发光单元、发光装置及发光单元的制造方法
【技术领域】
[0001 ]本发明的实施方式涉及发光单元、发光装置及发光单元的制造方法。
【背景技术】
[0002]近年来，用于减少能量消耗量的措施得到重视。在这样的背景下，耗电较少的LED(Light Emitting D1de)作为下一代光源受到关注。LED体积小且发热量少，响应性也很好。因此，LED被广泛应用于室内用、室外用、固定设置用、移动用等的显示装置、显示用灯、各种开关类、信号装置、一般照明等光学装置。
[0003]以往，将这种LED安装到布线板时，一直使用线接合法。但是，线接合法并不适于将LED芯片安装到柔性基板等具有挠性的材料。于是，提出了各种不使用线接合法来安装LED芯片的技术。
[0004]在这样的模块中，LED芯片配置在形成有透明电极的I组透明薄片之间。在这种模块中，需要确保模块的透明性及挠性，并且有效地向LED芯片供电。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:特开2012-084855号公报
【发明内容】
[0008]发明所要解决的技术课题
[0009]本发明是鉴于上述情况而做出的，其课题在于，实现模块的透明性及挠性，并且有效地供电。
[0010]解决课题所采用的技术手段
[0011]为了解决上述课题，本实施方式的发光单元具有，第I绝缘薄片，例如相对于可见光具有透射性;第2绝缘薄片，与所述第I绝缘薄片对置地配置;多个导体图案，例如由相对于可见光具有透射性的导体图案构成，形成在所述第I绝缘薄片和所述第2绝缘薄片中的至少一方的表面上;多个第I发光元件，与所述多个导体图案中的任2个导体图案连接;以及树脂层，配置在所述第I绝缘薄片与所述第2绝缘薄片之间，保持所述第I发光元件。
[0012]根据本实施方式，能够提供具有对光的透射性或者挠性的发光单元。
【附图说明】
[0013]图1是发光单元的立体图。
[0014]图2是发光单元的展开立体图。
[0015]图3是发光面板的侧面图。
[0016]图4是发光单元的平面图。
[0017]图5是发光元件的立体图。
[0018]图6是表示与导体图案连接的发光元件的图。
[0019]图7是表示与导体图案连接的发光元件的情形的图。
[0020]图8是柔性缆线的侧面图。
[0021 ]图9是用于说明发光面板和柔性缆线的连接要领的图。
[0022]图10是用于说明导体图案的制造要领的图。
[0023]图11是用于说明导体图案的制造要领的图。
[0024]图12是用于说明导体图案的制造要领的图。
[0025]图13是用于说明导体图案的制造要领的图。
[0026]图14是用于说明导体图案的制造要领的图。
[0027]图15是用于说明导体图案的制造要领的图。
[0028]图16是用于说明发光面板的制造要领的图。
[0029]图17是用于说明发光面板的制造要领的图。
[0030]图18是具备发光单元的发光装置的框图。
[0031]图19是表示导体图案的变形例的图。
[0032]图20是表示发光面板的变形例的图。
[0033]图21是表示发光单元的变形例的图。
[0034]图22是表示发光单元的变形例的图。
[0035]图23是表示发光面板的变形例的图。
[0036]图24是表不发光面板的变形例的图。
[0037]图25是表不发光面板的变形例的图。
[0038]图26是表不发光面板的变形例的图。
[0039]图27是发光元件的侧面图。
[0040]图28是透明薄片的立体图。
[0041 ]图29是发光面板的侧面图。
[0042]图30是表不发光面板的变形例的图。
[0043]图31是表不发光面板的变形例的图。
[0044]图32是表不发光面板的变形例的图。
[0045]图33A是用于说明导体图案的制造要领的图。
[0046]图33B是用于说明导体图案的制造要领的图。
[0047]图34A是用于说明导体图案的制造要领的图。
[0048]图34B是用于说明导体图案的制造要领的图。
[0049]图35是发光单元的平面图。
[0050]图36是用于说明导体图案的制造要领的图。
[0051]图37是用于说明导体图案的制造要领的图。
[0052]图38是用于说明导体图案的制造要领的图。
[0053]图39是用于说明导体图案的制造要领的图。
[0054]图40是用于说明本实施方式的效果的图。
[0055]图41是用于说明本实施方式的效果的图。
[0056]图42是表不发光面板的变形例的图。
[0057]图43是表不发光面板的变形例的图。
[0058]图44是表不发光面板的变形例的图。
[0059]图45是表不发光面板的变形例的图。
[0060 ]图46是用于说明导体图案的制造要领的图。
[0061]图47是用于说明导体图案的制造要领的图。
[0062]图48是用于说明导体图案的制造要领的图。
[0063 ]图49是用于说明导体图案的制造要领的图。
[0064]图50是用于说明导体图案的制造要领的图。
[0065]图51是用于说明导体图案的制造要领的图。
[ΟΟ??]图52是表不发光面板的变形例的图。
[0067]图53是表不发光面板的变形例的图。
[0068]图54是表示与构成导体图案的薄膜导体的线宽和间距对应的透射率的对应表的图。
【具体实施方式】
[0069]《第i实施方式》
[0070]以下使用【附图说明】本发明的第I实施方式。在说明中，使用由相互正交的X轴、Y轴、Z轴构成的XYZ坐标系。
[0071 ]图1是本实施方式的发光单元10的立体图。此外，图2是发光单元10的展开立体图。参照图1及图2可知，发光单元10具有发光面板20、柔性缆线40、连接器50、加强板60。
[0072]图3是发光面板20的侧面图。如图3所示，发光面板20具有I组透明薄片21、22、形成在透明薄片21、22之间的树脂层24、配置在树脂层24的内部的8个发光元件3(^-30^
[0073]透明薄片21、22是以长边方向为X轴方向的长方形的薄片。透明薄片21的厚度为50?300μπι左右，相对于可见光具有透射性。透明薄片21的总光线透射率优选为5?95 %左右。另外，总光线透射率指的是依据日本工业标准JISK7375: 2008而测定的总光透射率。
[0074]透明薄片21、22具有挠性，其弯曲弹性率为O?320kgf/mm2左右。另外，弯曲弹性率是通过依据于IS0178(JISK7171:2008)的方法测定出的值。
[0075]作为透明薄片21、22的素材，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚丁二酸乙二醇酯(PES)、ART0N、丙烯酸树脂等。
[0076]在上述I组透明薄片21、22中的透明薄片21的下表面(图3中的一Z侧的面)形成有厚度为0.05μηι?2μηι左右的导体层23。
[0077]图4是发光单元10的平面图。参照图3及图4可知，导体层23由沿着透明薄片21的+Y侧外缘形成的L字状的导体图案23a、以及沿着透明薄片21的一Y侧的外缘排列的长方形的导体图案23b?23i构成。导体图案23a?23i是由铜(Cu)或银(Ag)等金属材料构成的导体图案。此外，在发光单元10中，导体图案23a?23i彼此的距离D约为ΙΟΟμπι以下。透明薄片21被由狭缝划分的导体图案23a?23i整面地覆盖。由此，能够实现低电阻化。此外，导体图案23a的L字状的部分构成折返部分。
[0078]在发光单元10中，透明薄片22与透明薄片21相比，X轴方向的长度更短。因此，参照图3可知，构成导体层23的导体图案23a和导体图案23i的+X侧端成为露出的状态。
[0079]树脂层24形成在透明薄片21、22之间。树脂层24相对于可见光具有透射性。
[0080]维卡软化温度下的树脂层24的拉伸储能模量为0.1MPa以上。此外，树脂层24的熔解温度优选为180°C以上、或者比维卡软化温度高40°C以上。并且，树脂层24的玻璃转移温度优选为一 20°C以下。作为树脂层24所使用的弹性体，可以想到丙烯酸系弹性体、烯烃系弹性体、苯乙烯系弹性体、酯系弹性体、聚氨酯系弹性体等。此外，关于树脂层24，维卡软化温度处于80°〇以上160°〇以下的范围，0°〇?100°〇之间的拉伸储能模量处于0.016?&以上1GPa以下的范围。
[0081]发光元件3(h是正方形的LED芯片。如图5所示，发光元件3(h是由衬底基板31、N型半导体层32、活性层33、P型半导体层34构成的4层构造的LED芯片。发光元件3(h的额定电压约为2.5V。
[0082]衬底基板31是蓝宝石基板或半导体基板。在衬底基板31的上表面，形成有与该衬底基板31同形状的N型半导体层32。并且，在N型半导体层32的上表面，依次层积着活性层33、P型半导体层34。层积在N型半导体层32上的活性层33及P型半导体层34，在一 Y侧且一 X侧的角落部分形成有切口，N型半导体层的表面露出。作为N型半导体层32、活性层33、P型半导体层34，例如使用化合物半导体。
[0083]在N型半导体层32的从活性层33和P型半导体层34露出的部分，形成有与N型半导体层32电连接的焊盘36。此外，在P型半导体层34的+X侧且+Y侧的角落部分，形成有与P型半导体层34电连接的焊盘35。焊盘35、36由铜(Cu)、金(Au)构成，在上表面形成具有导电性的凸起37、38。凸起37、38由金(Au)或金合金等的金属凸起构成，并整形为半球状。作为金属凸起，可以使用金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、AuSn等或者这些金属的合金。也可以取代金属凸起而使用焊锡凸起。在发光元件30中，凸起37作为阴电极起作用，凸起38作为阳电极起作用。
[0084]如上述那样构成的发光元件3(h如图6所示，配置在导体图案23a、23b之间，凸起37与导体图案23a连接，凸起38与导体图案23b连接。
[0085]图7是表示与导体图案23a、23b连接的发光元件30!的情形的图。参照图7可知，导体图案23a?23i由线宽dl约为ΙΟμπι的薄膜导体构成，薄膜导