发光装置及其制作方法

发光装置及其制作方法
【专利摘要】本发明公开一种发光装置及其制作方法。发光装置包括一外延结构、一反射层、一第一保护层以及一阻障层。反射层设置于外延结构上。第一保护层设置于反射层及外延结构上，并至少覆盖于反射层的一侧壁。阻障层设置于第一保护层及外延结构上，并完全覆盖第一保护层，阻障层之上具有一第一电极。本发明也公开一种发光装置的制造方法。
【专利说明】发光装置及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种发光装置及其制作方法，特别是涉及一种发光二极管发光装置及其制作方法。
【背景技术】
[0002]发光二极管是一种由半导体材料制作而成的发光元件，具有耗电量低、元件寿命长、反应速度快等优点，再加上体积小容易制成极小或阵列式元件的特性，因此近年来随着技术不断地进步，其应用范围也由指示灯、背光源甚至扩大到了照明领域。
[0003]请参照图1所示，其为现有一种发光装置I的剖视示意图。于此，发光装置I为一倒装(Flip-chip)结构发光二极管，且图1以向下发光为例。
[0004]发光装置I包括一外延基板11、一外延结构12、一反射层13、一保护层14、一阻障层15以及一绝缘层16。另外，发光装置I还可包括一第一电极Pl及一第二电极P2。
[0005]外延结构12设置于外延基板11上，而反射层13设置于外延结构12上。外延结构12具有一 n-GaN层121、一多重量子阱层122及一 ρ-GaN层123。反射层13通常为一高反射率的金属材料，以反射发光装置I所发出的光线，以提高发光装置I的出光效率。另夕卜，保护层14设置于反射层13的一顶面132上，而阻障层15设置于保护层14之上，并覆盖保护层14及反射层13。其中，保护层14可保护反射层13，避免后续制作工艺损伤到反射层13而导致反射率下降。另外，阻障层15可保护反射层13，避免反射层13因后续制作工艺或元件操作时产生的扩散或劣化等问题。此外，绝缘层16设置于阻障层15上，而第一电极Pl及第二电极P2分别设置于阻障层15及n-GaN层121上，并分别露出于绝缘层16。其中，第一电极Pl通过阻障层15、保护层14及反射层13与外延结构12的ρ-GaN层123电连接，而第二电极P2与外延结构12的n-GaN层121电连接。通过供电给第一电极Pl及第二电极P2，并通过反射层13的光线反射，可使发光装置I发出向下的光线。
[0006]然而，现有的发光装置I的结构中，虽然有保护层14可保护反射层13的顶面132，但却无法保护反射层13的一侧壁131，使得后续制作工艺中的化学药品或高温仍然会造成反射层13的侧壁131产生损伤或裂缝，导致反射率下降而使得发光装置I的良率不佳等问题。另外，于反射层13的制作工艺中，反射层13的侧壁131上也常会出现金属丝的问题，导致后续制作工艺的阻障层15及绝缘层16的覆盖不佳而造成发光装置I的良率降低。
[0007]因此，如何提供一种发光装置及其制作方法，可改善反射层侧壁外露的问题，使反射层不因后续制作工艺的化学药品或高温而造成反射率降低，导致发光装置的良率降低，是业者一直努力的目标。

【发明内容】

[0008]有鉴于上述课题，本发明的目的在于提供一种发光装置及其制作方法，可改善反射层侧壁外露的问题，使反射层不因后续制作工艺的化学药品或高温而造成反射率降低，导致发光装置的良率降低。[0009]为达上述的目的，本发明提供一种一种发光装置包括一外延结构、一反射层、一第一保护层以及一阻障层。反射层设置于外延结构上。第一保护层设置于反射层及外延结构上，并至少覆盖于反射层的一侧壁。阻障层设置于第一保护层及外延结构上，并完全覆盖第一保护层，阻障层之上具有一第一电极。
[0010]在本发明的一较佳实施例中，发光装置更包括一外延基板，外延结构、反射层、第一保护层及阻障层设置于外延基板之上。
[0011]在本发明的一较佳实施例中，外延结构具有一第一半导体层、一有源层及一第二半导体层，有源层夹置于第一半导体层及第二半导体层之间。
[0012]在本发明的一较佳实施例中，发光装置还包括一第二保护层，其设置于反射层的一顶面，并夹置于第一保护层与反射层之间。
[0013]在本发明的一较佳实施例中，发光装置还包括一绝缘层，其设置于阻障层及外延结构上。
[0014]在本发明的一较佳实施例中，发光装置还包括一第二电极，其设置于外延结构的一第一半导体层上，第一电极与第二电极位于外延基板的同一侧。
[0015]在本发明的一较佳实施例中，发光装置还包括一接合层，其设置于阻障层上。
[0016]在本发明的一较佳实施例中，发光装置还包括一导热基板，其设置于接合层上，导热基板为第一电极。
[0017]在本发明的一较佳实施例中，发光装置还包括一电极层，其设置于外延结构远离反射层的一表面上。
[0018]在本发明的一较佳实施例中，反射层的材质包含银、铝、金、钛、铬、镍、铟锡氧化物，或其组合。
[0019]在本发明的一较佳实施例中，第一保护层的材质包含镍、钛、钨，或其组合。
[0020]在本发明的一较佳实施例中，导热基板的材质包含硅、铜、铝、铜锰合金，或其组
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[0021]为达上述的目的，本发明提供一种发光装置制造方法包括形成一外延结构于一外延基板上；形成一反射层于外延结构上；形成一第一保护层于反射层及外延结构上，其中第一保护层至少覆盖于反射层的一侧壁；以及形成一阻障层于第一保护层及外延结构上，其中阻障层完全覆盖第一保护层。
[0022]在本发明的一较佳实施例中，制作方法还包括形成一第二保护层于反射层的一顶面，并夹置于第一保护层与反射层之间。
[0023]在本发明的一较佳实施例中，制作方法还包括形成一绝缘层于阻障层及外延结构上。
[0024]在本发明的一较佳实施例中，制作方法还包括形成一第一电极于阻障层之上；以及形成一第二电极于外延结构的一第一半导体层上，其中第一电极与第二电极位于外延基板的同一侧。
[0025]在本发明的一较佳实施例中，制作方法还包括形成一第一接合层于阻障层上；形成一第二接合层于一导热基板上；及通过第一接合层及第二接合层接合导热基板于阻障层之上。
[0026]在本发明的一较佳实施例中，制作方法还包括移除外延基板。[0027]在本发明的一较佳实施例中，制作方法还包括形成一电极层于外延结构远离反射层的一表面上。
[0028]在本发明的一较佳实施例中，反射层经过蒸镀或溅镀沉积以及合金制作工艺，以形成于外延结构上。
[0029]在本发明的一较佳实施例中，第一保护层经过蒸镀或溅镀沉积，并通过蚀刻或浮离制作工艺形成于反射层及外延结构上。
[0030]在本发明的一较佳实施例中，阻障层经过蒸镀或溅镀沉积，并通过浮离制作工艺形成于第一保护层及外延结构上。承上所述，因依据本发明的发光装置及制作方法中，反射层设置于外延结构上，第一保护层设置于反射层及外延结构上，并至少覆盖于反射层的一侧壁，而阻障层设置于第一保护层及外延结构上，并完全覆盖第一保护层，且阻障层之上具有一第一电极。由此，与现有相较，本发明的第一保护层至少覆盖于反射层的一侧壁，除了可避免发光装置因后续制作工艺所使用的化学药品或高温制作工艺损伤到反射层的侧壁而造成反射率降低，导致发光装置的良率降低之外，还可改善反射层出现金属丝而导致后续制作工艺的阻障层及绝缘层的覆盖不佳等问题。
【专利附图】

【附图说明】
[0031]图1为现有一种发光装置的剖视示意图；
[0032]图2A为本发明较佳实施例的一种发光装置的剖视示意图；
[0033]图2B为本发明另一实施态样的发光装置的剖视示意图；
[0034]图2C为本发明另一较佳实施例的一种发光装置的剖视示意图；
[0035]图3A为本发明较佳实施例的一种发光装置制造方法的流程图；
[0036]图3B为本发明较佳实施例的一种发光装置制造方法的另一流程图；
[0037]图3C为本发明另一较佳实施例的一种发光装置制造方法的流程图；
[0038]图4A至图4F分别为本发明较佳实施例的一种发光装置的制作过程示意图；以及
[0039]图5A至图5C分别为本发明另一较佳实施例的一种发光装置的制作过程示意图。
[0040]主要元件符号说明
[0041]l、2、2a、2b:发光装置11、21:外延基板
[0042]12、22:外延结构121:n_GaN 层
[0043]122:多重量子阱层123:p_GaN层
[0044]13、23:反射层131、231:侧壁
[0045]132,232:顶面14:保护层
[0046]15、26:阻障层16、27:绝缘层
[0047]221:第一半导体层222:有源层
[0048]223:第二半导体层24:第一保护层
[0049]25:第二保护层28:接合层
[0050]281:第一接合层282:第二接合层
[0051]29:导热基板P:电极层
[0052]Pl:第一电极P2:第二电极
[0053]POl ~P09、SOl ~S07:步骤【具体实施方式】
[0054]以下将参照相关附图，说明依本发明较佳实施例的一种发光装置及其制作方法，其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明。
[0055]请分别参照图2A所示，其为本发明较佳实施例的一种发光装置2的剖视示意图。本实施例的发光装置2为一倒装结构发光二极管，并为向下发光为例。
[0056]发光装置2包括一外延基板21、一外延结构22、一反射层23、一第一保护层24以及一阻障层26。另外，发光装置2还可包括一第二保护层25、一绝缘层27、一第一电极Pl及一第二电极P2。在此，外延结构22、反射层23、第一保护层24、第二保护层25、阻障层26及绝缘层27分别设置于外延基板21之上。
[0057]外延基板21可为透光或不透光。在本实施例中，外延基板21以一可透光的蓝宝石基板(Sapphire)为例。当然，外延基板21还可以是碳化硅、氧化铝、氮化镓、玻璃、石英、磷化镓或砷化镓基板等等，当外延基板21为不透光基板时，须于完成所有发光二极管管芯制作工艺后再去除外延基板21，以避免遮光现象的发生。另外，外延结构22以材料能隙来看，常用的III族-V族元素组成大至可分成四类，分别为:GaP/GaAsP系列、AlGaAs系列、AlGaInP系列、以及GaN系列。在此，外延结构22以具有一第一半导体层221、一有源层222及一第二半导体层223为例。其中，靠近外延基板21至远离外延基板21依序为第一半导体层221、有源层222及第二半导体层223。第一半导体层221与第二半导体层223具有不同电性，当第一半导体层221为P型时，第二电性半导体层223为N型；而当第一半导体221层为N型时，第二半导体层223则为P型。在此，第一半导体层221为N型氮化镓(GaN)，有源层222为多重量子阱(Multiple quantumiell，MQW)结构，而第二半导体层223以P型氮化镓为例。本实施例的第一半导体层221为部分露出，以做为后续设置电极之用。
[0058]反射层23设置于外延结构22上。本实施例的反射层23可为单层高反射率的金属层或为多层高反射率的金属层，而其材质可例如包含银、铝、金、钛、铬、镍、铟锡氧化物，或其组合，并例如可为单层的银、双层的镍/银，或铟锡氧化物/银，以提高光线的反射率及改善反射层23与第二半导体层223之间的欧姆接触特性。
[0059]第一保护层24设置于反射层23及外延结构22上，并至少覆盖于反射层23的一侧壁231。在本实施例中，于反射层23的一顶面232上设置第二保护层25，之后再于第二保护层25、反射层23及外延结构22上设置第一保护层24。在本实施例中，第一保护层24完全覆盖反射层23的侧壁231及部分未被第二保护层25覆盖的顶面232，且接触于外延结构22的第二半导体层223。其中，第一保护层24与第二保护层25可分别为单层或多层金属层所构成，并可使用相同或不同材质，而其材质例如可包含镍、钛、钨，或其组合。其中，第一保护层24与第二保护层25例如可分别为单层的镍、钛、钨或钛钨，或双层的镍/钛等。
[0060]本实施例的第二保护层14可保护反射层23，避免后续制作工艺所使用的化学药品或高温损伤到反射层23的顶面232而导致反射率下降。另外，在本实施例中，为了使反射层23的侧壁231被保护，本发明设置第一保护层24完全覆盖反射层23的侧壁231及部分未被第二保护层25覆盖的顶面232，除了可避免后续制作工艺所使用的化学药品或高温制作工艺损伤到反射层23而造成反射率降低，导致发光装置2的良率降低之外，还可改善反射层23出现金属丝而导致后续制作工艺的阻障层26及绝缘层27的覆盖不佳等问题。[0061]阻障层26设置于第一保护层24及外延结构22上。在此，阻障层26完全覆盖第一保护层24，并接触外延结构22的第二半导体层223。阻障层26可保护反射层23，避免反射层23因后续制作工艺或元件操作时产生的扩散或劣化等问题。其中，阻障层26可经过蒸镀或溅镀沉积，并通过浮离(lift-off)制作工艺形成于第一保护层24及外延结构22上。阻障层26可为单层或多层的金属材料所构成，其材质可例如包含镍、钛、钨、金、钼，或其组合，并例如可为单层的镍、钛、金、钨、钼或钛钨，或双层的镍/钛、金/钨或钛钨/钼，或三层的镍/钛/钼，或四层的钛/镍/钛/钼等。
[0062]绝缘层27设置于阻障层26及外延结构22上。在此，绝缘层27覆盖阻障层26，并接触外延结构22。绝缘层27例如可为二氧化硅(Si02)、氮化硅(SiNx)、二氧化钛(TiO2)或SOG等单层或多层的高绝缘性材料所构成。
[0063]另外，第一电极Pl设置于阻障层26之上，而第二电极P2设置于外延结构22所暴露出的第一半导体层221上，以完成倒装结构发光二极管的发光装置2。具体而言，第一电极Pl与第二电极P2位于外延基板21的同一侧。在此，绝缘层27并不包覆第一电极Pl及第二电极P2。其中，绝缘层27沉积于阻障层26及外延结构22上之后，可以蚀刻(湿式或干式)或浮离制作工艺去除阻障层26及第一半导体层221上的部分绝缘层27，以定义第一电极Pl及第二电极P2的图案区域，接着再分别设置第一电极Pl及第二电极P2于阻障层26上及第一半导体层221未被绝缘层27覆盖的区域。其中，可以蒸镀或溅镀沉积，并通过浮离制作工艺形成第一电极Pl及第二电极P2。第一电极Pl及第二电极P2可为单层或多层的金属材料所构成，其材质可例如包含金、锡、铝、铬、钼、钛，或其组合，并例如可为单层的金、铝或金锡，或双层的钛/金或钛/铝，或三层的铬/钼/金等。通过供电给第一电极Pl及第二电极P2，并通过反射层23的光线反射，可使发光装置2发出向下的光线。
[0064]值得一提的是，可再使用激光聚焦于外延基板21与第一半导体层221的界面，使外延基板21与外延结构22剥离，使发光装置不具有外延基板21而成为另一实施态样的发光二极管发光装置。
[0065]请参照图2B所示，其为本发明另一实施态样的发光装置2a的剖视示意图。
[0066]发光装置2a与发光装置2主要的不同在于，发光装置2a并不具有第二保护层25，而是通过第一保护层24完全覆盖反射层23的侧壁231及顶面232，以保护反射层23，除了可改善反射层23出现金属丝而导致后续制作工艺的阻障层26及绝缘层27的覆盖不佳之夕卜，还可避免后续制作工艺所使用的化学药品或高温制作工艺损伤到反射层23而造成反射率降低，导致发光装置2a的良率降低。
[0067]此外，发光装置2a的其它技术特征可参照发光装置2的相同元件，在此不再赘述。
[0068]另外，请参照图2C所示，其为本发明另一较佳实施例的一种发光装置2b的剖视示意图。本实施例的发光装置2b为一金属基板键合结构(metal bonding或wafer bonding)发光二极管，并为向下发光为例。
[0069]发光装置2b的外延结构22、反射层23、第一保护层24、第二保护层25及阻障层26与发光装置2相同。
[0070]发光装置2b与发光装置2主要的不同在于，发光装置2b并不具有发光装置2的外延基板21、绝缘层27、第一电极Pl及第二电极P2,而是包括有一接合层28、一导热基板29及一电极层P。[0071]接合层28设置于阻障层26上，导热基板29设置于接合层28上，而电极层P设置于外延结构22远离反射层23的一表面224上。在此，电极层P设置于外延基板21的第一半导层221上，并可为一透明导电层。
[0072]接合层28用以接合阻障层26与导热基板29。其中，接合层28可使阻障层26与导热基板29接合并电连接。接合层28可为单层或多层的金属材料所构成，其材质可例如包含金、锡、招、铬、钼、钛，或其组合，并例如可为单层的金、招或金锡，或双层的钛/金或钛
/招，或二层的络/钼/金等。
[0073]导热基板29为具有高热导系数的基板，并可通过接合层28接合于阻障层26。导热基板29也为一导电基板，而其材质可例如包含硅、铜、铝、锰或其它金属材料，或其组合，并例如可为一硅基板(表面可具有导电层)、铜基板、铝基板、铜锰基板或其它高导热基板。通过导热基板29的设置，可将发光装置2b所产生的热量通过阻障层26、接合层28传导至高导热材料的导热基板29而发散出，以提高发光装置2b的产品可靠度。由于导热基板29也为一导电基板，故可将导热基板29当作一电极使用(也可称为第一电极)，并将电极层P当作另一电极使用(也可称为第二电极)，通过供电给导热基板29及电极层P，并通过反射层23的光线反射，使发光装置2b发出向下的光线。
[0074]另外，请参照图3A及图4A至图4F所示，其中，图3A为本发明较佳实施例的一种发光装置2的制作方法的流程图，而图4A至图4F分别为本发明较佳实施例的一种发光装置2的制作过程示意图。
[0075]本发明的发光装置2的制作方法可包括步骤SOl至步骤S04。
[0076]在步骤SOl中，如图4A所示，形成一外延结构22于一外延基板21上。在此，可通过蚀刻制作工艺使部分的外延结构21的第一半导体层221露出，以做为后续设置电极之用。而在其他实施例中，为了确定可以暴露出部分的第一半导体层221，也可以控制蚀刻制作工艺去除部分的第一半导体层221，以确保可以暴露出第一半导体层221。其中，形成外延结构22的主要外延方法有液相外延法(Liquid Phase Epitaxy, LPE)、气相外延法(Vapor Phase Epitaxy, VPE)及有机金属气相外延法(Metal-organic Chemical VaporDeposition, MOCVD),并不加以限制。
[0077]接着，在步骤S02中，如图4B所示，形成一反射层23于外延结构22上。其中，可经由电子枪(E-Gun)蒸镀或派镀(sputter)等沉积制作工艺将反射层23设置于外延结构22上,并于325?550°C的温度中进行合金(annealing)步骤,通过合金步骤以热量来减少外延结构22与反射层23间的接触电阻，并能提高反射层23对光线的反射率。在本实施例中，在进行步骤S03之前，制作方法还可包括:形成一第二保护层25于反射层23的一顶面232上。在此，第二保护层25形成于反射层23的部分顶面232，且靠近反射层23的一侧壁231的部分顶面232不具有第二保护层25。不过，也可将第二保护层25形成于反射层23的全部顶面232上。当然，在其它的实施态样中，发光装置也可不具有第二保护层25。其中，第二保护层25可与反射层23使用同一个沉积制作工艺，以将反射层23及第二保护层25依序沉积在外延结构22上，再通过光刻、蚀刻(湿式或干式)或浮离等制作工艺分别完成反射层23及第二保护层25的图案定义。
[0078]接着，进行步骤S03，如图4C所示，形成一第一保护层24于反射层23及外延结构22上，且第一保护层24至少覆盖于反射层23的一侧壁231。在此，第一保护层24形成于反射层23、第二保护层25及外延结构22上，以完全覆盖反射层23、第二保护层25，以保护反射层23的顶面232及侧壁231。在此，在第二保护层25与反射层23的图形定义之后沉积第一保护层24，可使用电子枪(E-Gun)蒸镀或溅镀(sputter)等沉积制作工艺，以将第一保护层24沉积于第二保护层25与反射层23之上，以使第一保护层24可完全覆盖第二保护层25与反射层23。
[0079]接着，进行步骤S04，如图4D所示，形成一阻障层26于第一保护层24及外延结构22上，其中阻障层26完全覆盖第一保护层24。在此，阻障层26为一金属层，并完全覆盖住第一保护层24。
[0080]另外，请参照图3B所示，其为本发明较佳实施例的一种发光装置2的制作方法的
另一流程图。
[0081]发光装置2的制作方法还可包括步骤S05?步骤S07。
[0082]如图4E所示，步骤S05为，形成一绝缘层27于阻障层26及外延结构22上。在此，绝缘层27以蒸镀或溅镀沉积于阻障层26及外延结构22上。
[0083]最后，进行步骤S06及步骤S07中，如图4F所示，形成一第一电极Pl于阻障层26之上，以及形成一第二电极P2于外延结构22的一第一半导体层221上，其中第一电极Pl与第二电极P2位于外延基板21的同一侧。在本实施例中，绝缘层27并不包覆第一电极Pl及第二电极P2。在此，在形成第一电极Pl与第二电极P2之前，可于阻障层26及外延结构22上沉积完绝缘层27之后，以蚀刻或浮离制作工艺分别去除阻障层26及第一半导体层221上的部分绝缘层27，以定义出第一电极Pl及第二电极P2的图案。接着再分别形成第一电极Pl及第二电极P2于阻障层26及第一半导体层221上未被绝缘层27覆盖的区域。如此，即完成发光装置2的制作方法。
[0084]此外，发光装置2的制作方法的其它技术特征，包含各元件的材料及其制作工艺等可参照上述相同元件的说明，在此不再赘述。
[0085]另外，请参照图3C及图5A至图5C所示，其中，图3C为本发明另一较佳实施例的一种发光装置2b的制作方法的流程图，而图5A至图5C分别为本发明另一较佳实施例的一种发光装置2b的制作过程示意图。
[0086]本发明的发光装置2b的制作方法可包括步骤POl至步骤P09。其中，步骤POl?步骤P04分别与步骤SOl?步骤S04相同，不再赘述。
[0087]在步骤P05及步骤P06中，如图5A所示，形成一第一接合层281于阻障层26上，及形成一第二接合层282于一导热基板29上。第一接合层281及第二接合282可分别以蒸镀或溅镀方式分别形成于阻障层26及导热基板29上。本实施例的第一接合层281及第二接合层282可为单层或多层的金属材料所构成，其材质可例如分别包含金、锡、铝、铬、钼、钛，或其组合，并例如可为单层的金、铝或金锡，或双层的钛/金或钛/铝，或三层的铬/钼/金等。其中，铬或钛是作为与阻障层26及导热基板29接着之用，而钼则作为阻挡层，用以阻止铬与金原子互相扩散，金则可用以后续制作工艺两者的接合，以金层-金层对接。
[0088]接着，进行步骤P07，如图5B所示，通过第一接合层281及第二接合层282接合导热基板29于阻障层26之上。具体而言，通过第一接合层281及第二接合层282，以使导热基板29可接合于阻障层26。于此，接合后的第一接合层281与第二接合层282可形成一接合层28。[0089]另外，步骤P08为:移除外延基板21。本实施例以激光聚焦于外延结构22的第一半导体层221靠近外延基板21的一侧，并通过激光聚焦解离部分的第一半导体层221，以分离外延基板21及外延结构22。
[0090]最后，进行步骤P09，如图5C所示，形成一电极层P于外延结构22远离反射层23的一表面224上。于此，电极层P形成于外延基板21的第一半导层221上。由于导热基板29也为一导电基板，故可将导热基板29当作一电极使用，并将电极层P当作另一电极，并可通过供电给导热基板29及电极层P，并通过反射层23的光线反射，使发光装置2b发出向下的光线。
[0091]此外，发光装置2b的制作方法的其它技术特征，包含各元件的材料及其制作工艺等可参照上述相同元件的说明，于此不再赘述。
[0092]综上所述，因依据本发明的发光装置及制作方法中，反射层设置于外延结构上，第一保护层设置于反射层及外延结构上，并至少覆盖于反射层的一侧壁，而阻障层设置于第一保护层及外延结构上，并完全覆盖第一保护层，且阻障层之上具有一第一电极。由此，与现有相比较，本发明的第一保护层至少覆盖于反射层的一侧壁，除了可避免发光装置因后续制作工艺所使用的化学药品或高温制作工艺损伤到反射层的侧壁而造成反射率降低，导致发光装置的良率降低之外，还可改善反射层出现金属丝而导致后续制作工艺的阻障层及绝缘层的覆盖不佳等问题。
[0093]以上所述仅为举例性，而非为限制性者。任何未脱离本发明的精神与范畴，而对其进行的等效修改或变更，均应包含于所附的权利要求中。
【权利要求】
1.一种发光装置，包括: 外延结构； 反射层，设置于该外延结构上； 第一保护层，设置于该反射层及该外延结构上，并至少覆盖于该反射层的一侧壁；以及阻障层，设置于该第一保护层及该外延结构上，并完全覆盖该第一保护层，该阻障层之上具有第一电极。
2.如权利要求1所述的发光装置，还包括: 外延基板，该外延结构、该反射层、该第一保护层及该阻障层设置于该外延基板之上。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中该外延结构具有第一半导体层、有源层及第二半导体层，该有源层夹置于该第一半导体层及该第二半导体层之间。
4.如权利要求1所述的发光装置，还包括: 第二保护层，设置于该反射层的一顶面，并夹置于该第一保护层与该反射层之间。
5.如权利要求1或4所述的发光装置，还包括: 绝缘层，设置于该阻障层及该外延结构上。
6.如权利要求5所述的发光装置，还包括: 第二电极，设置于该外延结构的第一半导体层上，该第一电极与该第二电极位于该外延基板的同一侧。
7.如权利要求1或4所述的发光装置，还包括: 接合层，设置于该阻障层上。
8.如权利要求7所述的发光装置，还包括: 导热基板，设置于该接合层上，该导热基板为该第一电极。
9.如权利要求8所述的发光装置，还包括: 电极层，设置于该外延结构远离该反射层的一表面上。
10.一种发光装置制造方法，包括: 形成一外延结构于一外延基板上； 形成一反射层于该外延结构上； 形成一第一保护层于该反射层及该外延结构上，其中该第一保护层至少覆盖于该反射层的一侧壁；以及 形成一阻障层于该第一保护层及该外延结构上，其中该阻障层完全覆盖该第一保护层。
11.如权利要求10所述的制作方法，还包括: 形成一第二保护层于该反射层的顶面，并夹置于该第一保护层与该反射层之间。
12.如权利要求10或11所述的制作方法，还包括: 形成一绝缘层于该阻障层及该外延结构上。
13.如权利要求12所述的制作方法，还包括: 形成一第一电极于该阻障层之上；以及 形成一第二电极于该外延结构的第一半导体层上，其中该第一电极与该第二电极位于该外延基板的同一侧。
14.如权利要求10或11所述的制作方法，还包括:形成一第一接合层于该阻障层上；形成一第二接合层于一导热基板上；及通过该第一接合层及该第二接合层接合该导热基板于该阻障层之上。
15.如权利要求14所述的制作方法，还包括:移除该外延基板。
16.如权利要求15所述的制作方法，还包括:形成一电极层于该外延`结构远离该反射层的一表面上。
【文档编号】H01L33/44GK103682027SQ201310044160
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年2月4日 优先权日:2012年9月26日
【发明者】陈彦玮, 朱长信, 余国辉, 庄文宏 申请人:奇力光电科技股份有限公司, 佛山市奇明光电有限公司