兹成像系统的关键组件，因而引起人们的广泛关注。背孔是MMIC制造的关键工艺，通过将圆片衬底减薄，打通衬底形成接地通孔，可以有效降低寄生电感和接地电阻，并且能更好地散热。引入背孔后，人们制造出了高性能的GaAs电路，形成了比较成熟的背面工艺和生产线，保证了很高的成品率。在此基础上，我们也期望InP的背面工艺可以与GaAs兼容。

InP背孔深度达100um，为了保证背孔形貌，只能采用感应耦合等离子体（ICP）进行各向异性的干法刻蚀。与GaAs不同的是，InP的刻蚀生成物沸点很高，不易挥发。常规的ICP进行InP深孔刻蚀，生成物容易沉积，阻挡刻蚀，导致速率很慢甚至无法刻蚀。为了使生成物解附，一方面刻蚀时圆片温度需要达到250度左右；另一方面，刻蚀气体需要包含能产生化学反应与物理轰击共同作用的组分。

高温刻蚀对一系列相关背面工艺，例如键合分离机制、刻蚀掩模的选择等，都有一定的要求，对背孔形貌的控制、刻蚀均匀性和重复性也提出了挑战，使得InP背孔的制作成为难题。

技术实现要素：

本发明提出的是一种磷化铟背孔的制作方法，其目的旨在解决InP深孔刻蚀难题，提供完整的与GaAs工艺兼容的InP背孔制作工艺流程。具有

效果好、工艺流程简单等特点。

本发明的技术解决方案：磷化铟背孔的制作方法，包括以下步骤：

（1）在磷化铟圆片正面需要开背孔的位置，制作金属阻挡层，并完成正面工艺；

（2）将圆片正面与临时载片蓝宝石键合，并对圆片背面进行减薄、抛光；

（3）在圆片背面光刻制作背孔图形，并且保证背孔位置与正面金属阻挡层一致，形成刻蚀掩模；

（4）将STS腔体温度升至190℃，利用Cl2+Ar 进行ICP干法刻蚀，直到刻到正面金属阻挡层；

（5）去除刻蚀掩模；

（6）背面溅射种子层，电镀背金填充背孔，完成背孔制作；

磷化铟背孔深度约100um，因此需要进行粘片、减薄、抛光等一系列背面工艺将衬底减薄至100um。整个流程的关键在于对键合后的磷化铟圆片进行高温刻蚀。因为磷化铟圆片温度与设备背氦和刻蚀过程产生的能量有关，磷化铟圆片有可能局部过热，导致刻蚀不均匀。为了保证全片背孔的一致性，需要在磷化铟圆片正面做一层金属阻挡层，防止过刻。高温刻蚀要求掩模耐高温、耐刻蚀，金属Ni满足要求。考虑到刻蚀选择比、磷化铟生成物不易挥发，刻蚀气体选择Cl₂+Ar。氩离子的轰击能有效阻挡InClx生成物的堆积，保证刻蚀速率。完成后的背孔顶宽底窄，可利用传统的溅射种子层+电镀的方法在背孔侧壁、底部和表面镀上一层Au，实现正面金属与背金互连的目的。

本发明的优点：

1）解决了磷化铟深孔刻蚀的难题，提出了一种利用Cl2+Ar高温下进行ICP刻蚀的方案，并提供了一整套背孔制作的工艺流程；

2）整套工艺流程与GaAs工艺兼容；

3）工艺简单可控；

4）背孔形貌、一致性和重复性都很好，可用于批量生产。

附图说明

图1是在磷化铟圆片正面做了金属阻挡层，并与临时载片蓝宝石用高温蜡粘片，然后完成减薄、抛光的圆片剖面图。

图2是完成背孔光刻后的圆片剖面图。

图3是完成背孔刻蚀后的圆片剖面图。

图4是去除Ni掩模后的圆片剖面图。

图5是完成背金电镀后的圆片剖面图。

具体实施方式

结合附图进一步描述本发明的技术方案；

制作磷化铟背孔的方法，具体方法如下：

（1）在磷化铟圆片正面做一层金属阻挡层，将圆片正面与临时载片蓝宝石键合，对键合后的InP背面进行减薄、抛光，完成后圆片的剖面图如图1所示；

（2）在磷化铟圆片背面光刻制作背孔图形，图形与正面金属阻挡层对齐，形成背孔刻蚀掩模，背孔掩模完成后的圆片剖面图如图2所示；

（3）磷化铟圆片加热的同时，利用感应耦合等离子体（ICP）对磷化铟进行干法刻蚀，刻蚀停止在正面金属阻挡层，形成贯通衬底的背面通孔。刻蚀气体为氯气（Cl₂）和氩气（Ar）的组合气体。完成刻蚀后的背孔剖面图如图3所示；

（4）利用盐酸去除Ni胶掩模，背孔底部的金属不受影响。掩模去除后的背孔剖面图如图4所示；

（5）在磷化铟圆片背面全片溅射种子层，电镀背金，使背孔的底部、侧壁、表面全部镀上Au，使正面金属与背金互连。完成背金电镀后的背孔剖面图如图5所示。

实施例

制作磷化铟背孔的方法，包括如下步骤：

（1）在磷化铟圆片正面做一层300nm的TiPtAu金属阻挡层，完成正面工艺后将磷化铟圆片正面与蓝宝石用高温蜡粘片，然后用磨片机将磷化铟衬底厚度减薄至100um；

（2）使用光刻胶光刻背孔图形，然后蒸发Ni金属作为刻蚀掩模；

（3）利用STS ICP干法刻蚀机的背氦将圆片升温至190度，使用氯气（Cl₂）和氩气（Ar）的组合气体对磷化铟进行刻蚀，刻蚀速率约1um/min；

（4）利用稀盐酸去掉Ni刻蚀掩模；

（5）在磷化铟圆片背面溅射种子层Ti/Au/Ti，再电镀5um左右的Au，使背孔底部、侧壁以及磷化铟圆片背面覆盖5um左右的金属，实现正面金属通过背孔与背金互连。