技术总结
一种叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法，包括：在衬底上制作选区介质掩膜条对；并依次生长InP缓冲层、下分别限制层、下层多量子阱层、刻蚀终止层、上层多量子阱层以及上分别限制层；去掉部分上分别限制层和上层多量子阱层；除去部分刻蚀终止层和下层多量子阱层；对接生长无源波导芯层；在上分别限制层上制作分布反馈光栅，并依次外延生长光栅覆盖层、掺杂盖层以及重掺杂接触层，并刻蚀掉部分重掺杂接触层；刻蚀有源波导、无源波导和深波导结构；并生长绝缘介质层；开电极接触窗口；制备金属P电极；并形成隔离沟；在衬底的背面制作另一金属N电极，完成芯片制备。
技术研发人员：邓秋芳;梁松;许俊杰;朱洪亮
受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所
文档号码：201611202129
技术研发日：2016.12.22
技术公布日：2017.03.22