一种发光元件及其制作方法
【专利摘要】本发明公开一种发光元件及其制作方法，发光元件包括：一基板；一第一电极，形成于所述基板上；一发光结构，形成于所述第一电极上，所述发光结构包含一第一非本征半导体层、一第二非本征半导体层、及一介于所述第一非本征半导体层与所述第二非本征半导体层之间的主动层；一第一绝缘层，形成于所述发光结构的侧壁上；以及一第二电极，连接所述第一非本征半导体层；其中，所述第一电极包含一形成于所述第一绝缘层侧壁上的第一分支、一形成于所述第一绝缘层下的第二分支、及一形成于所述第二非本征半导体层边缘的第三分支。
【专利说明】一种发光元件及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明是关于一种发光元件技术，特别是一种未具有遮光电极的发光元件。
【背景技术】
[0002]发光二极管元件(LED)已发展成为绿色光源的关键技术，并逐渐应用于照明科技领域，有机会取代传统的光源产品。发光二极管元件依照结构可分成水平式及垂直式两种，其皆具有表面电极遮光的问题，而影响发光二极管的光输出效率及其发光形状或光型。此夕卜，对于传统采用金属基板的发光二极管元件，当进行晶粒接合及晶粒切割时，常会遭遇元件漏电或良率不高的问题。
[0003]为解决上述发光二极管元件的问题，有人提出覆晶型的发光元件结构及制作方法，但却会因为背面对位产生工艺难度高的新问题，且须使用低反射率材料的金属球作为接合面导电材质，以致影响发光元件的反射机制，造成亮度损失。因此，有必要发展新的发光二极管元件结构以对治及改善。
【发明内容】
[0004]为达成此目的，本发明提供一种发光元件及其制作方法，以解决上述现有技术中所存在的问题，
[0005]根据本发明的一方面，一实施例提供一种发光兀件，其包括:一基板；一第一电极，形成于所述基板上；一发光结构，形成于所述第一电极上，所述发光结构包含一第一非本征半导体层、一第二非本征半导体层、及一介于所述第一非本征半导体层与所述第二非本征半导体层之间的主动层；一第一绝缘层，形成于所述发光结构的侧壁上；以及一第二电极，连接所述第一非本征半导体层；其中，所述第一电极包含一形成于所述第一绝缘层侧壁上的第一分支、一形成于所述第一绝缘层下的第二分支、及一形成于所述第二非本征半导体层边缘的第三分支。此外，所述第一电极可进一步包括一形成于所述第二非本征半导体层下的导电材料层。
[0006]在本发明的另一方面，另一实施例提供一种制作发光元件的方法，其包括:提供一第一基板，其上侧面具有一绝缘层；提供一发光结构，其形成于一第二基板上，所述发光结构包含一第一非本征半导体层、一主动层、及一第二非本征半导体层；形成一电极层于所述半导体结构上；对所述电极层及所述发光结构进行台面蚀刻，以定义出所述发光元件的发光区域图案，并外露出部分的所述第一非本征半导体层；形成一第一电极垫于所述第一非本征半导体层的所述外露部分上及一第二电极垫于所述电极层的边缘上；形成一保护层于上述被台面蚀刻的所述电极层及所述发光结构的侧壁；形成一导电部于所述保护层的侧壁上，并连接所述导电部与所述第二电极垫；将具有所述发光结构的所述第二基板翻覆，并通过一粘着剂而与所述第一基板面对面粘贴在一起；移除所述第二基板；以及对所述发光结构进行图案化处理，以外露出所述第一电极垫及所述导电部。
[0007]通过如上所述的发光元件制作方法，所述发光元件的电极及其接线布局或结构设计将可改善现有发光二极管的表面电极遮去其发光面的问题，因而所述发光元件的发光效率高，且其输出光型不会受到电极配置的影响。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1为根据本发明实施例的发光元件的剖面结构图；
[0009]图2为根据本发明另一实施例的发光元件的剖面结构图；
[0010]图3至12为根据本发明实施例的发光元件的制作流程所对应的元件剖面图。
[0011]附图标记说明:
[0012]100/200-发光元件；110-基板；112_硅基板；114_反射层；116_第二绝缘层；120-第一电极层；121-第一分支；122_第二分支；123_第三分支；124_导电材料层；130-发光结构；132_第一非本征半导体层；134-主动层；136-第二非本征半导体层；138-本征半导体层；140_第一绝缘层；150_第二电极层；160/260_粘胶层；171/172_粗糙结构；310_第二基板；320-电极层；330-发光结构；331_本征氮化镓层；332_n型氮化镓层；333_主动层；334-p型氮化镓层；340_保护层；351_第一电极垫；352_第二电极垫；360-导电部；361_第一支部；362_第二支部；363_第三支部；370_粘胶层；380_第一基板；381-硅基板；382-反射层；383_绝缘层。
【具体实施方式】
[0013]为使贵审查委员能对本发明的特征、目的及功能有更进一步的认知与了解，兹配合图式详细说明本发明的实施例如后。在所有的说明书及图示中，将采用相同的元件编号以指定相同或类似的元件。
[0014]在本发明的实施例说明中，对于一元素被描述是在另一元素的「上面/上」或「下面/下」，是指直接地或间接地在所述元素的上或下的情况，而包含设置于其间的其他元素。为了说明上的便利和明确，图式中各膜层的厚度或尺寸，是以夸张或省略或概略的方式表示，且各构成要素的尺寸并未完全为其实际的尺寸。
[0015]图1为根据本发明实施例的发光元件的剖面结构图。如图1所示，所述发光元件100包含一基板110、一第一电极层120、一发光结构130、一第一绝缘层140、及一第二电极层150。所述基板110可承载所述发光元件100，并用以散去所述发光结构130产生的热。所述发光结构130可具有一第一非本征半导体层132(Extrinsic Semiconductor)、一主动层134、及一第二非本征半导体层136，作为所述发光元件100的发光主体。所述第一绝缘层140可形成于所述发光结构130的侧壁上。所述第一电极120邻近于所述基板110，并位于所述第一绝缘层140的侧壁及所述发光结构130的边缘。所述第一电极120电性连接所述发光结构130的所述第二非本征半导体层136，而所述第二电极150电性连接所述发光结构130的所述第一非本征半导体层。以下将分别详述所述发光元件100的各个组成部分以及之间的连接关系。
[0016]所述基板110可以是高导热性材料组成的基板，用以承载所述发光元件100，并用以散去所述发光结构130产生的热。在本实施例中，所述基板110为硅基板。在另外的实施例中，所述基板110亦可选用氧化招板(Sapphire)或金属基板(Metal Foil),且所述基板110的表面可形成一绝缘的保护层(未图示)，用以使所述基板110与所述第一电极120之间形成电性隔离。此外，所述基板110的表面亦可形成一反射性的镜面层，用以将所述发光结构130发出的下射光朝向所述发光元件100的正面反射，由此可增加所述发光元件100的发光效率。
[0017]所述发光结构130作为所述发光兀件100的发光主体,基本上为一发光二极管(LED)，其具有多个半导体层；例如，掺杂三五族元素的半导体。其中，所述发光二极管可以是发出各色光的发光二极管，例如，蓝光、绿光、红光、及紫外线。如图1所示，所述发光结构130可以是所述第二非本征半导体层136、所述主动层134、及所述第一非本征半导体层132依序堆叠的多层结构。所述第一非本征半导体层132可以是P型的半导体层，则所述第二非本征半导体层136为η型的半导体层；或反之，所述第一非本征半导体层132可以是η型的半导体层，则所述第二非本征半导体层136为P型的半导体层。所述第一非本征半导体层132与所述第二非本征半导体层136所掺杂的杂质浓度可以是相同或不同的。所述发光结构130的各层可以是多样的结构，可搭配导电载子能阶的特殊设计，本发明并不对此结构加以限制。
[0018]来自所述第一非本征半导体层132及所述第二非本征半导体层136的电子及电洞可被驱入所述主动层134中，电子电洞复合过程所产生的能量会以光的形式释放出能量。在本实施例中，所述主动层134具有多重量子井(Multi Quantum Well1MQff)的结构，所述第一非本征半导体层132的组成材料为η型氮化镓(n-GaN)，且所述第二非本征半导体层136的组成材料为P型氮化镓(p-GaN)。但不以此为限，所述发光结构130亦可以其他的半导体材料或结构来制造。
[0019]为了解决现有发光二极管的表面电极遮到发光面而致减损其发光效率的问题，本发明的发光兀件将上述的表面电极埋藏于发光结构的下方，并将表面电极经由发光结构的侧壁向上延伸至发光结构的发光面之外。本实施例是以所述第一电极120作为上述的表面电极，而为了所述第一电极120与所述发光结构130之间的电性隔离，所述第一绝缘层140可以光微影蚀刻技术及干式蚀刻技术而形成于所述发光结构130的侧壁上，其厚度约介于
1.5 μ m与2 μ m之间，以提供足够的电性绝缘。
[0020]如上所述，本实施例的所述第一电极120用以将发光二极管的表面电极移至所述发光二极管的背面或侧面，使得电极的设置不影响到所述发光元件的发光面。因此，所述第一电极120邻近于所述基板110，并形成于发光结构130侧壁上的所述第一绝缘层140而延伸至所述发光结构130的发光面之外。如图1所示，所述第一电极120包含一形成于所述第一绝缘层140侧壁上的第一分支121、一形成于所述第一绝缘层140下的第二分支122、及一形成于所述第二非本征半导体层136边缘的第三分支123，且所述第一分支121、第二分支122、及第三分支123彼此电性连接。由此，被埋藏于发光结构下方的表面电极将可经由所述第一电极120而引导至所述发光元件100的表面，以进行后续的导线连接。
[0021]所述第二电极150连接所述发光结构130的侧面边缘，以作为所述发光元件100的另一电极。在本实施例中，所述第一电极120电性连接所述发光结构130的所述第二非本征半导体层136，而所述第二电极150电性连接所述发光结构130的所述第一非本征半导体层132，且所述第一电极120与所述第二非本征半导体层136之间以及所述第二电极150与所述第一非本征半导体层132之间分别形成欧姆接触。
[0022]在本实施例中，所述基板110与所述发光结构130可以不同的工艺分别制备；换言之，所述发光结构130并非于所述基板110上进行半导体工艺而形成，而是将已制作好的所述发光结构130面对面粘贴于所述基板110。因此，所述粘胶层160可形成于所述基板110与所述发光结构130之间，用以将所述发光结构130粘贴于所述基板110上。此外，所述粘胶层160的组成材料具有良好的导热性及电绝缘性，用以将所述发光结构130产生的热传递给所述基板110。
[0023]通过如上所述所述第一电极120及所述第二电极150于所述发光元件100中的布局或结构设计，将可改善现有发光二极管的表面电极遮去其发光面的问题，因而所述发光元件100的发光效率高，且其输出光型不会受到电极配置的影响。
[0024]图2为根据本发明另一实施例的发光元件的剖面结构图。如图2所示，所述发光元件200包含一基板110、一粘胶层260、一第一电极层120、一发光结构130、一第一绝缘层140、及一第二电极层150。所述基板110可承载所述发光元件200，并用以散去所述发光结构130产生的热。所述发光结构130可具有一第一非本征半导体层132、一主动层134、一第二非本征半导体层136、及一本征半导体层138,作为所述发光兀件200的发光主体。所述粘胶层260形成于所述基板110与所述发光结构130之间，用以将所述发光结构130粘贴于所述基板110上。所述第一绝缘层140可形成于所述发光结构130的侧壁上。所述第一电极120形成于所述基板110上，特别地，并同时亦位于所述第一绝缘层140的侧壁及所述发光结构130的下面。所述第一电极120电性连接所述发光结构130的所述第二非本征半导体层136，而所述第二电极150电性连接所述发光结构130的所述第一非本征半导体层。以下将分别详述所述发光元件200的各个组成部分以及之间的连接关系。
[0025]所述基板110可以是高导热性材料组成的基板，用以承载所述发光元件200，并用以散去所述发光结构130产生的热。在本实施例中，所述基板110包含一娃基板112,—反射层114、及一第二绝缘层116。其中，所述硅基板110亦可以氧化铝板或金属基板来取代；所述反射层114可具有全方位反射镜的功能且设置于所述硅基板110上，用以将所述发光结构130发出的下射光朝向所述发光元件200的正面反射，由此可增加所述发光元件200的发光效率；所述第二绝缘层116可设置于所述反射层114上，例如，二氧化硅或氮化硅(SiNx)，用以使所述基板110与所述第一电极120之间形成电性隔离。此外，可调整所述第二绝缘层116的厚度，由干涉效应以提高所述反射层114的反射效果。
[0026]所述发光结构130作为所述发光兀件200的发光主体,基本上为一发光二极管(LED)，其具有多个复合物半导体层；例如，掺杂三五族元素的半导体。其中，所述发光二极管可以是发出各色光的发光二极管，例如，蓝光、绿光、红光、及紫外线。如图2所示，所述发光结构130可以是所述第二非本征半导体层136、所述主动层134、所述第一非本征半导体层132、及所述本征半导体层138依序堆叠的多层结构。所述本征半导体层138设置于所述发光结构130的最上层，而作为所述发光元件200的表面保护之用。所述本征半导体层138的组成材料可以与所述第一非本征半导体层132相同，但是其导电性低于所述第一非本征半导体层132，这是因为所述本征半导体层138并没有η型杂质掺杂于其中。
[0027]所述第一非本征半导体层132可以是P型的半导体层，则所述第二非本征半导体层136为η型的半导体层；或反之，所述第一非本征半导体层132可以是η型的半导体层，则所述第二非本征半导体层136为P型的半导体层。所述第一非本征半导体层132与所述第二非本征半导体层136所掺杂的杂质浓度可以是相同或不同的。所述发光结构130的各层可以是多样的结构，本发明并不对此结构加以限制。此外，所述发光结构的上表面及下表面可形成粗糙结构171 ;换言之，所述本征半导体层138可具有粗糙的上表面结构，而所述第二非本征半导体层136可具有粗糙的下表面结构，其为所述发光结构130被粗糙化处理后的不平坦或凹凸的表面形状，用以增加光的提取效率。
[0028]来自所述第一非本征半导体层132及所述第二非本征半导体层136的电子及电洞可被驱入所述主动层134中，电子电洞复合过程所产生的能量会以光的能量形式释放出而发光。在本实施例中，所述主动层134具有多重量子井(Multi Quantum Well1MQff)的结构，所述第一非本征半导体层132的组成材料为P型氮化镓(P-GaN)，且所述第二非本征半导体层136的组成材料为η型氮化镓(n-GaN)。但不以此为限，所述发光结构130亦可以其他的半导体材料或结构来制造。
[0029]为了解决现有发光二极管的表面电极遮到发光面而致减损其发光效率的问题，本发明的发光兀件将上述的表面电极埋藏于发光结构的下方，并将表面电极经由发光结构的侧壁而向上延伸至发光结构的发光面之外。本实施例是以所述第一电极120作为上述的表面电极，而为了所述第一电极120与所述发光结构130之间的电性隔离，所述第一绝缘层140可光微影蚀刻技术及干式蚀刻技术而形成于所述发光结构130的侧壁上，其厚度约介于1.5 μ m与2 μ m之间，以提供足够的电性绝缘。此外，在实际的蚀刻工艺制作上，所述第一绝缘层140可能形成于如图2所示的梯形形状，其上半部的横截面积大于其下半部的横截面积，但本发明不以此为限。
[0030]如上所述，本实施例的所述第一电极120用以将发光二极管的表面电极移至所述发光二极管的背面或侧面，使得电极的设置不影响到所述发光元件的发光面。因此，所述第一电极120形成于所述基板110上，并通过附着及攀爬所述发光结构130侧壁上的所述第一绝缘层140而延伸至所述发光结构130的发光面之外。如图2所示，所述第一电极120包含一形成于所述第一绝缘层140侧壁上的第一分支121、一形成于所述第一绝缘层140下的第二分支122、一形成于所述第二非本征半导体层136边缘的第三分支123、及一形成于所述第二非本征半导体层136下表面的导电材料层124,且所述第一分支121、第二分支122、第三分支123及所述导电材料层124彼此电性连接。
[0031]由此，被埋藏于发光结构下方的表面电极(所述导电材料层124)可经由所述第一电极120而引导至所述发光元件200的表面，以进行后续的导线连接。所述导电材料层124的组成材料可以是透明的氧化铟锡(ITO)，使得所述导电材料层124可作为电流的扩散层，其保形地(conformally)形成于具有粗糙结构的所述第二非本征半导体层136下表面,可增加光提取效率，使其下方的所述基板110的所述反射层114可有效的进行反射。在另一实施例中，所述导电材料层124亦可选用金属或高反射性材质例如银或铝，由此可省略所述基板110上的反射层。
[0032]此外，为了所述第一电极120本身的工艺上以及所述第一电极120后续导线连接上的考量，所述第一电极120的第一分支121可具有一与所述发光结构130表面形成45至90度夹角的斜面,如图2所示。
[0033]所述第二电极150连接所述发光结构130的侧面边缘，以作为所述发光元件200的另一电极。在本实施例中，所述第一电极120电性连接所述发光结构130的所述第二非本征半导体层136，而所述第二电极150电性连接所述发光结构130的所述第一非本征半导体层132，且所述第一电极120与所述第二非本征半导体层136之间以及所述第二电极150与所述第一非本征半导体层132之间分别形成欧姆接触。
[0034]在本实施例中，所述基板110与所述发光结构130可以不同的工艺分别制备；换言之，所述发光结构130并非于所述基板110上进行半导体工艺而形成，而是将已制作好的所述发光结构130面对面粘贴于所述基板110。因此，所述粘胶层260可形成于所述基板110与所述发光结构130之间，用以将所述发光结构130粘贴于所述基板110上。此外，所述粘胶层260的组成材料具有良好的导热性及电绝缘性，用以将所述发光结构130产生的热传递给所述基板110。所述粘胶层260的厚度随着贴合工艺时所述基板110与所述发光结构130之间的施力大小而变化；在本实施例中，所述粘胶层260在所述第一电极120底面的下的厚度小于0.5 μ m，所述粘胶层260在所述第二非本征半导体层136的下的厚度介于1.3 μ m与1.6 μ m之间，且所述粘胶层260在所述第二电极150的下的厚度介于2 μ m与
3.5 μ m之间；但本发明并不以此为限。
[0035]通过如上所述所述第一电极120及所述第二电极150于所述发光元件200中的布局或结构设计，将可改善现有发光二极管的表面电极遮去其发光面的问题，因而所述发光元件200的发光效率高，且其输出光型不会受到电极配置的影响。
[0036]以下说明上述实施例的制作方法，是以图2的所述发光元件200为例，但亦适用于图1的所述发光元件100。图3至12绘示根据本发明实施例的发光元件的制作流程所对应的元件剖面图。
[0037]首先，先准备好一第一基板(未图示)，用以承载后续工艺所将制作的发光元件。
[0038]接着如图3所示，提供一氧化铝(sapphire)板作为第二基板310，且所述第二基板310上形成有一发光结构330。所述发光结构330作为本实施例发光兀件的发光主体,其可包含一本征氮化镓(U-GaN)层331、一 η型氮化镓(n_GaN)层332、一多重量子井(MQW)结构的主动层333、及一 P型氮化镓(p-GaN)层334 ;其中，所述U-GaN层331形成于所述第二基板310上，所述n-GaN层332形成于所述U-GaN层331上，所述主动层333形成于所述n-GaN层332上，且所述ρ-GaN层334形成于所述主动层333上。此外，所述ρ-GaN层334的表面具有粗糙结构，以可增加发光元件的光提取效率。
[0039]接着如图4所示,一透明的氧化铟锡(ITO)电极层320可保形地(conformally)沉积于所述发光结构330上，以作为所述发光元件的表面电极，则所述电极层320的表面亦为粗糙结构。
[0040]接着如图5所示，对所述电极层320及所述发光结构330通过干式蚀刻而进行台面蚀刻(mesa etching),以定义出所述发光元件的发光区域图案,并外露出部分的所述n-GaN 层 332。
[0041]接着如图6所示，形成一第一电极垫351于所述n-GaN层332的所述外露部分上及一第二电极垫352于所述电极层320的边缘上。所述第一电极垫351与所述发光结构330的所述n-GaN层332形成欧姆接触，而所述第二电极垫352则用以电性连接所述电极层320。
[0042]接着如图7所示，形成一电性绝缘的保护层340于上述被台面蚀刻的所述电极层320及所述发光结构330的侧壁上。通过所述保护层340提供电极的另一连接路径以及将详述于后的元件工艺，上述作为表面电极的所述电极层320将可埋藏于所述发光结构330的下方。在实际的蚀刻工艺制作上，所述保护层340可能形成于如图7所示的梯形形状，其上半部的横截面积小于其下半部的横截面积，但本发明不以此为限。
[0043]接着如图8所示，形成一导电部360于所述保护层340的侧壁上，并所述导电部360与所述第二电极垫352彼此电性连接。例如，所述导电部360可包含一形成于所述保护层340侧壁的第一支部361、一形成于所述保护层340上的第二支部362、及一形成于所述第二电极层352的第三支部363，且所述第一支部361、第二支部362、第三支部363及所述第二电极垫352彼此电性连接。此外，为了所述导电部360本身的工艺上以及所述导电部360后续导线连接上的考量，所述导电部360的第一支部361可具有一与所述发光结构130表面形成45至90度夹角的斜面，如图8所示。
[0044]接着如图9所示，将具有所述发光结构330的所述第二基板310翻覆，并通过一粘着剂370而与所述第一基板380面对面粘贴在一起。所述第一基板380包含一硅基板381，一反射层382、及一绝缘层383。其中，所述硅基板381亦可以氧化铝板或金属基板来取代；所述反射层382可具有全方位反射镜的功能且设置于所述硅基板381上，用以将所述发光结构330发出的下射光朝向所述发光元件的正面反射，由此可增加所述发光元件的发光效率；所述绝缘层383可设置于所述反射层382上，例如，二氧化硅，用以使所述第一基板380与所述电极层320及所述导电部360之间形成电性隔离。此外，可调整所述绝缘层83的厚度，以提高所述反射层382的反射效果。此外，所述粘胶层370用以将所述发光结构330粘贴于所述第一基板380上，其组成材料具有良好的导热性及电绝缘性，用以将所述发光结构130产生的热传递给所述第一基板380。所述粘胶层370的厚度随着贴合工艺时所述第一基板380与所述发光结构330之间的施力大小而变化。
[0045]接着如图10所示,通过例如激光剥离(laser lift-off)技术,可移除所述第二基板310。此时，所述发光结构330的所述U-GaN层334变成本实施例发光元件的发光面。
[0046]接着如图11所示，对所述发光结构330的表面施以粗糙化处理，使得所述U-GaN层334的表面形成粗糙结构。
[0047]接着如图12所示，对所述发光结构330进行图案化处理，以外露出所述第一电极垫351及所述导电部360，使所述第一电极垫351及所述第二电极垫352得以进行后续的导线连接。此外，为了便于上述所述第一电极垫351及所述第二电极垫352的导线焊接，另一实施例可进一步垫高所述第一电极垫350及所述导电部360。
[0048]通过如上所述的发光元件制作方法，所述发光元件的电极及其接线布局或结构设计将可改善现有发光二极管的表面电极遮去其发光面的问题，因而所述发光元件的发光效率高，且其输出光型不会受到电极配置的影响。
[0049]以上所述者，仅为本发明的较佳实施例，当不能以的限制本发明的范围。即大凡依本发明申请专利范围所做的均等变化及修饰，仍将不失本发明的要义所在，亦不脱离本发明的精神和范围，故都应视为本发明的进一步实施状况。
【权利要求】
1.一种发光元件，其特征在于，其包括: 一基板； 一第一电极，位于所述基板上； 一发光结构，位于所述第一电极上，所述发光结构包含一第一非本征半导体层、一第二非本征半导体层及一介于所述第一非本征半导体层与所述第二非本征半导体层之间的主动层； 一第一绝缘层，位于所述发光结构的侧壁；以及 一第二电极，连接所述第一非本征半导体层； 其中，所述第一电极包含一位于所述第一绝缘层侧壁上的第一分支。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第一电极进一步包括: 一第二分支，位于所述第一绝缘层下:以及 一第三分支，位于所述第二非本征半导体层的边缘。
3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，所述第一电极进一步包括: 一导电材料层，位于所述第二非本征半导体层下。
4.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第一电极的第一分支具有一斜面，所述斜面与所述发光结构的表面形成45至90度的夹角。
5.根据权利要求1所述的发光`元件，其特征在于，进一步包括: 一粘胶层，位于所述基板与所述第二非本征半导体层之间。
6.根据权利要求5所述的发光元件，其特征在于，所述粘胶层在所述第二分支的下的厚度小于0.5 μ m，所述粘胶层在所述第二非本征半导体层的下的厚度介于1.3 μ m与1.6 μ m之间，且所述粘胶层在所述第二电极的下的厚度介于2 μ m与3.5 μ m之间。
7.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述基板进一步包含: 一反射层，位于所述基板上 '及 一第二绝缘层，位于所述反射层上。
8.根据权利要求1项所述的发光元件，其特征在于，所述第二非本征半导体层具有粗糙的表面结构。
9.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第一非本征半导体层包含一η型氮化镓，所述第二非本征半导体层包含一 P型氮化镓。
10.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述发光结构进一步包含: 一本征半导体层，形成于所述发光结构的最上层，且所述本征半导体层具有粗糙的表面结构。
11.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述主动层具有多重量子井的结构。
12.—种制作发光元件的方法，其特征在于，包括下列步骤: (A)提供一第一基板； (B)提供一发光结构，其形成于一第二基板上，所述发光结构包含一第一非本征半导体层、一主动层、及一第二非本征半导体层； (C)形成一电极层于所述发光结构上； (D)对所述电极层及所述发光结构进行蚀刻，定义出所述发光元件的发光区域图案，并外露出部分的所述第一非本征半导体层； (E)形成一第一电极垫于所述第一非本征半导体层的所述外露部分上及一第二电极垫于所述电极层的边缘； (F)形成一保护层于上述被蚀刻的所述电极层及所述发光结构的侧壁； (G)形成一导电部于所述保护层的侧壁上，并连接所述导电部与所述第二电极垫； (H)通过一粘着剂将具有所述发光结构的所述第二基板与所述第一基板面对面粘贴在一起; (I)移除所述第二基板；以及 (J)对所述发光结构进行图案化处理，以外露出所述第一电极垫及所述导电部。
13.根据权利要求12所述的制作发光元件的方法，其特征在于，在步骤(J)的前更包括下列步骤: (JO)对所述发光结构的表面施以粗糙化处理。
14.根据权利要求12所述的制作发光元件的方法，其特征在于，进一步包括下列步骤: (K)垫高所述第一电极垫及 所述导电部。
【文档编号】H01L33/38GK103489980SQ201210191933
【公开日】2014年1月1日 申请日期:2012年6月12日 优先权日:2012年6月12日
【发明者】洪瑞华, 郭育玮 申请人:群康科技(深圳)有限公司, 奇美电子股份有限公司