发光装置及其制作方法
【专利摘要】本发明提供一种发光装置及其制作方法，发光装置包括一电路板、一发光单元以及一异方性导电层。电路板包括多个电极垫。发光单元包括一半导体磊晶结构层、一第一电极以及一第二电极。第一电极以及第二电极分别配置于半导体磊晶结构层的同一侧上。第一电极以及第二电极通过异方性导电层与这些电极垫电性连接。本发明提供的发光装置及其制作方法，不易在水平方向上发生短路或是漏电，且其良率佳。
【专利说明】
发光装置及其制作方法
技术领域
[0001]本发明是有关于一种发光装置及其制作方法。
【背景技术】
[0002]在现有的覆晶发光二极管封装的结构中，半导体磊晶结构层的边缘会切齐于基板的边缘或内缩，而N电极与P电极的边缘会切齐半导体磊晶结构层的边缘或是与半导体磊晶结构层的边缘相隔一垂直距离，也就是说，N电极与P电极于基板上的正投影面积小于半导体磊晶结构层于基板上的正投影面积，在这样的配置下，当欲将覆晶发光二极管封装组装至一外部电路时，由于N电极与P电极的电极面积相对较小，因此发光二极管封装在组装时易有对位不精准以及电极接触不良的问题产生。
[0003]另外，现有的覆晶发光二极管的组装方法除了可以将发光二极管封装组装至外部电路，也可以将发光二极管磊晶薄膜直接组装至外部电路。一般而言，可以将发光二极管封装或发光二极管磊晶薄膜直接接合至外部电路，或者是通过焊锡接合至外部电路。然而，在焊锡接合的过程中，焊锡因加热而产生流动性，而容易导致组装完成的发光装置在水平方向上发生短路的情形。此外，以现有接合方式以及接合材料组装完成的发光装置在进行后续加工时，容易因后续加工所产生的应力而造成发光装置发生漏电或损坏的情形，使得发光装置良率低落。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种发光装置及其制作方法，不易在水平方向上发生短路或是漏电，且其良率佳。
[0005]本发明提供一种发光装置，其不易在水平方向上发生短路或是漏电，且其良率佳。
[0006]本发明提供一种发光装置的制造方法，其制作的发光装置不易在水平方向上发生短路或是漏电，且其良率佳。
[0007]本发明的一种发光装置，包括一电路板、一发光单元以及一异方性导电层。电路板包括多个电极垫。发光单元包括一半导体嘉晶结构层、一第一电极以及一第二电极。第一电极以及第二电极分别配置于半导体磊晶结构层的同一侧上。第一电极以及第二电极通过异方性导电层与这些电极垫电性连接。
[0008]在本发明的一实施例中，发光单元还包括一基板。半导体磊晶结构层配置于基板上，且第一电极以及第二电极配置于半导体磊晶结构层远离基板的一侧上。
[0009]在本发明的一实施例中，发光装置还包括一透光层。发光单元配置于透光层上，发光单元配置于透光层与第一电极之间，且配置于透光层与第二电极之间。
[0010]在本发明的一实施例中，发光装置还包括一封装体。封装发光单元并至少曝露部分第一电极及部分第二电极。
[0011]在本发明的一实施例中，异方性导电层包括一绝缘胶体以及分散于绝缘胶体的多个导电体。
[0012]本发明的一种发光装置的制造方法，包括提供包括多个电极垫的一电路板。提供一发光单元。发光单元包括一半导体磊晶结构层以及配置于半导体磊晶结构层上的一第一电极以及一第二电极。以一异方性导电层贴附电路板与发光单元。使第一电极以及第二电极对位这些电极垫。对异方性导电层进行一处理，使第一电极以及第二电极与这些电极垫电性连接。
[0013]在本发明的一实施例中，处理包括对异方性导电层对应于第一电极以及第二电极的部分加压，使异方性导电层对应于第一电极以及第二电极的部分分别电性连接至第一电极以及第二电极。
[0014]在本发明的一实施例中，处理包括对异方性导电层对应于第一电极以及第二电极的部分加热，使异方性导电层对应于第一电极以及第二电极的部分分别电性连接至第一电极以及第二电极。
[0015]在本发明的一实施例中，发光单元还包括一基板。半导体磊晶结构层配置于基板上。发光装置的制造方法还包括使第一电极以及第二电极与这些电极垫电性连接后，移除基板。
[0016]在本发明的一实施例中，移除基板的方法包括利用雷射剥离法移除基板。
[0017]在本发明的一实施例中，异方性导电层包括一绝缘胶体以及分散于绝缘胶体的多个导电体。
[0018]本发明的一种发光装置，包括一电路板、一发光单元、一透光层、一封装层以及一异方性导电层。发光单元包括一基板、一配置于基板上的半导体磊晶结构层，以及一第一电极与第二电极，分别配置于半导体磊晶结构层的同一侧上。发光单元配置于透光层上且至少曝露第一电极及第二电极。封装体封装发光单元并至少曝露部分第一电极及部分第二电极，第一电极与第二电极分别由半导体磊晶结构层上向外延伸且分别覆盖至少封装体的部分上表面。第一电极以及第二电极通过异方性导电层与电路板电性连接。
[0019]在本发明的一实施例中，异方性导电层包括一绝缘胶体以及分散于绝缘胶体的多个导电体。
[0020]在本发明的一实施例中，第一电极包括连接半导体嘉晶结构层的一第一电极部以及连接第一电极部的一第一电极延伸部，而第二电极包括连接半导体磊晶结构层的一第二电极部以及连接第二电极部的一第二电极延伸部，第一电极延伸部与第二电极延伸部分别向外延伸于至少部分封装体的上表面。
[0021]在本发明的一实施例中，第一电极延伸部与第二电极延伸部切齐于或内缩于封装体的上表面的边缘。
[0022]在本发明的一实施例中，第一电极部与第二电极部切齐于或内缩于半导体磊晶结构层的边缘。
[0023]在本发明的一实施例中，发光装置还包括一或多个平坦的表面，每一平坦的表面包括透光层及封装体。
[0024]在本发明的一实施例中，第一电极延伸部包括多个第一栅状电极，而第二电极延伸部包括多个第二栅状电极，这些第一栅状电极分布在第一电极部与封装体的部分上表面上，这些第二栅状电极分布在第二电极部与封装体的部分上表面上。
[0025]在本发明的一实施例中，至少部分第一电极延伸部由第一电极部的边缘往远离第二电极部的方向延伸，且至少部分第二电极延伸部由第二电极部的边缘往远离第一电极部的方向延伸。
[0026]在本发明的一实施例中，第一电极延伸部与第二电极延伸部分别包括多个彼此分离的子电极。
[0027]在本发明的一实施例中，第一电极延伸部的这些子电极位于封装体的上表面上远离第二电极的至少一角落，且第二电极延伸部的这些第二子电极位于封装体的上表面上远离第一电极的至少一角落。
[0028]在本发明的一实施例中，第一电极延伸部、第二电极延伸部的顶面与封装体的上表面实质上共平面。
[0029]在本发明的一实施例中，第一电极部与第一电极延伸部为无接缝连接，第二电极部与第二电极延伸部为无接缝连接。
[0030]在本发明的一实施例中，第一电极延伸部与第二电极延伸部分别包括一接着层及一配置于接着层与封装体之间的阻障层。
[0031]在本发明的一实施例中，接着层的材质包括金、锡、铝、银、铜、铟、铋、铂、金锡合金、锡银合金、锡银铜合金(SAC alloy)或其组合，且阻障层的材质包括镍、钛、鎢、金或其组合的合金。
[0032]在本发明的一实施例中，第一电极与第二电极分别还包括一反射层，分别配置于这些电极延伸部与封装体之间。
[0033]在本发明的一实施例中，反射层的材质包括金、铝、银、镍、钛或其组合的合金。
[0034]在本发明的一实施例中，发光装置还包括一反射层，配置于封装体的表面上。
[0035]在本发明的一实施例中，至少部分反射层位于这些电极与封装体之间。
[0036]在本发明的一实施例中，反射层的材质包括金、招、银、镍、钛、布拉格反射镜(Distributed Bragg Ref lector，简称DBR)、掺有具高反射率的反射粒子的树脂层或其组入口 ο
[0037]在本发明的一实施例中，发光装置还包括一波长转换材料，包覆发光单元并至少曝露部分第一电极及部分第二电极。
[0038]在本发明的一实施例中，波长转换材料包括荧光材料或量子点材料。
[0039]在本发明的一实施例中，波长转换材料是形成在发光单元的表面、形成在封装体的表面或混合在封装体中。
[0040]在本发明的一实施例中，这些第一子电极与这些第二子电极为层状电极、球状电极或栅状电极。
[0041]本发明的一实施例提出一种发光装置，包括一电路板、一发光单元、一透光层、一封装层以及一异方性导电层。发光单元包括一基板、一配置于基板上半导体磊晶结构层，以及一第一电极与第二电极，分别配置于半导体磊晶结构层而相反于基板的同一侧上。透光层配置于发光单元上且位于基板的一侧相反于半导体磊晶结构层、第一电极及第二电极。封装体位于发光单元与透光层之间。封装体封装发光单元并至少曝露部分第一电极及部分第二电极。第一电极与第二电极分别由半导体磊晶结构层上向外延伸且分别覆盖至少封装体的部分上表面。第一电极以及第二电极通过异方性导电层与电路板电性连接。
[0042]本发明的一实施例提出一种发光装置，包括一电路板、一发光单、一封装层以及异方性导电层。发光单元包括一基板、一配置于基板上的半导体磊晶结构层，以及一第一电极及一第二电极，配置于半导体磊晶结构层的同一侧上。封装体封装发光单元并至少曝露部分第一电极及部分第二电极。第一电极与第二电极分别由半导体磊晶结构层上向上延伸且不覆盖封装体的一上表面。第一电极以及第二电极通过异方性导电层与电路板电性连接
[0043]本发明的一实施例提出一种发光装置，包括一电路板、发光单元、一封装层以及一异方性导电层。发光单元包括一基板、一配置于基板上的半导体磊晶结构层，以及一第一电极与第二电极，分别配置于半导体磊晶结构层的同一侧上。封装体封装发光单元并至少曝露部分第一电极及部分第二电极。第一电极与第二电极分别由半导体磊晶结构层上向外延伸且分别覆盖至少封装体的部分上表面。第一电极以及第二电极通过异方性导电层与电路板电性连接。
[0044]本发明的一实施例提出一种发光装置，包括一电路板、一发光单元、一透光层、一封装层以及异方性导电层。发光单元包括一基板、一配置于基板上的半导体磊晶结构层，以及一第一电极与第二电极，分别配置于半导体磊晶结构层的同一侧上。发光单元配置于透光层上且至少曝露第一电极及第二电极。封装体封装发光单元并至少曝露部分第一电极及部分第二电极。第一电极与第二电极分别由半导体磊晶结构层向上延伸而不覆盖封装体的一上表面。第一电极以及第二电极通过异方性导电层与电路板电性连接。
[0045]本发明的一实施例提出一种发光装置，包括一电路板、一发光单元、一透光层、一封装层以及一异方性导电层。发光单元包括一基板、一配置于基板上的半导体磊晶结构层，以及一第一电极与第二电极，分别配置于半导体磊晶结构层而相反于基板的同一侧上。透光层配置于发光单元上且位于基板的一侧相反于半导体磊晶结构层、第一电极及第二电极。封装体位于发光单元与透光层之间。封装体封装发光单元并至少曝露部分第一电极及部分第二电极。第一电极与第二电极分别由半导体磊晶结构层向上延伸而不覆盖封装体的一上表面。第一电极以及第二电极通过异方性导电层与电路板电性连接。
[0046]基于上述，由于本发明的一实施例的发光单元的第一电极与第二电极是从半导体磊晶结构层上向外延伸并可覆盖至少部分封装胶体，也就是说，相较于现有第一电极与第二电极的设计而言，本发明的发光装置(发光二极管封装)可具有较大的电极面积，且当后续欲组装至一外部电路上时，也可有效提高组装时的对位精准度。由于本发明的一实施例的发光单元的第一电极与第二电极是从半导体磊晶结构层上向上延伸而凸出于封装较体，因此有利于后续的固晶接合制程。另外，在本发明实施例的发光装置及其制作方法中，发光单元的第一电极以及第二电极通过异方性导电层与电路板电性连接。因此，发光装置不易在水平方向上发生短路或是漏电，且发光装置的良率佳。
[0047]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
【附图说明】
[0048]图1A为本发明的一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0049]图1B为沿图1A的线A-A的剖面示意图；
[0050]图2A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0051 ]图2B为沿图2A的线B-B的剖面示意图；
[0052]图3A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0053]图3B为沿图3A的线C-C的剖面示意图；
[0054]图4A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0055]图4B为沿图4A的线D-D的剖面示意图；
[0056]图5A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0057]图5B为沿图5A的线E-E的剖面示意图；
[0058]图6A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0059]图6B为沿图6A的线F-F的剖面示意图；
[0060]图7A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0061 ]图7B为沿图7A的线G-G的剖面示意图；
[0062]图8A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0063]图8B为沿图8A的线H-H的剖面示意图；
[0064]图9A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0065]图9B为沿图9A的线1-1的剖面示意图；
[0066]图1OA为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0067]图1OB为沿图1OA的线J-J的剖面示意图；
[0068]图1lA为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0069]图1IB为沿图1IA的线K-K的剖面示意图；
[0070]图12A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0071]图12B为沿图12A的线L-L的发光装置覆晶接合至电路板剖面示意图；
[0072]图13为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0073]图14为本发明的另一实施例的一种发光装置的剖面示意图；
[0074]图15A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0075]图15B为沿图15A的线M-M的发光装置的剖面示意图；
[0076]图16A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0077]图16B为沿图16A的线N-N的发光装置的剖面示意图；
[0078]图17A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0079]图17B为沿图17A的线P-P的发光装置的剖面示意图；
[0080]图18A为本发明的一实施例采图1B的发光装置覆晶接合至电路板的剖面示意图；[0081 ]图18B为图18A中区域Ml的局部放大图；
[0082]图18C为本发明的另一实施例采图1B的发光装置覆晶接合至电路板的剖面示意图。
[0083]图19A至19D为本发明的一实施例的发光装置的制作过程的示意图；
[0084]图20为本发明的一实施例的发光装置的制造方法的步骤流程图。
[0085]附图标记说明:
[0086]50、50a:电路板；
[0087]52、52a:电极垫；
[0088]60:锡膏；
[0089]100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、1001、100j、100k、1001、100m、 UL
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[0122]S1、S1’、S1”、S1”’:第一上表面;
[0123]S2、S2’、S2”、S2”’:第二上表面;
[0124]SlOO、S200、S300、S400、S500:发光装置的制造方法的步骤；
[0125]Tl:第一顶面；
[0126]T2:第二顶面；
[0127]d:间隔。
【具体实施方式】
[0128]图1A为本发明的一实施例的一种发光装置的俯视示意图。图1B为沿图1A的线A-A的剖面示意图。请同时参考图1A与图1B，在本实施例中，发光装置10a其包括一透光层110、一发光单兀120a以及一封装体130a。发光单兀120a例如是一发光二极管，包括一基板122、一磊晶结构层124、一第一电极126a以及一第二电极128a。磊晶结构层124配置于基板122上。在本实施例中，嘉晶结构层124为半导体嘉晶结构层。嘉晶结构层124的周围切齐于基板122的周围。第一电极126a配置于磊晶结构层124的一侧上。第二电极128a配置于磊晶结构层124上，且与第一电极126a设置于磊晶结构层124上相反于基板122的同一侧，其中第一电极126a与第二电极128a之间具有一间隔d。发光单元120a配置于透光层110上且透光层110位于发光单元120a的基板122相反于磊晶结构层124、第一电极126a以及第二电极128a的一侦U，而至少曝露出部分第一电极126a及部分第二电极128a。封装体130a配置于透光层110上，且位于发光单元120a与透光层110之间，其中封装体130a封装发光单元120a而曝露出至少部分第一电极126a与部分第二电极128a，而第一电极126a与第二电极128a由磊晶结构层124上分别向外延伸且覆盖至少部分封装体130a的一上表面132a。更详细的说，磊晶结构层124至少包括依序电性连接的第一型半导体层(未示出)、发光层(未示出)及第二型半导体层(未示出)，第一电极126a与第一型半导体层电性连接，且第二电极128a与第二型半导体层电性连接。在本实施例中，封装体130a的边缘切齐透光层110的边缘，使得发光装置10a形成有一或多个平坦的表面。
[0129]详细来说，本实施例的透光层110适于引导发光单元120a所发出的光并让光穿透，其中透光层110的材质例如是可透光的无机材料，包括但不限于玻璃或陶瓷;或可透光的有机材料，包括但不限于硅胶、环氧树脂或各种树脂，而透光层110的透光率最佳至少为50%。透光层110的型态可以是平坦的透光板或其他形状的透光层。在本发明其他实施例中，发光装置10a可以不包括透光层110，并且封装体130a形成有一或多个平坦的表面。发光单元120a例如是为一覆晶式发光二极管芯片，其中发光单元120a的基板122的材质例如是蓝宝石、氮化镓、氧化镓、碳化娃或氧化锌，但并不以此为限。再者，本实施例的第一电极126a包括一第一电极部126al以及一第一电极延伸部126a2。第二电极128a包括一第二电极部128al以及一第二电极延伸部128a2。第一电极部126al与第二电极部128al的边缘切齐于或不切齐于(例如内缩于)磊晶结构层124的边缘。第一电极延伸部126a2位于第一电极部126al上且向外延伸而覆盖封装体130a的上表面132a。第二电极延伸部128a2位于第二电极部128al上且向外延伸而覆盖封装体130a的上表面132a。此处，第一电极部126al与第一电极延伸部126a2可采用相同或不同材质，而第二电极部128al与第二电极延伸部128a2可采用相同或不同材质，在此并不加以限制。在本实施例中，第一电极延伸部126a2分别由第一电极部126al向上延伸以及往远离第二电极部128al的方向延伸，且第二电极延伸部128a2分别由第二电极部128al向上延伸以及往远离第一电极部126a的方向延伸。
[0130]此外，本实施例的封装体130a的材质例如是可透光的无机材料或有机材料，其中无机材料包括但不限于玻璃或陶瓷，有机材料包括但不限于硅胶、环氧树脂或各种树脂。发光装置10a还包括有至少一波长转换材料，波长转换材料包括但不限于荧光体或量子点。波长转换材料134a可掺杂在封装体130a内，用来改变发光单元120a所发出的光的波长。在本发明其他实施例中，也可以在发光单元120a的表面直接形成波长转换材料层，并至少曝露出部分第一电极126a与部分第二电极128a，使得波长转换材料层位于封装体130a与发光单元120a之间，形成的方法包括但不限于喷涂或贴附。而在本发明其他另一实施例中，波长转换材料层也可以形成在封装体130a的表面，并至少曝露出部分第一电极126a与部分第二电极128a，使得封装体130a位于波长转换材料层与发光单元120a之间，形成的方法包括但不限于喷涂或贴附。当然，在其他实施例中，发光装置10a可以不包括波长转换材料，此仍属于本发明可采用的技术方案，仍不脱离本发明所欲保护的范围。
[0131]简言之，由于本实施例的第一电极126a与第二电极128a具有覆盖于封装体130a的上表面132a的第一电极延伸部126a2与第二电极延伸部128a2的设计，因此相较于现有第一电极与第二电极的设计而言，本实施例的发光装置10a可具有较大的电极面积。此外，当后续欲将发光装置10a组装至一外部电路(未示出)上时，第一电极126a与第二电极128a的设计也可提高发光二极管封装进行组装时的对位精准度，且也可避免现有电极接触不良的问题产生。具体而言，由于第一电极延伸部126a2及第二电极延伸部128a2分别扩大了第一电极部126al与第二电极部128al的面积，发光装置当使用锡膏使发光装置10a与电路板接合时，可减少或避免锡膏溢流而造成短路的状况，能确保接合可靠度。此外。在一些实施例中，发光装置10a也可以采用异方性导电层来与外部电路电性连接。举例而言，发光装置10a的第一电极126a以及第二电极128a可以通过异方性导电胶或异方性导电膜来与外部电路电性连接。
[0132]值得一提的是，在此实施例中，第一电极延伸部126a2的边缘与第二电极延伸部128a2的边缘切齐于封装体130a的边缘以及透光层110的边缘，除了电极面积变大，以增加对位精准度之外，这样的设计在制程上可更为简便，进而节省制程时间，原因在于封装体130a可一次封装多个具有第一电极部126al与第二电极部128al的发光单元120a，之后同时镀上第一电极延伸部126a2与第二电极延伸部128a2后，再直接加以切割形成发光装置10a0
[0133]在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
[0134]图2A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图。图2B为沿图2A的线B-B的剖面示意图。请同时参考图2A与图2B，本实施例的发光装置10b与图1A及图1B中的发光装置10a相似，二者主要差异之处在于:本实施例的第一电极126b的第一电极延伸部126b2是由多个第一栅状电极Rl所组成，而第二电极128b的第二电极延伸部128b2是由多个第二栅状电极R2所组成。部分第一栅状电极Rl与第二栅状电极R2分别由第一电极部126bl与第二电极部128bl向上延伸，部分第一栅状电极Rl与第二栅状电极R2配置于封装体130a的上表面132a上。
[0135]其中，第一栅状电极Rl呈间隔排列(例如是等间距排列)且暴露出部分第一电极部126bl以及部分封装体130a。第二栅状电极R2呈间隔排列(例如是等间距排列)且暴露出部分第二电极部128bl以及部分封装体130a。特别是，每一第一栅状电极Rl具有一第一顶面Tl，而每一第二栅状电极R2具有一第二顶面T2。第一栅状电极Rl的第一顶面Tl与第二栅状电极R2的第二顶面T2实质上共平面。如此一来，当后续将发光装置10b组装至一外部电路(未示出)上时，发光单元120b的第一电极126b与第二电极128b的设计可提供较佳的组装平整度以及较大的电极面积，以利于发光装置10b进行后续的组装。在一些实施例中，发光装置10b可以采用异方性导电层来与外部电路电性连接。举例而言，发光装置10b的第一电极126b以及第二电极128b可以通过异方性导电胶或异方性导电膜来与外部电路电性连接。
[0136]图3A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图。图3B为沿图3A的线C-C的剖面示意图。请同时参考图3A与图3B，本实施例的发光装置10c与图2A及图2B中的发光装置100b相似，二者主要差异之处在于:本实施例的第一电极延伸部126c2是由多个第一栅状电极R1’所组成，而第二电极延伸部128c2是由多个第二栅状电极R2’所组成，其中第一栅状电极Rl ’与第二栅状电极R2’还延伸配置于第一电极126c与第二电极128c之间的间隔d处。如此一来，发光单元120c的电极面积可由磊晶结构层124延伸至封装体130a上，以使发光装置10c可具有较大的电极面积，制程简易，且有助于提高后续组装上的对位精准度，需说明的是，栅状电极与电路板的连接在实际应用上可用异方性导电胶来实现。举例而言，发光装置10c的第一电极126c以及第二电极128c可以通过异方性导电胶或异方性导电膜来与外部电路电性连接。
[0137]图4A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图。图4B为沿图4A的线D-D的剖面示意图。请同时参考图4A与图4B，本实施例的发光装置10d与图1A及图1B中的发光装置10a相似，二者主要差异之处在于:本实施例的封装体130d还包覆第一电极126d、第二电极128d而暴露出上述电极的上表面，且封装体130d填满第一电极126d与第二电极128d之间的间隔d，其中第一电极延伸部126d2的侧壁与第二电极延伸部128d2的侧壁也被封装体130d所包覆。此外，第一电极延伸部126d2的边缘与第二电极延伸部128d2的边缘内缩于封装体130d的边缘与透光层110的边缘。第一电极延伸部126d2的一第一上表面S1、第二电极延伸部128d2的一第二上表面S2与封装体130d的上表面132d实质上共平面。也就是说，第一电极延伸部126d2配置于第一电极部126dl上，且第一电极延伸部126d2的第一上表面SI与封装体130d的上表面132d实质上共平面。第二电极延伸部128d2配置于第二电极部128dl上，且第二电极延伸部128d2的第二上表面S2与封装体130d的上表面132d实质上共平面。如此一来，当发光装置10d与一外部电路(未示出)电性连接时，发光单元120d的第一电极126d与第二电极128d的设计，可使发光装置10d在组装时没有组装间隙(gap)，可有效防止水气与氧气进入发光装置10d中。在一些实施例中，发光装置10d可以采用异方性导电层来与外部电路电性连接。举例而言，发光装置10d的第一电极126d以及第二电极128d可以通过异方性导电胶或异方性导电膜来与外部电路电性连接。
[0138]图5A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图。图5B为沿图5A的线E-E的剖面示意图。请同时参考图5A与图5B，本实施例的发光装置10e与图4A及图4B中的发光装置10d相似，二者主要差异之处在于:本实施例的第一电极延伸部126e2与第一电极部126el之间为无接缝连接，而第二电极延伸部128e2与第二电极部128el之间为无接缝连接。也就是说，发光单兀120e的第一电极126e的第一电极延伸部126e2与第一电极部126el—体成型，而第一电极128e的第二电极延伸部128e2与第二电极部128el—体成型，如此可使发光装置10e结构完整度较佳，具有较好的信赖性。在一些实施例中，发光装置10e可以采用异方性导电层来与外部电路电性连接。举例而言，发光装置10e的第一电极126e以及第二电极128e可以通过异方性导电胶或异方性导电膜来与外部电路电性连接。
[0139]图6A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图。图6B为沿图6A的线F-F的剖面示意图。请同时参考图6A与图6B，本实施例的发光装置10f与图4A及图4B中的发光装置10d相似，二者主要差异之处在于:本实施例的第一电极延伸部126f2的边缘与第二电极延伸部128f 2的边缘切齐于封装体130f的边缘以及透光单元110的边缘，而未被封装体130f包覆。此时，发光单元120f的第一电极延伸部126f2配置于第一电极部126Π上，且第一电极延伸部126f2的第一上表面SI’与封装体130f的上表面132f实质上共平面。发光单元120f的第二电极延伸部128f2配置于第二电极部128Π上，且第二电极延伸部128f2的第二上表面S2’与封装体130f的上表面132f实质上共平面。在一些实施例中，发光装置10f可以采用异方性导电层来与外部电路电性连接。举例而言，发光装置10f的第一电极126f以及第二电极128f可以通过异方性导电胶或异方性导电膜来与外部电路电性连接。
[0140]图7A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图。图7B为沿图7A的线G-G的剖面示意图。请同时参考图7A与图7B，本实施例的发光装置10g与图6A及图6B中的发光装置10f相似，二者主要差异之处在于:本实施例的第一电极延伸部126g2与第一电极部126gl之间为无接缝连接，而第二电极延伸部128g2与第二电极部128gl之间为无接缝连接。也就是说，发光单元120g的第一电极126g的第一电极延伸部126g2与第一电极部126gl—体成型，而第一电极128g的第二电极延伸部128g2与第二电极部128gl—体成型。在一些实施例中，发光装置10g可以采用异方性导电层来与外部电路电性连接。举例而言，发光装置10g的第一电极126g以及第二电极128g可以通过异方性导电胶或异方性导电膜来与外部电路电性连接。
[0141]图8A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图。图SB为沿图8A的线H-H的剖面示意图。请同时参考图8A与图8B，本实施例的发光装置10h与图7A及图7B中的发光装置10g相似，二者主要差异之处在于:本实施例的发光单元120h的第一电极126h还包括连接第一电极部126hl与第一电极延伸部126h2的一第一连接部126h3。第一连接部126h3的延伸方向垂直于第一电极部126hl的延伸方向与第一电极延伸部126h2的延伸方向。第一电极部126hl、第一连接部126h3以及第一电极延伸部126h2之间可以是无接缝连接。发光单元120h的第二电极128h还包括连接第二电极部128hl与第二电极延伸部128h2的一第二连接部128h3。第二连接部128h3的延伸方向垂直于第二电极部128hl的延伸方向与第二电极延伸部128h2的延伸方向。第二电极部128hl、第二连接部128h3以及第二电极延伸部128h2之间可以是无接缝连接。第一电极延伸部126h2的第一上表面SI”、第二电极延伸部128h2的第二上表面S2”与封装体130h的上表面132h实质上共平面。封装体130h填满第一电极126h与第二电极128h之间的间隔d。此处，第一电极延伸部126h2的边缘与第二电极延伸部128h2的边缘切齐于封装体130h的边缘以及透光层110的边缘。在一些实施例中，发光装置10h可以采用异方性导电层来与外部电路电性连接。举例而言，发光装置10h的第一电极126h以及第二电极128h可以通过异方性导电胶或异方性导电膜来与外部电路电性连接。
[0142]图9A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图。图9B为沿图9A的线1-1的剖面示意图。请同时参考图9A与图9B，本实施例的发光装置10i与图8A及图8B中的发光装置10h相似，二者主要差异之处在于:本实施例的第一电极延伸部126i2的侧壁与第二电极延伸部128i2的侧壁被封装体130i所包覆。也就是说，本实施例的发光单元120i的第一电极126 1、第二电极128 1、磊晶结构层124以及基板122被封装体130 i所封装，但暴露出上述电极的上表面。此处，第一电极126i的第一电极延伸部126i2通过第一连接部126i3与第一电极部126il相连接，且第一电极延伸部126i2的第一表面SI”’与封装体130i的上表面132i实质上共平面。而，第二电极128i的第二电极延伸部128i2通过第二连接部128i3与第二电极部128il相连接，且第二电极延伸部128i2的第二表面S2”’与封装体130i的上表面132i实质上共平面。在一些实施例中，发光装置10i可以采用异方性导电层来与外部电路电性连接。举例而言，发光装置10i的第一电极126i以及第二电极128i可以通过异方性导电胶或异方性导电膜来与外部电路电性连接。
[0143]图1OA为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视不意图，而图1OB为沿图1OA的线J-J的剖面示意图。请参照图1OA与图10B，本实施例的发光装置10j类似于图1A的发光装置100a，而两者的差异如下所述。在本实施例的发光装置10j中，第一电极延伸部126j2包括多个彼此分离的第一子电极126 j21、126 j22，且第二电极延伸部128 j2包括多个彼此分离的第二子电极128」21、128」22。在本实施例中，这些第一子电极126」21、126」22位于封装体的二相邻角落，且这些第二子电极128j21、128j22位于封装体的另二相邻角落。换言之，这些第一子电极126j21、126j22由第一电极部126jl边缘朝向远离第二电极部128jl的方向延伸，且这些第二子电极128 j21、128 j22由第二电极部128 jl的边缘朝向远离第一电极部126」1的方向延伸，因而这些子电极126」21、126」22、128」21、128」22分别延伸于发光装置10j上表面的的四个角落。另外，在本实施例中，封装体130j封装第一电极部126jl与第二电极部128」1，而这些子电极126」21、126」22、128」21、128」22延伸至并覆盖在封装体130]_上。在本实施例中，发光装置10j可还包括透光层110，而封装体130j配置于透光层110上。相较于图1B，图1OB只是示出了将发光装置10j翻转过来，以利于覆晶接合的情形。
[0144]在本实施例的发光装置10j中，由于配置于发光装置10j上表面的四个角落的这些子电极126 j21、126 j22、128 j21、128 j22可分别通过四个锡膏接合至电路板，而四个配置于四个角落的锡膏在回焊(reflow)时可以分散应力。如此一来，当发光装置10j接合至电路板而冷却后，不至于对于预设位置偏转一个角度，进而确保接合制程的良率。在一些实施例中，发光装置10j可以采用异方性导电层来与外部电路电性连接。举例而言，发光装置10j的第一电极(第一电极部126jl以及第一电极延伸部126j2)以及第二电极(第二电极部128jl以及第二电极延伸部128j2)可以通过异方性导电胶或异方性导电膜来与外部电路电性连接。
[0145]图1lA为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图，而图1lB为沿图1lA的线K-K的剖面示意图。请参照图1lA与图11B，本实施例的发光装置10k类似于图1OA与图1OB的发光装置10j，而两者的差异如下所述。在本实施例的发光装置10k中，第一电极延伸部126 j 2的第一子电极126 j 21、126 j 22覆盖第一电极部126 j I的面积较小，其分别覆盖第一电极部126jl的两个相邻角落，这两个相邻角落分别靠近发光装置10k上表面的两个相邻角落。此外，第二电极延伸部128j2的第二子电极128j21、128j22覆盖第二电极部128jl的面积较小，其分别覆盖第二电极部128jl的两个相邻角落，这两个相邻角落分别靠近发光装置10k上表面的两个相邻角落。在一些实施例中，发光装置10k可以采用异方性导电层来与外部电路电性连接。举例而言，发光装置10k的第一电极(第一电极部126 j I以及第一电极延伸部126k2)以及第二电极(第二电极部128jl以及第二电极延伸部128k2)可以通过异方性导电胶或异方性导电膜来与外部电路电性连接。
[0146]图12A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图，而图12B为沿图12A的线L-L的发光装置覆晶接合至电路板剖面示意图。请参照图12A与图12B，本实施例的发光装置1001类似于图1lA与图1lB的发光装置100k，而两者的差异如下所述。在本实施例的发光装置1001中，第一电极延伸部12612的这些第一子电极126121?126128分为二个第一子电极组1261a、1261b，每一第一子电极组1261a、126 Ib分别包括部分复数个第一子电极。举例而言，如图所不，第一子电极组1261a包括四个第一子电极126121-126124，而第一子电极组1261b包括四个第一子电极126125-126128。此外，第二电极延伸部12812的这些第二子电极128121?128128分为二个第二子电极组1281a、1281b，每一第二子电极组1281a、1281b分别包括部分复数个第二子电极。举例而言，如图所示，第二子电极组1281a包括四个第二子电极128121-128124，而第二子电极组1281b包括四个第二子电极128125-128128。在本实施例中，此二个第一子电极组1261a、1261b分别配置于发光装置1001上表面的二相邻角落，且此二个第二子电极组1281a、1281b分别配置于发光装置1001上表面的另二相邻角落。
[0147]发光装置1001可通过覆晶接合的方式接合于电路板50。举例而言，两个第一子电极组1261a、1261b分别通过两个固化后的锡膏60接合至电路板50上的电极垫52(如图12B所示位于左方的电极垫52)，且两个第二子电极组1281a、1281b分别通过两个固化后的锡膏60接合至电路板50上的电极垫52(如图12B所示位于右方的电极垫52)。由于锡膏60在固化前可填入相邻两子电极间的间隙，因此锡膏60与第一子电极126121-126128的接合力及锡膏60与第二子电极128121-128128的接合力可以被有效地提升，进而提升发光装置1001接合至电路板50的可靠度。在一些实施例中，发光装置1001可以采用异方性导电层来与外部电路电性连接。举例而言，发光装置1001的第一电极(第一电极部126jl以及第一电极延伸部12612)以及第二电极(第二电极部128 jl以及第二电极延伸部12812)可以通过异方性导电胶或异方性导电膜来与外部电路电性连接。
[0148]图13为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图。请参照图13，本实施例的发光装置10m类似于图1OA的发光装置100j，而两者的差异如下所述。在本实施例的发光装置10m中，第一电极延伸部126m2的第一子电极126m21、126m23分别配置于发光装置10m上表面的相邻两角落，而第一子电极126m22配置于第一子电极126m21与第一子电极126m23之间。此外，第二电极延伸部128m2的第二子电极128m21、128m23分别配置于发光装置10m上表面的另二相邻角落，而第二子电极128m22配置于第二子电极128m21与第二子电极128m23之间。
[0149]在本发明的其他实施例中，第一子电极与第二子电极的数量与配置方式也可以是其他各种方式，本发明不以此为限。另外，在一些实施例中，发光装置10m可以采用异方性导电层来与外部电路电性连接。举例而言，发光装置10m的第一电极(第一电极部126 jl以及第一电极延伸部126m2)以及第二电极(第二电极部128jl以及第二电极延伸部128m2)可以通过异方性导电胶或异方性导电膜来与外部电路电性连接。
[0150]图14为本发明的另一实施例的一种发光装置的剖面示意图。请参照图14，本实施例的发光装置10n与图1B的发光装置10a类似，而两者的差异如下所述。在本实施例中，发光装置10n还包括一反射层140η，至少配置于封装体130a的上表面132a上。在本实施例中，至少部分反射层140η配置于第一电极126a与封装体130a的上表面132a之间，且配置于第二电极128a与封装体130a的上表面132a之间。具体而言，反射层140η可配置于第一电极延伸部126a2与封装体130a的上表面132a之间，且配置于第二电极延伸部128a2与封装体130a的上表面132a之间。反射层140η例如为金、铝、银、镍、钛、布拉格反射镜、掺有具高反射率的反射粒子的树脂层(例如硅胶层或环氧树脂层)或其组合。反射层140η可将发光单元120a所发出的光往透光层110的方向反射，以使光较有效率地从透光层110侧出光。当反射层140η是由绝缘材料形成时，反射层140η可连成一片而覆盖整个封装体130a的上表面132a。然而，当反射层140η为导电材质或金属材质时，反射层140η配置于第一电极延伸部126a2下的部分要与反射层140η配置于第二电极延伸部128a2下的部分分开，以避免短路。在一些实施例中，发光装置10n可以采用异方性导电层来与外部电路电性连接。举例而言，发光装置10n的第一电极126a以及第二电极128a可以通过异方性导电胶或异方性导电膜来与外部电路电性连接。
[0151]图15A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图，而图15B为沿图15A的线M-M的发光装置的剖面示意图。请参照图15A与图15B，本实施例的发光装置10p与图6A及图6B的发光装置10f类似，而两者的差异如下所述。在本实施例的发光装置10p中，第一电极126p与第二电极128p由磊晶结构层124上向上延伸而凸出于封装体130a的上表面132a。在本实施例中，第一电极126p与第二电极128p皆不覆盖封装体130a的上表面132a。
[0152]具体而言，第一电极126p的第一电极延伸部126p2位于第一电极部126al上且凸出于封装体130a的上表面132a，第二电极128p的第二电极延伸部128p2位于第二电极部128al上且凸出于封装体130a的上表面132a。在本实施例中，第一电极延伸部126p2与第二电极延伸部128p2皆不覆盖封装体130a的上表面132a，且两者实质上共平面。在其他实施例中，第一电极126p与第二电极128p也可以是由磊晶结构层124上向上延伸而不凸出于封装体130a的上表面132a。举例而言，第一电极延伸部126p2的上表面(即背对磊晶结构层124的表面)、第二电极延伸部128p2的上表面(即背对磊晶结构层124的表面)与封装体130a的上表面132a可以实质上共平面。
[0153]在本实施例中，通过第一电极延伸部126p2与第二电极延伸部128p2使第一电极126p与第二电极128p增高，将有助于固晶接合制程的进行。在一些实施例中，发光装置10p可以采用异方性导电层来与外部电路电性连接。举例而言，发光装置10p的第一电极126p以及第二电极128p可以通过异方性导电胶或异方性导电膜来与外部电路电性连接。
[0154]图16A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视不意图，而图16B为沿图16A的线N-N的发光装置的剖面示意图。本实施例的发光装置10q类似于发光装置ΙΟΟρ，而两者的差异如下所述。在本实施例的发光装置10q中，向上延伸的第一电极延伸部包括多个彼此分离的第一子电极126q2，且向上延伸的第二电极延伸部包括多个彼此分离的第二子电极128q2。在一些实施例中，发光装置10q可以采用异方性导电层来与外部电路电性连接。举例而言，发光装置10q的第一电极(第一电极部126al以及第一子电极126q2)以及第二电极(第二电极部128al以及第二子电极128q2)可以通过异方性导电胶或异方性导电膜来与外部电路电性连接。
[0155]图17A为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图，而图17B为沿图17A的线P-P的发光装置的剖面示意图。请参照图17A与图17B，本实施例的发光装置10r类似于发光装置10q，而两者的差异在于:发光装置10q的第一子电极126q2与第二子电极128q2为层状电极，而本实施例的发光装置10r的第一子电极126r2与第二子电极128r2为球状电极，其可利用植球技术来形成。在一些实施例中，发光装置10r可以采用异方性导电层来与外部电路电性连接。举例而言，发光装置10r的第一电极(第一电极部126al以及第一子电极126r2)以及第二电极(第二电极部128al以及第二子电极128r2)可以通过异方性导电胶或异方性导电膜来与外部电路电性连接。
[0156]图18A为本发明的一实施例采图1B的发光装置覆晶接合至电路板的剖面示意图，而图18B为图18A中区域Ml的局部放大图。请参照图18A与图18B，发光装置10a可通过覆晶接合的方式接合于电路板50。举例而言，第一电极延伸部126a2与第二电极延伸部128a2分别通过两个固化后的锡膏60接合至电路板50上的两个电极垫52。
[0157]在本实施例中，第一电极延伸部126a2与第二电极延伸部128a2各包括一接着层LI及一配置于接着层LI与封装体130a之间的阻障层L2。接着层的材质包括金、锡、铝、银、铜、铟、铋、铂、金锡合金、锡银合金、锡银铜合金(SAC alloy)或其组合，且阻障层的材质包括镍、钛、鎢、金或其组合的合金。接着层LI有利于与锡膏60接合，而阻障层L2可有效避免锡膏60的材料在接合制程中侵入封装体130a而污染了发光装置100a。
[0158]在本实施例中，第一电极延伸部126a2与第二电极延伸部128a2各还包括一反射层L3，至少配置于阻障层L2与封装体130a之间。反射层L3可反射来自磊晶结构层124的光，以提升光利用率。在本实施例中，反射层L3的材质包括金、铝、银、镍、钛或其组合的合金。
[0159]图18C为本发明的另一实施例采图1B的发光装置覆晶接合至电路板的剖面示意图，请参照图18C，发光装置10a可通过覆晶接合的方式接合于电路板50，而形成发光装置200a。在本实施例中，发光装置200a包括电路板50、发光装置10a以及异方性导电层150。具体而言，发光装置10a的第一电极126a以及第二电极128a通过异方性导电层150接合至电路板50上，且第一电极126a以及第二电极128a与电路板50上的电极垫52电性连接。
[0160]在本实施例中，异方性导电层150包括一绝缘胶体152以及分散于绝缘胶体152的多个导电体154。具体而言，异方性导电层150可以是异方性导电胶(An isotropicConductive Adhesive，简称ACA)、异方性导电膜(Anisotropic Conductive Film,简称ACF)或是其他同时具备导电与粘合功能的材料，本发明并不以此为限。在本实施例中，异方性导电层150例如是异方性导电胶。通过对异方性导电层150于第一电极126a与对应的电极垫52之间的对应位置加压或加热，可以使得这些导电体154相连接并且接触第一电极126a与对应的电极垫52，进而使第一电极126a与对应的电极垫52电性连接。另外，通过对异方性导电层150于第二电极128a与对应的电极垫52之间的对应位置加压或加热，可以使第二电极128a与对应的电极垫52电性连接。在本实施例中，在异方性导电层150未加压或加热的位置上，这些导电体154是无法电性连接的，使得发光装置200a在水平方向不易发生短路。
[0161]图19A至19D为本发明的一实施例的发光装置的制作过程的示意图，请先参考图19A。在本实施例中，发光装置的制造方法包括提供电路板50a。电路板50a包括多个电极垫52a以及连接这些电极垫52a的电路结构(未示出)。具体而言，电路板50a可以是印刷电路板(printed circuit board,简称PCB)、次粘着基台(Submount)、金属芯印刷电路板(metalcore printed circuit board，简称MCPCB)或其他具有导电线路的承载板，本发明并不以此为限。接着，提供发光单元120 j。发光单元120 j包括磊晶结构层124a以及配置于磊晶结构层124a上的第一电极126q以及第二电极128q。在本实施例中，磊晶结构层124a为半导体磊晶结构层。第一电极126q以及第二电极128q分别配置于磊晶结构层124a的同一侧上。具体而言，发光单元120 j还包括基板122a。磊晶结构层124a配置于基板122a上，且第一电极126q以及第二电极128q配置于磊晶结构层124a远离基板122a的一侧上。之后，以异方性导电层150’贴附电路板50a与发光单元120 j。具体而言，可以将异方性导电层150’贴附电路板50a上且覆盖第一电极126q以及第二电极128q预定接合的电极垫52a位置。在一些实施例中，也可以将异方性导电层150’贴附发光单元52a靠近电路板50a的一侧表面上。具体而言，可以将异方性导电层150’覆盖第一电极126q以及第二电极128q。在本实施例中，异方性导电层150 ’包括绝缘胶体152 ’以及分散于绝缘胶体152 ’的多个导电体154’。
[0162]接着请参考图19A以及图19B。在本实施例中，发光装置的制造方法还包括使第一电极126q以及第二电极128q对位这些电极垫52a。具体而言，使发光单元120 j配置于异方性导电层150’上，第一电极126q对位于一电极垫52a，且第二电极128q对位于另一电极垫52a。接着，对异方性导电层150’进行一处理，使第一电极126q以及第二电极128q与这些电极垫52a电性连接。在本实施例中，此处理包括对异方性导电层150’对应于第一电极126q以及第二电极128q的部分加压或加热而形成经处理过的异方性导电层150”。具体而言，经处理过的异方性导电层150”对应于第一电极126q以及第二电极128q的部分分别电性连接至第一电极126q以及第二电极128q。
[0163]接着请参考图19C以及图19D。在本实施例中，发光装置的制造方法还包括使第一电极126q以及第二电极128q与这些电极垫52a电性连接后，移除基板122a，以形成发光装置200b。在本实施例中，移除基板122a的方法包括利用雷射剥离法(laser lift-off)，以雷射光束LL移除基板122a。在本实施例中，通过发光装置的制造方法得以将发光二极管磊晶薄膜直接接合至外部电路。然而，在一些实施例中，也可以通过本实施例之发光装置的制造方法将发光装置 100a、100b、100c、10cU 100e、10f、100g、100h、101、10j、100k、1001、100m、100n、100p、100q、100r或是其他形式的发光二极管封装接合至外部电路，本发明并不以此为限。
[0164]在本实施例中，发光装置200b的第一电极126q以及第二电极128q通过异方性导电层150”接合至电路板50a上，且第一电极126q以及第二电极128q通过异方性导电层150”与电路板50a上的电极垫52a电性连接。由于异方性导电层150”不会因加压或加热而产生如焊锡经加热而产生的流动性，因此发光装置200b不易在水平方向上发生短路或是漏电。另外，异方性导电层150”提供较一般焊锡好的缓冲能力，举例而言，在本实施例中，使第一电极126q以及第二电极128q与这些电极垫52a电性连接后，还利用雷射光束LL移除基板122a。具体而言，异方性导电层150”于雷射光束LL加工的过程中得以轻微形变，而至少缓冲磊晶结构层124a、第一电极126q以及第二电极128q，使得缓冲磊晶结构层124a、第一电极126q以及第二电极128q不会在加工的过程中损坏。因此，发光装置200b的良率得以提升。
[0165]图20为本发明的一实施例的发光装置的制造方法的步骤流程图，请参考图20。所述发光装置的制造方法至少例如是应用在图18C的发光装置200a、图19A至19D的发光装置200b 以及应用于使图1A 至 17B 的发光装置 100a、100b、100c、10cU 10e、10f、100g、10h、101、10j、100k、1001、100m、100n、100p、100q、10r。所述发光装置的制造方法如下步骤。在步骤SlOO中，提供包括多个电极垫的电路板。接着，在步骤S200中，提供发光单元。发光单元包括半导体磊晶结构层以及配置于半导体磊晶结构层上的第一电极以及第二电极。之后，在步骤S300中，以异方性导电层贴附电路板与发光单元。在步骤S400中，使第一电极以及第二电极对位这些电极垫。之后在步骤S500中，对异方性导电层进行处理，使第一电极以及第二电极与这些电极垫电性连接。
[0166]另外，本发明的实施例的发光装置的制造方法可以由图1A至图18C实施例之叙述中获致足够的教示、建议与实施说明，因此不再赘述。
[0167]综上所述，由于本发明的发光单元的第一电极与第二电极是从半导体磊晶结构层上向外延伸并覆盖于封装体上，也就是说，本发明的发光装置可具有较大的电极面积，且当后续欲组装至一外部电路上时，也可有效提高组装时的对位精准度。由于本发明的一实施例的发光单元的第一电极与第二电极是从半导体磊晶结构层上向上延伸而凸出于封装体，因此有利于后续的固晶接合制程。另外，本发明实施例的发光装置中发光单元的第一电极以及第二电极通过异方性导电层与这些电极垫电性连接。因此，发光装置不易在水平方向上发生短路或是漏电，且发光装置的良率佳。此外，本发明实施例的发光装置的制造方法包括以异方性导电层贴附电路板与发光单元，以及对异方性导电层进行处理，使第一电极以及第二电极与这些电极垫电性连接。因此，发光装置的制造方法所制作的发光装置不易在水平方向上发生短路或是漏电，且其良率佳。
[0168]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
【主权项】
1.一种发光装置，其特征在于，包括: 一电路板，包括多个电极垫； 一发光单元，包括一半导体嘉晶结构层、一第一电极以及一第二电极，所述第一电极以及所述第二电极分别配置于所述半导体磊晶结构层的同一侧上；以及 一异方性导电层，所述第一电极以及所述第二电极通过所述异方性导电层与该些电极垫电性连接。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光单元还包括一基板，所述半导体磊晶结构层配置于所述基板上，且所述第一电极以及所述第二电极配置于所述半导体磊晶结构层远离所述基板的一侧上。3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括一透光层，所述发光单元配置于所述透光层上，所述发光单元配置于所述透光层与所述第一电极之间，且配置于所述透光层与所述第二电极之间。4.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括: 提供包括多个电极垫的一电路板； 提供一发光单元，所述发光单元包括一半导体磊晶结构层以及配置于所述半导体磊晶结构层上的一第一电极以及一第二电极； 以一异方性导电层贴附所述电路板或所述发光单元； 使所述第一电极以及所述第二电极对位该些电极垫；以及 对所述异方性导电层进行一处理，使所述第一电极以及所述第二电极与该些电极垫电性连接。5.根据权利要求4所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述处理包括对所述异方性导电层对应于所述第一电极以及所述第二电极的部分加压，使所述异方性导电层对应于所述第一电极以及所述第二电极的部分分别电性连接至所述第一电极以及所述第二电极。6.根据权利要求4所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述处理包括对所述异方性导电层对应于所述第一电极以及所述第二电极的部分加热，使所述异方性导电层对应于所述第一电极以及所述第二电极的部分分别电性连接至所述第一电极以及所述第二电极。7.一种发光装置，其特征在于，包括: 一电路板； 一发光单元，包括: 一基板； 一半导体磊晶结构层，配置于所述基板上；以及 一第一电极与第二电极，分别配置于所述半导体磊晶结构层的同一侧上； 一透光层，所述发光单元配置于所述透光层上； 一封装体，位于所述透光层与所述发光单元之间且封装所述发光单元并至少曝露部分所述第一电极及部分所述第二电极，所述第一电极与所述第二电极分别由所述半导体磊晶结构层上向外延伸且分别覆盖至少所述封装体的部分上表面；以及 一异方性导电层，所述第一电极以及所述第二电极通过所述异方性导电层与所述电路板电性连接。8.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述异方性导电层包括一绝缘胶体以及分散于所述绝缘胶体的多个导电体。9.一种发光装置，其特征在于，包括: 一电路板； 一发光单元，包括: 一基板； 一半导体磊晶结构层，配置于所述基板上； 一第一电极及一第二电极，配置于所述半导体磊晶结构层的同一侧上； 一封装体，封装所述发光单元并至少曝露部分所述第一电极及部分所述第二电极，所述第一电极与所述第二电极分别由所述半导体磊晶结构层上向上延伸且分别不覆盖所述封装体的一上表面；以及 一异方性导电层，所述第一电极以及所述第二电极通过所述异方性导电层与所述电路板电性连接。10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，所述异方性导电层包括一绝缘胶体以及分散于所述绝缘胶体的多个导电体。11.一种发光装置，其特征在于，包括: 一电路板； 一发光单元，包括 一基板； 一半导体磊晶结构层，配置于所述基板上；以及 一第一电极与一第二电极，分别配置于所述半导体磊晶结构层的同一侧上； 一封装体，封装所述发光单元并至少曝露部分所述第一电极及部分所述第二电极，所述第一电极与所述第二电极分别由所述半导体磊晶结构层上向外延伸且分别覆盖至少所述封装体的部分上表面；以及 一异方性导电层，所述第一电极以及所述第二电极通过所述异方性导电层与所述电路板电性连接。12.根据权利要求11所述的发光装置，其特征在于，所述异方性导电层包括一绝缘胶体以及分散于所述绝缘胶体的多个导电体。13.一种发光装置，其特征在于，包括: 一电路板； 一发光单元，包括 一基板； 一半导体磊晶结构层，配置于所述基板上；以及 一第一电极与一第二电极，分别配置于所述半导体磊晶结构层的同一侧上； 一透光层，所述发光单元配置于所述透光层上； 一封装体，位于所述透光层与所述发光单元之间且封装所述发光单元并至少曝露部分所述第一电极及部分所述第二电极，所述第一电极与所述第二电极分别由所述半导体磊晶结构层向上延伸而不覆盖所述封装体的一上表面；以及 一异方性导电层，所述第一电极以及所述第二电极通过所述异方性导电层与所述电路板电性连接。14.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于，所述异方性导电层包括一绝缘胶体以及分散于所述绝缘胶体的多个导电体。
【文档编号】H01L33/54GK105895769SQ201610089250
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年2月17日
【发明人】丁绍滢, 黄靖恩, 黄逸儒, 黄冠杰
【申请人】新世纪光电股份有限公司