技术总结
本发明涉及一种制备全息天线的固态等离子二极管制造方法。该制造方法包括：(a)选取SOI衬底；(b)刻蚀SOI衬底形成有源区沟槽；(c)对所述有源区沟槽利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；(d)光刻引线孔并金属化处理以形成所述固态等离子二极管。本发明实施例利用原位掺杂工艺能够制备并提供适用于形成全息天线的高性能固态等离子二极管。
技术研发人员：尹晓雪;张亮
受保护的技术使用者：西安科锐盛创新科技有限公司
文档号码：201611183923
技术研发日：2016.12.20
技术公布日：2017.05.10